Moku升级实时计算并显示g(2)二阶关联函数及新活动更新摘要Moku时间间隔与频率分析仪（TFA）功能进一步升级，在时间间隔测量精度与检测配置灵活性方面实现显著提升。全新版本支持实时计算并可视化显示g(2)二阶关联函数，为量子光学、单光子探测及相关前沿研究提供更高效、直观的测量手段。在本应用笔记中，我们将概述二阶关联函数及其物理意义。随后，我们将介绍如何使用Moku 时间间隔与频率分析仪进行配置并采集数据，说明如何使用其内置新增的分析功能来计算二阶关联函数。zui后，我们将演示两种不同的计算方法，并展示两者结果具有良好一致性。1.背景介绍经典光源与量子光源具有广泛用途，既可覆盖量子光学、量子 ...
多通道锁相放大器在穆勒矩阵测量中的应用1锁相放大器的基本原理锁相放大器（Lock-In Amplifier）是一种能够从噪声中提取微弱信号的高精度仪器，广泛应用于信号测量和光学实验中。其工作原理基于与参考信号同步解调。具体来说，锁相放大器能够在已知频率的参考信号的帮助下，从复杂的输入信号中提取出与参考信号频率匹配的信号成分，去除背景噪声。2. 偏振态与穆勒矩阵偏振态是描述光波振动方向的物理量，它表征了光波的不同特性，如光波的振动方向、振幅和相位。光的偏振态可以通过斯托克斯参数来描述，这些参数定义了光波的偏振度和偏振方向。常见的偏振态包括：线性偏振光和圆偏振光。穆勒矩阵是一个 4×4 的矩阵，用 ...
可见光到近红外光谱区SiN集成光子元件摘要：在本文中，我们介绍表征SiN集成组件的实验设置的结构和设计，简述了可见光到近红外光谱区的SiN集成光子元件中的应用。本研究强调氮化硅（SiN）是开发可见光至近红外范围内量子光子集成电路（QPICs）的理想材料。已经设计、制造和测试了各种集成的基于sinc的构建模块，展示了低插入损耗和高效率的先 进性能。采用精确的工艺，包括LPCVD沉积和定制蚀刻技术，制备了氮化硅（SiN） PICs，以实现750 nm的单模波导。光学表征在很大程度上依赖于FYLA SCT500超连续激光作为光源。这使得测量宽光谱响应（650-850 nm）具有高精度[图1]。输入偏 ...
量子计算610μm长程传输：解析6,100个原子阵列背后的G&H AOD随着2025年“国际量子科学与技术年”正式落入时间长河，量子力学的百年辉煌完成了历史性的接力。步入2026年，量子科学的热度有增无减，随着全qiu投资激增和关键技术突破的双重驱动下持续升温。而量子计算机更是其中创新zui为活跃的前沿阵地，并且多个技术路线并行发展，离子阱、中性原子、光量子、超导、硅基半导体各显神通，在不同应用场景下形成互补格局，推动从实验室验证迈向产业化的关键跃迁。但是随着量子比特数量的不断扩展，如何实现对每个独立量子比特的高保真度和高速度的光学操作正成为一个问题。在2025年秋季Optics.or ...
宽谱可调谐光源技术全景：原理、选型与前沿应用指南1. 波长可调谐光源：驱动前沿科学与工业创新的核心引擎在光谱学、生物成像、半导体检测、量子技术等诸多前沿领域中，获取特定波长的激发光或探测光是实验成功的关键。传统的固定波长光源（如单一激光器或LED）往往难以满足多参数、多通道、高灵活性的测量需求。可调谐光源的出现，恰好解决了这一核心难题——它赋予研究人员前所未有的自由度，能够根据实际需要，连续或离散地选择输出波长，从而实现更灵活、更精确、更高效率的光学调控。根据波长调谐的实现方式，当前的可调谐光源主要分为三大技术路线：组合式（宽谱光源与滤波器件结合）、自调谐（光源本身具备波长调谐能力）以及波长切 ...
应用探究|超越鬼成像（二）：基于PPLN单晶体折返“无探测”量子成像在上篇文章《应用探究|量子成像技术探秘（一）：基于PPKTP晶体的未探测光子成像QIUP技术》中，我们分享了传统QIUP技术。而在此基础上，一种基于单非线性晶体的折返光路设计也逐渐流行。来自伦敦帝国理工学院物理系的布莱克特实验室分享了一种基于单块PPLN晶体的紧凑型、低成本化的QIUP。在本文中，来自英国Covesion公司的10mm长PPLN晶体（MOPO515-0.5）作为波长转换的关键。泵浦光（532nm）首先 进入PPLN晶体，发生第1次非简并SPDC，产生了纠缠的信号光子（例如808nm）以及闲频光子（例如1559n ...
量子金刚石显微镜在半导体失效分析中的应用1.介绍随着异构集成（HI）和封装技术日益普及，以实现性能提升的新一代目标，传统的电气故障分析（EFA）技术在应对行业新兴趋势（如晶圆间、芯片间键合、硅通孔以及背面电源供应的复杂性）时面临日益严峻的挑战。由于互连对器件的性能提升至关重要，确保其电气完整性对于提升产量和保持高良率至关重要。然而，许多传统EFA技术难以应对弱信号、多金属化层和堆叠芯片等问题。此外，氮化镓和碳化硅等宽带隙材料的广泛应用导致当前EFA面临更多复杂性。迫切需要开发新方法，能够定位深埋于表面之下且被复杂金属化层包围的故障，同时具备三维信息、高分辨率和短测量时间。解决这些问题的新兴EF ...
宽带涡流测量氮化镓半导体的片电阻摘要对于片电阻的测量来说，尽管经典的四点探针法通常能提供足够的结果，但在许多情况下，它并不适用于薄片电阻的测量，特别是在埋入导电层或表面接触点氧化/退化的情况下。针对氮化镓样品中有位错缺陷的表面浓度的情况下，此类测量方法难度极高。本文将展示一种氮化镓样品，使用此方法将直接无法测量。然而本文将采用一种新型宽带多频非接触涡流法来精确测量复杂外延生长的氮化镓掺杂样品片电阻，并与传统四点法进行了比较。此方法对多层掺杂的氮化镓样品进行了完美评估，这将为该领域的进一步开发应用奠定基础。采用CST-StudioSuite仿真软件2020及实验测量数据，通过三维有限元模型对本非 ...
高精度特斯拉计，配有薄型高分辨率三轴霍尔探头摘要新型数字特斯拉计系统（又称高斯计）集成了三轴霍尔探头、基于旋转电流技术的模拟电子元件、24位模数转换器、计算机及7位数触摸屏显示器。该霍尔探头采用单片硅芯片设计，集成有水平/垂直方向的霍尔磁传感器和温度传感器。霍尔传感芯片封装在坚固的陶瓷外壳中，其厚度仅为250μ微米。旋转电流技术有效消除了霍尔探头偏移、低频噪声及平面霍尔电压干扰。通过基于三变量二次多项式的校准程序，消除了霍尔元件非线性误差与探头电子元件温度变化带来的影响。针对霍尔探头角度误差问题，采用探头灵敏度张量校准方案彻底消除误差。这些创新设计使新特斯拉计具备了测量1μ特斯拉至30特斯拉磁 ...
X射线荧光光谱技术在涂层厚度分析中的应用在现代工业生产中，产品质量的管理是企业竞争力的重要体现，而涂层厚度的精确测量是保证产品性能和耐久性的关键环节。涂层厚度分析仪作为一种优的检测工具，利用X射线荧光光谱（XRF）技术，实现了对镀层、膜厚和涂层的无损检测，广泛应用于各类行业。本文将深入探讨涂层厚度分析仪的工作原理、应用领域、相关专li（申请号202211107941.6）、科研成果、实验数据，并结合实际分析图片，为读者呈现一个全面、深入的技术解析。一、工作原理与技术基础X射线荧光光谱技术是一种基于物质发射特征X射线的分析技术。当样品受到X射线照射时，其内部原子会发生激发并返回基态，释放出具有特 ...
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