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化学气相沉积法（CVD）生长的二维材料已被广泛用于研究和应用。不同的衬底会对生长的二维材料产生影响，使它们的形态，晶体质量，光学性能等被改变。云南大学杨鹏教授课题组研究了衬底对CVD生长MoS2和WS2的影响。本文主要使用SiO2/Si,Si,石英作为衬底生长二维材料。形态&晶体质量如上图a所示，SiO2 / Si衬底上的CVD生长的MoS2具有规则的三角形形状，具有清晰的分层结构，说明了合成了不同层数的MoS2。d是在Si衬底上生长的MoS2,图中只能看到针状纳米棒的合成。接着用PTCDA处理了SiO2/Si,Si，PTCDA充当CVD外延生长的成核中心，并有助于在这两种基底上获得相 ...
采用：改进的化学气相沉积法（MCVD）、轴向气相沉积法（VAD）、棒外化学气相沉积法（OVD）和等离子化学气相沉积法（PCVD）四大主流工艺。光棒外部包层制造一般采用套管法（早期是 RIT，后来演进为 RIC）和全合成法（OVD、VAD）。图3.预制棒拉丝流程拉制：预制棒制备完毕后，需要对预制棒进一步做拉丝处理。拉伸炉使预制棒在高温下（2000~2200℃）熔融，在重力的作用下往下垂，并形成细丝，经直径监控设备检测达到标准后，就可以穿过涂覆器，使得光纤表变涂上了保护层。在经过紫外固化炉的固化，涂层就紧密结合在光纤表面，涂覆后的光纤由牵引轮牵引收到线轴上。而这个过程中，正确精准地控制拉丝温度、收 ...
一大类是管内化学气相沉积法，它是将粉尘沉积在熔石英管的内壁上，即石英管成为包层，沉积在管内的是芯与包层材料。根据其对反应区加热方法的不同，又可分为两种工艺方法，即“改进的化学气相沉积法”“微波等离子体化学气相沉积法”；第三大类为“轴向化学气相沉积法”。图1.光纤预制棒的生产示意图（1）MCVD法。MCVD法是目前制作高质量石英光纤比较稳定可靠和广泛使用的光纤预制棒的生产工艺。它是1974年由美国贝尔实验室开发的经典工艺，并为朗讯公司所采购。（2）PCVD法。PCVD法是由荷兰飞利浦研究实验室于1975年提出的工艺方法，它是一种管内低温等离子体的化学气相沉积法。它与MCVD法的工艺原理基本相同， ...
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