检索词条 —— CVD

化学气相沉积法（CVD）生长的二维材料已被广泛用于研究和应用。不同的衬底会对生长的二维材料产生影响，使它们的形态，晶体质量，光学性能等被改变。云南大学杨鹏教授课题组研究了衬底对CVD生长MoS2和WS2的影响。本文主要使用SiO2/Si,Si,石英作为衬底生长二维材料。形态&晶体质量如上图a所示，SiO2 / Si衬底上的CVD生长的MoS2具有规则的三角形形状，具有清晰的分层结构，说明了合成了不同层数的MoS2。d是在Si衬底上生长的MoS2,图中只能看到针状纳米棒的合成。接着用PTCDA处理了SiO2/Si,Si，PTCDA充当CVD外延生长的成核中心，并有助于在这两种基底上获得相 ...

通过CVD方法在不同的基地上对MoS2进行大面积生长拉曼光谱的测试采用商用的显微拉曼设备（XperRam），包括一个泵浦固体激光器（波长为532nm），拉曼系统还配备一个激光扫描系统，其空间分辨率为20nm。物镜（Olympus, MPLFLN 40X, NA=0.75）被用于聚焦激光，点的尺寸大约为1um。每个光谱的曝光时间为500ms，入射激光功率为2mW。拉曼光谱已经被广泛用于研究二维材料的振动特性并且定量确定他们的厚度。图1显示了通过CVD的方法在SiO2衬底上合成了单层单畴四方三形状的MoS2薄膜一个区域的拉曼光谱成像。此三方MoS2薄膜的尺寸为~30um。MoS2薄膜的拉曼光谱通过 ...

The MOCVD Challenge: A survey of GaInAsP-InP and GaInAsP-GaAs for Photonic and Electronic Device Applications, Electronic Materials and Devices, ed.II, (CRC, 2010).8. M. Razeghi, Technology of Quantum Devices (Springer Science, 2010).9. Y. Bai, N. Bandyopadhyay, S. Tsao, S. Slivken, and M. Razeghi, ...

米片是通过 CVD 方法合成的，用于PL信号的比较分析。正如图1（b）所示，MoS2纳米片的光谱在460，610，670处有特征峰，分别用A，B，C表示。A 和 B 峰对应于价带顶部布里渊区K点的自旋轨道分裂引起的激子跃迁。C 与来自 d 轨道的带间跃迁有关。随着将块状 MoS2 转化为量子点时发生的维度变化，MoS2 纳米片的激子峰消失，并出现了新的吸收特征。由于量子尺寸效应，在 MoS2量子点中观察到吸收峰蓝移。此外，在 MoS2 QD 的 PL 光谱中，不存在 A 和 B 激子峰，并且在相对于原始 MoS2 的 PL 发射区域的更高能量区域中产生了新的强发射峰。 图 1c 显示了在 30 ...

on, PECVD)将一层600nm厚的a-Si膜沉积到熔融石英衬底上。随后，使用EBL将超表面图案定义到聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA）光刻胶里。在接下来的步骤中，图案首先通过剥离转移到铬(Cr)硬掩模，然后通过电感耦合等离子体反应离子蚀刻(ICP-RIE)进一步转移到Si层。然后可以通过湿蚀刻剂去除Cr掩模。光刻胶旋涂在样品上。在第二部分中，通过光刻、电子束蒸发和剥离的一系列过程，铝掩模使用对准标记在超透镜孔径外部精确地形成。实验结果：(1)a到c为传统的焦距为30mm的平凸透镜成像，孔径半径分别限制在1、2.38、2.7mm。d到i为合成孔径超透镜成像及图像重建。(2)800nm近红外拍摄。 ...

相沉积法（MCVD）、轴向气相沉积法（VAD）、棒外化学气相沉积法（OVD）和等离子化学气相沉积法（PCVD）四大主流工艺。光棒外部包层制造一般采用套管法（早期是 RIT，后来演进为 RIC）和全合成法（OVD、VAD）。图3.预制棒拉丝流程拉制：预制棒制备完毕后，需要对预制棒进一步做拉丝处理。拉伸炉使预制棒在高温下（2000~2200℃）熔融，在重力的作用下往下垂，并形成细丝，经直径监控设备检测达到标准后，就可以穿过涂覆器，使得光纤表变涂上了保护层。在经过紫外固化炉的固化，涂层就紧密结合在光纤表面，涂覆后的光纤由牵引轮牵引收到线轴上。而这个过程中，正确精准地控制拉丝温度、收丝速度是至关重要的 ...

学气相沉积（CVD）高温高压但是因为大型天然钻石的成本和稀缺性，金刚石的工业化应用一致非常困难。200 年前，人们就知道钻石是仅由碳组成（Tennant 1797），并且进行了许多尝试以人工合成金刚石，作为金刚石在自然界中最常见的同素异构体之一的石墨，被尝试用于人造金刚石合成。虽然结果确被证明其过程是非常困难因为石墨和金刚石虽然标准焓仅相差 2.9 kJ mol-1 （Bundy 1980），但因为一个大的活化势垒将两相隔开，阻止了石墨和金刚石在室温和大气下相互转化。有趣的是，这种使金刚石如此稀有的巨大能量屏障也是金刚石之所以成为金刚石的原因。但是终究在1992年，一项称之为HPHT（high ...

磁场，低温，CVD等其他设备结合在一起，实现“绝对”的原位测试，避免位移平台本身重复精度累积带来的成像扭曲和定位偏差。而全新推出的光子反聚束测量模块，在原本拉曼光谱、荧光寿命、光电流成像的基础上新增光子反聚束功能，在方便快捷的进行零声子线的测试的同时，还可以完成光子反聚束的测量，极大的简化色心的搜寻流程，迅速判断制备工艺水平。该模块有助于研究者用拉曼光谱和光致发光（PL）成像来表征样品，快速确定目标区域（可能有单光子源的区域），随后在同一仪器来进行反聚束实验。典型案例：对已经进行过氮离子注入处理过的纳米级金刚颗粒进行光谱分析，从而精准定位符合要求的潜在色心：上图1为在5X物镜下进行快速粗扫后得 ...

意图（1）MCVD法。MCVD法是目前制作高质量石英光纤比较稳定可靠和广泛使用的光纤预制棒的生产工艺。它是1974年由美国贝尔实验室开发的经典工艺，并为朗讯公司所采购。（2）PCVD法。PCVD法是由荷兰飞利浦研究实验室于1975年提出的工艺方法，它是一种管内低温等离子体的化学气相沉积法。它与MCVD法的工艺原理基本相同，只是不再用氢氧焰进行管外加热，而是改用微波谐振腔体产生的等离子体加热。其反应机理是，用高频功率微波激活石英管内的低压气体，产生带电的等离子体，使其能量大大增加，并在低压下快速扩散到管内壁周围发生反应，带电离子重新结合时释放出的热能融化气态反应物，形成透明的玻璃态沉积薄层。（3 ...

学气相沉积（CVD）腔室中取出，然后用分析仪器进行检查。它被称为“Ex-Situ”方法，是从外部而不是在腔室内部进行分析。但是，从真空室中取出的薄膜可能会与大气中的氧气或水分接触，从而改变物性，很难进行准确的分析。即使通过分析发现问题，也需要花费大量的时间和精力来确定问题发生的时间及原因。为了解决这个问题，许勋首席研究员于3年前成立“创意型融合研究项目”课题，着手进行“化学沉积材料实时沉积膜监测技术和设备开发”的研究。课题结束后同步完成了分析设备的开发，并与半导体材料企业合作进行商业化。许勋首席研究院研究组开发的设备与以往不同，其特点是能够实时分析硅晶圆腔内形成薄膜的全过程。这不是“Ex-Si ...