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拉曼在通过促进氧功能化石墨烯夹层的空穴迁移来改善有机光电器件性能的应用引言：聚（3,4-乙烯二氧噻吩聚苯乙烯磺酸酯）（PEDOT：PSS）因其具有有利偶极子形成、可调能态和高效空穴迁移的出色性能，被广泛用作各种具有多层结构的有机光电器件中的空穴传输层（HTL）。然而，PSS的酸性会导致重金属成分从透明导电氧化物衬底（即氧化铟锡）中溶解，从而降低有机活性层的光伏性能。因此，从PEDOT： PSS与有机活性层之间的界面中分离出酸性PSS，可以有效地解决器件的不稳定性问题。由于PEDOT 和 PSS 之间存在静电相互作用，因此通常会在 PEDOT：PSS HTL 中添加掺杂剂或溶剂，以操纵它们的键合 ...
超连续激光作为光学相干层析成像的照明光源摘要：本文讲述使用超连续谱激光器作为光学相干层析成像的照明光源，并对光学相干断层扫描(OCT)的工作原理，OCT的形式进行了简述。光学相干断层扫描(OCT)是一种显微镜和眼科检查技术，它改变了视网膜和眼病的临床分析范式。OCT在20世纪80年代首次以扫描激光检眼镜(SLO)的形式开发和实施，为显微镜中的超分辨率成像打开了新的窗口，允许分析形成视网膜的不同层以及青光眼和其他黄斑疾病的诊断和治疗。OCT技术的主要优点与非侵入性有关，可以对生物组织进行横断面活检，并且该技术的高轴向分辨率使得筛选5到20微米深的视网膜层成为可能。OCT的一般工作原理：光学相干层 ...
分布式Bragg反射器量子级联激光器（1）量子级联（QC）激光器是基于半导体的中红外光源，通过带隙工程设计，由于其紧凑的尺寸，提供了有前途的应用。工作范围大，输出功率大。尽管Fabry-Perot型QC激光器具有高产量和高成本效益，但由于端面的波长无关反射率，其光谱输出相对较宽。此外，随着注入电流的增加，由于腔内空间和光谱烧孔等非线性，谱宽一般会增加一个数量级以上。然而，在各种应用中，如医学中的激光辅助手术或防御对策中，需要窄带，高功率操作的QC激光器。在QC激光器中，通过多种方法实现ji端光谱窄化到单模工作，包括将分布式反馈（DFB）光栅集成到激光腔中，利用外腔（EC）或通过单片耦合腔设计。 ...
宽可调谐1550纳米MEMSVCSEL的10gb/s直接调制（2）-Mems容器结构与加工1.半VCSEL结构BCB MEMS可调谐VCSEL的示意图如图1所示。它主要由两部分组成：半VCSEL和MEMS DBR。半VCSEL主要由一个基于AlInGaAs的有源区、两个InP热和电流扩散层、一个埋地隧道结（BTJ）和一个固定底部DBR反射镜组成。由两个重掺杂p-AlGaInAs和n-GaInAs层组成的圆形BTJ限制了结构中心的电流，以保证有源区域具有足够高的电流密度。为了实现高斯基模的高放大，增益曲线和光模之间的重叠必须是z佳的。这只能在束腰符合BTJ半径的情况下实现。因此，由于其不同的横向 ...
宽可调谐1550纳米MEMSVCSEL的10gb/s直接调制（3）-静态特征对于静态特性，MEMS VCSEL二极管通过向顶部（非接触）和底部（p接触）触点板注入直流电流IL来电泵浦，MEMS通过向MEMS电极注入另一个直流电流Imems来驱动，如图3所示。BCB MEMS可调谐VCSEL在19mA固定偏置下的发射光谱如图4(a)所示。激光从1524nm开始，MEMS加热电流为8mA。在与激光模相邻的较低波长处可以看到被抑制的高阶横模。随着加热功率的增大，初始气隙=4.3μm也增大。因此，单模发射波长不断向更高的值移动。图4 (a)连续波（CW）下，不同MEMS加热电流下固定偏置19mA的VC ...
宽可调谐1550纳米MEMSVCSEL的10gb/s直接调制（4）-动态测量1)小信号调制响应：小信号调制响应的S21参数给出了激光动态行为的估计。在不同的偏置电流和不同的发射波长下进行了实验。散热器温度设置为20℃。该芯片的共面连接由级联地面信号40GHz探头直接连接。用接触针单独探测MEMS进行电热驱动，如图7所示。27GHz皮秒脉冲偏置电路将来自矢量网络分析仪（Agilent Technologies E5071C ENA）的高频信号与来自激光二极管控制器的直流偏置相结合。小信号功率电平设置为−7dbm。输出光与标准单模透镜光纤对接耦合。zui后，一个光电二极管（Anritsu MN47 ...
成像式亮度色度计产品原理及应用介绍成像式亮度色度计工作原理：成像式亮度色度计是一种基于成像原理来进行测光和测色的测量仪器，基本结构是由视觉（或色觉）匹配的探测器（CCD或CMOS）、光学系统以及与亮度（或三刺激值XYZ）成比例的信号输出处理系统所组成。 单点亮度计测试系统 成像式亮度色度计测试系统亮度测试原理：根据图利用光度学和几何光学的原理可以推出:公式（1）式中：E-成像面上的照度; L-发光面上的亮度; τ-光学系统的透射比（透过率）; f-透镜焦距; l-透镜与发光面的距离（称为测量距离）; fm系统相对孔径数，fm=f/D， ...
使用20GHzVCSEL在1525nm波长上实现84Gb/sPAM-4在1.6kmSSMF-实验设置VCSEL的结构部署的单模短腔VCSEL基于Vertilas独特的InP埋地隧道结（BTJ）设计，具有非常短的光学腔。短腔的概念是通过在VCSEL的上镜和下镜上部署介电材料来实现的。介质材料的高折射率使得仅使用3.5对反射镜即可实现非常高反射率的分布式布拉格反射器（DBR），与需要30-40对反射镜的半导体DBR相比，DBR要薄得多。这使有效腔长度减少了50%以上，并大大降低了光子寿命，这一效应直接增加了器件的带宽InPBTJVCSEL概念包括一个特定的处理步骤，其中大部分半导体材料被蚀刻掉，为 ...
高能效量子级联激光器量子级联激光器（qcl）是基于半导体量子阱的子带间跃迁。当电子从前面的注入区进入活跃区，在上下激光能级之间经历辐射跃迁，并随后被提取到下一个下游注入区时，产生光子。电子从注入区进入下一个活跃区是通过注入地能级和上激光能级之间的共振隧穿发生的。隧穿速率，以及许多其他性能相关参数，可以通过量子设计来设计，例如，通过耦合强度的设计，耦合强度被定义为注入器地面能级和上激光能级在完全共振时能量分裂的一半。理论分析表明，快速隧穿速率是实现高激光壁塞效率（WPE）的关键因素。一方面，隧穿速率越快，所能支持的Max工作电流密度就越高，因此电流效率（即激光器工作在高于阈值多远的地方）也就越高 ...
量子级联激光器：长波红外（λ>6 μm）的设计qcl今天能够在λ = 3-24 μm范围内发光，并且z近已经引入到太赫兹域，可能导致光电集成的新水平由于有可能利用为电信/数据通信组件市场开发的已经成熟的InP和GaAs技术，qcl已经显示出令人印象深刻的快速技术发展。自1994年成立以来，2QC激光器仅在几年后就实现了室温（RT）脉冲操作，并在2008年实现了连续（CW） RT操作。由于不断推动这项技术的工业化，由Cho首创的分子束外延（MBE）进行的初始材料开发工作近年来已扩展到更标准的工业平台，用于材料生长，金属有机化学气相沉积（MOCVD）mocvd生长的QC激光器已经迅速达到了与 ...
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