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只能看到针状纳米棒的合成。接着用PTCDA处理了SiO2/Si,Si，PTCDA充当CVD外延生长的成核中心，并有助于在这两种基底上获得相对较大的二维MoS2。但是图2b,e所示的MoS2结晶性不好，因为没有观察到明显的层状结构和规则形状。如上图是O2等离子体处理的SiO2/Si,Si，O2等离子体激活了基底表面上的原子，正如图2c所示，在SiO2 / Si上生长的MoS2表现出更加无序的结构。如图f所示，Si基底尺寸小，在O2等离子体清洗后，二维MoS2结晶良好。光学性能如上图是生长在不同衬底上的MoS2和WS2的WS2的 PL光谱。可以看出长在Si基底上的二维材料的PL信号都很弱，可能是因 ...
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