中文：抛光；英文：polishing

墨烯器件放在抛光的铜板上（发射率约为0.1）,然后把器件和铜板放在加热板上（如图二a所示）.使用热电偶来测量表面多层石墨烯的温度,调节热板的温度,以保持表面多层石墨烯的温度为35℃.使用Tix500热像仪以恒定的发射率1记录多层器件在不同插入偏压下的热像图（如图二b所示）.偏压范围由离子液体的电化学窗口决定。图二b显示了器件的红外温度从0 V时的30.5°C降低到4V时的28.1°C,可以通过ε=ε1（T1 / T）^4来确定表面的发射率ε,其中ε1是用于热成像的发射率,T1是红外温度,T是通过热电偶测得的实际温度,因此这意味着通过离子液体嵌入抑降低器件的发射率.根据热成像可以确定不同插层偏压 ...

都是采用研磨抛光方法；光纤对准调节一般采用无源或者有源二次对准技术；而光纤接头固定结构则是随着固定光纤并使之对准的方式以及连接器的锁定装置而形式各异。对接耦合式光纤连接器，无论是对单模光纤还是多模光纤系统，常用的对准机构设计一般都采用直套筒式锥形（双锥形）套筒结构。如图2所示，两根带连接的光纤被固定在两个金属或陶瓷的内套筒中，内套筒中心打有直径为126 um（对单模光纤）或这127 um（对多模光纤）左右的精密孔，其孔径稍大于包层外径。两个内套筒共置于一个精密的圆柱形定位筒（即外套筒）内，以保证两根光纤同轴且两端面准确地接触。两个内套筒的轴向定位由两端的保持弹簧来保证。图2 圆柱套筒型连接器基 ...

都是采用研磨抛光方法；光纤对准调节一般采用无源或者有源二次对准技术；而光纤接头固定结构则是随着固定光纤并使之对准的方式以及连接器的锁定装置而形式各异。对接耦合式光纤连接器，无论是对单模光纤还是多模光纤系统，常用的对准机构设计一般都采用直套筒式锥形（双锥形）套筒结构。如图2所示，两根带连接的光纤被固定在两个金属或陶瓷的内套筒中，内套筒中心打有直径为126 um（对单模光纤）或这127 um（对多模光纤）左右的精密孔，其孔径稍大于包层外径。两个内套筒共置于一个精密的圆柱形定位筒（即外套筒）内，以保证两根光纤同轴且两端面准确地接触。两个内套筒的轴向定位由两端的保持弹簧来保证。图2 圆柱套筒型连接器基 ...

是微球面研磨抛光，插芯表面研磨成轻微球面。UPC (Ultra Physical Contact)，超物理端面。UPC连接器端面并不是完全平的，有一个轻微的弧度。APC (Angled Physical Contact)，斜面物理接触，光纤端面通常研磨成8°斜面。插入损耗（Insertion Loss）：PC、UPC和APC连接器的典型插入损耗应小于0.3dB（较大值），典型值一般小于0.2dB，UPC/PC连接器通常更容易实现低插入损耗。回波损耗（Return Loss）：APC连接器的回波损耗通常优于UPC连接器，PC回波损耗为-45dB。UPC回波损耗一般是在-50dB（甚至更高）。AP ...

的基础上优化抛光和表面光洁度，使得端面的更具有弧度，在视觉上呈现更强的圆顶状。UPC研磨的光纤连接器常用于以太网网络设备、电话系统等。APC型：Angled Physical Contact，斜面物理接触，即光纤端面的研磨带有一个特定的角度，常用的有6度、8度。相较于前两种研磨得到的光纤连接器而言，APC研磨的连接器，可以使光纤端面连接更加紧密，并让反射回来的光信号通过其斜面反射到包层而不是光源处，有效抑制了反射光线对整个系统的影响，提供了更好的连接性能。APC研磨的光纤连接器则常用于高波长范围的光学射频应用。按照连接器连接方式分：为适应不同的使用场景，研发出了多种特点各异的光纤接头，下面介绍 ...

模块和输出端抛光 FC/PC 连接器，反射率约为 4%。PCF 用于生成参数四波混频 (FWM) 增益可通过波长调谐在750nm和980nm 之间进行波长调谐仅5ms内的振荡器（相应的波长调谐曲线可以在参考文献的图 3（a）中找到。）。FOPO 和放大的振荡器脉冲的组合用作 CARS 的泵浦和斯托克斯波，并允许处理 700 cm-1和 3200 cm-1之间的拉曼谱带。FOPO 谐振器中的 SMF完成了光谱窄色散调谐 ，使得反馈信号脉冲在时间上被拉长，并且只有窄光谱部分 (<12 cm-1) 与下一个要放大的泵浦脉冲重叠。因此，谐振器的光路长度直接与 FOPO 输出的波长相关。自定义—— ...

，圆片再经由抛光便可形成芯片制造所需的硅晶圆。经过这么多步骤，芯片基板的制造便大功告成，下一步便是堆叠房子的步骤，也就是芯片制造。至于该如何制作芯片呢？三、层层堆叠打造的芯片在介绍过硅晶圆是什么东西后，同时，也知道制造 IC 芯片就像是用乐高积木盖房子一样，藉由一层又一层的堆叠，创造自己所期望的造型。然而，盖房子有相当多的步骤，IC 制造也是一样，制造 IC 究竟有哪些步骤？下面将对 IC 芯片制造的流程做介绍。在开始前，我们要先认识 IC 芯片是什么。IC，全名积体电路（Integrated Circuit），由它的命名可知它是将设计好的电路，以堆叠的方式组合起来。藉由这个方法，我们可以减少 ...

的镜面表面用抛光技术抛光到1纳米以下的粗糙度。硅的独特之处在于，在镜面金属化之前，可以使用各种方法使表面超净。此外，硅材料本身在制造过程中没有任何残余应力，在镜面微加工后仍保持这种性能。因此，硅反射镜具有较高的平整度，曲率通常低于用传统干涉仪测量的水平。作为MEMS镜面的基材，硅具有较优的洁净度、平整度。在光束转向应用的Z后制造步骤中，硅镜面必须涂覆以获得所需波长的高反射率。在标准生产过程中，硅镜上会涂上一层薄薄的铝，所有库存的MEMS镜面都用的铝涂层。一些研发生产过程中的设计被涂上了黄金。一般来说，可以使用其他涂层材料，但有必要找到薄的、低应力的涂层，而不会显著降低镜子的平整度特性。这是一个 ...

离子交换树脂抛光AHA溶液，以去除微量盐并降低溶液的电导率。使用先前发表的方法测量了该电解质系统的交越频率（COF），发现其交越频率（COF）为6.2MHz。3.3阻抗测量我们利用上游并行点阵列驱动fDEP流通过通道，并利用下游45°交错阵列作为阻抗传感器。平行点电极轴向间隔20m，并对称桥接微通道的宽度。我们使用带有尖锐点的电极将电场聚焦到电极的尖端，并沿着主流通道壁增加与PDMS和玻璃基板的接触。一个函数发生器(RigolDG4102)被连接到fDEP电极上，并传递一个交流电场来取代跨通道的接口。下游阻抗电极被交错，并相对于流动方向定位在45◦的角度，以最大限度地提高阵列对界面位置变化的敏 ...

及用于光学的抛光和研磨。高温高压法的缺点是它只能生产出纳米级到毫米级的单晶金刚石，这限制了它的应用范围。直到金刚石的化学气相沉积（CVD）生产方法以及金刚石薄膜的出现，该金刚石的形式可以允许其更多的高ji特性被利用。金刚石的化学气相沉积（CVD）生产方法相比起HPHT 复制自然界金刚石产生的环境和方法，化学气相沉积选择将碳原子一次一个地添加到初始模板中，从而产生四面体键合碳网络结果。化学气相沉法，顾名思义，其主要涉及在固体表面上方发生的气相化学反应，从而导致沉积到该表面上。下图展示了一些比较常见的制备方法金刚石薄膜一旦单个金刚石微晶在表面成核，就会在三个维度上进行生长，直到晶体聚结。而形成了连 ...