拉曼在电化学剥离二硫化钼薄膜的喷墨印刷大面积柔性光电探测器件阵列中的应用摘要：尽管在过去的几年中已经报道了各种基于MoS2的光电探测器，但由于MoS2薄膜的低产量和低质量，用于光电成像的大面积光电探测器阵列的控制制造仍然是一个主要挑战，本文首次展示了一种基于叠层二硫化钼纳米片的高性能喷墨打印柔性光电探测器阵列。将季铵离子插入MoS2体中，得到2H相MoS2纳米片。在室温下，喷墨打印光电探测器的响应率为552.5AW-1， 探测率为1.19×10 12 Jones，快速响应时间为23ms，恢复时间为26ms，具有优异的性能。 此外，成功构建了85像素/英寸的光电探测器阵列，并清晰地识别了字母“T ...
原位拉曼对单层二硫化钼生长机理的研究应用摘要：化学气相沉积（CVD）的原位研究对于理解过渡金属二硫化物（TMDs）的生长机制和开发高质量单层单晶生长技术至关重要。然而，由于TMD CVD生长是在高温还原环境下进行的，因此原位研究在实践中仍然是一个巨大的挑战。本文使用的原位CVD生长研究系统，就提供了单层MoS2沉积在衬底上的SiO2/ Si实时观察。本文发现，单层MoS2应通过气态前驱体反应生长并从衬底上的预成核位点结晶，中间相MoO2对于成核种子至关重要，但种子分布密度应该得到控制，高浓度的S蒸汽促进了MoS2的面内外延生长；因此，获得具有致密结构的高质量单层是非常有益的。二维过渡金属二硫族 ...
高光束质量光纤合束器技术研究（一）光纤激光器自从发明以来取得了长足的进步，但是近年来单链路光纤激光器进一步提升输出功率却遇到了极大的瓶颈，在这个背景之下光纤激光合成技术成为了一个有效的方案，其中功率合成示意图如图1所示。图1.功率合成示意图所谓光纤激光合成技术指的是将多路光纤激光合称为一束激光输出的技术，其中光纤功率合束器是该技术中的核心技术，它能够有效避免几何拼束的缺陷，利用全光纤结构将多路激光束缚在波导中，提高了合成效率，实现了真正意义上的“合束”，其结构如图2所示。图2.光纤合束器结构示意图而除了高功率之外，在很多领域中能量密度这一参数也非常重要，我们可以使用光束质量这一指标来表征这个值 ...
原位拉曼在双壁碳纳米管作为磷酸铁锂阴极的有效导电剂中的应用引言：锂离子电池（LIB）已成为电动汽车和各种便携式电子应用的第1选择。然而，对具有更高能量密度的锂离子电池的需求依旧持续增长。目前，研究工作者通过优化电池组件，包括活性材料、导电剂、粘合剂和电解质来提高锂离子电池的电化学性能已经做出了重大努力。特别是，导电剂的选择发生了重大变化。研究表明，用多壁碳纳米管（MWCNTs）代替炭黑（CB）是一种在不改变活性材料的情况下提高阴极能量密度的有效方法。从这个意义上说，单壁碳纳米管 （SWCNT） 被认为是理想的导电剂，因为它们具有高电导率（106S/m）和纵横比 （>3500）。有研究表明 ...
宽可调谐1550纳米MEMSVCSEL的10gb/s直接调制（2）-Mems容器结构与加工1.半VCSEL结构BCB MEMS可调谐VCSEL的示意图如图1所示。它主要由两部分组成：半VCSEL和MEMS DBR。半VCSEL主要由一个基于AlInGaAs的有源区、两个InP热和电流扩散层、一个埋地隧道结（BTJ）和一个固定底部DBR反射镜组成。由两个重掺杂p-AlGaInAs和n-GaInAs层组成的圆形BTJ限制了结构中心的电流，以保证有源区域具有足够高的电流密度。为了实现高斯基模的高放大，增益曲线和光模之间的重叠必须是z佳的。这只能在束腰符合BTJ半径的情况下实现。因此，由于其不同的横向 ...
宽可调谐1550纳米MEMSVCSEL的10gb/s直接调制（3）-静态特征对于静态特性，MEMS VCSEL二极管通过向顶部（非接触）和底部（p接触）触点板注入直流电流IL来电泵浦，MEMS通过向MEMS电极注入另一个直流电流Imems来驱动，如图3所示。BCB MEMS可调谐VCSEL在19mA固定偏置下的发射光谱如图4(a)所示。激光从1524nm开始，MEMS加热电流为8mA。在与激光模相邻的较低波长处可以看到被抑制的高阶横模。随着加热功率的增大，初始气隙=4.3μm也增大。因此，单模发射波长不断向更高的值移动。图4 (a)连续波（CW）下，不同MEMS加热电流下固定偏置19mA的VC ...
成像式亮度色度计产品原理及应用介绍成像式亮度色度计工作原理：成像式亮度色度计是一种基于成像原理来进行测光和测色的测量仪器，基本结构是由视觉（或色觉）匹配的探测器（CCD或CMOS）、光学系统以及与亮度（或三刺激值XYZ）成比例的信号输出处理系统所组成。 单点亮度计测试系统 成像式亮度色度计测试系统亮度测试原理：根据图利用光度学和几何光学的原理可以推出:公式（1）式中：E-成像面上的照度; L-发光面上的亮度; τ-光学系统的透射比（透过率）; f-透镜焦距; l-透镜与发光面的距离（称为测量距离）; fm系统相对孔径数，fm=f/D， ...
高能效量子级联激光器量子级联激光器（qcl）是基于半导体量子阱的子带间跃迁。当电子从前面的注入区进入活跃区，在上下激光能级之间经历辐射跃迁，并随后被提取到下一个下游注入区时，产生光子。电子从注入区进入下一个活跃区是通过注入地能级和上激光能级之间的共振隧穿发生的。隧穿速率，以及许多其他性能相关参数，可以通过量子设计来设计，例如，通过耦合强度的设计，耦合强度被定义为注入器地面能级和上激光能级在完全共振时能量分裂的一半。理论分析表明，快速隧穿速率是实现高激光壁塞效率（WPE）的关键因素。一方面，隧穿速率越快，所能支持的Max工作电流密度就越高，因此电流效率（即激光器工作在高于阈值多远的地方）也就越高 ...
使用直接调制VCSELs和相干检测生成和传输100 Gb/s PDM 4-PAM-实验与结论实验装置实验设置如图2(a)所示。来自2位高速数模转换器（DAC）的D和D的两个4级25Gbaud电信号直接调制两个VCSELs，峰对峰幅为600mV。DAC以模式发生器的延迟去相关D和为馈源，产生25Gb/s的215-1伪随机二进制序列（PRBS）。为了补偿耦合损耗，每个VCSEL的输出通过掺铒光纤放大器（EDFA）和偏振控制器（PC）进行放大。然后将两个4PAM光信号与偏振束合流器（PBC）组合，形成100Gb/s的PDM-4PAM信号，发送到带宽为3db的JDSUTB9光栅滤波器，带宽为0.52n ...
使用具有合成钉钉位点的磁畴壁装置进行神经形态计算的突触元件近年来，人工智能（AI）越来越受到人们的关注。目前的智能手机和电视等消费设备已经使用了人工智能。在这些设备中，AI算法是在冯·诺伊曼架构上运行的组件上执行的，这消耗了大量的功率。相比之下，受大脑启发的神经形态计算（NC）硬件，由通过突触装置相互连接的合成神经元网络组成，并模仿大脑的功能，有望以低功耗执行复杂的信息处理。因此，NC得到了极大的关注。在NC系统中，神经元作为处理元件，通过接受多个输入并以编程的方式产生输出。相比之下，突触将根据权重调制的信号传递给神经元。这种重量在物理上储存在突触本身，这意味着突触元素本质上必须是非易失性的。 ...
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