）PSCs的带隙谱图；（c）不同PEN/ITO/ETL/PVK归一化稳态荧光谱图；（d）PEN/PVK和PEN/ITO/ETL/PVK的时间衰变光致发光光谱。如图2（a）为在AM1.5G的辐照下使用不同ETLs的柔性PSCs电流J-V的曲线图，图2（a）的嵌入图为PSCs关键J-V参数的总结，基于T2的PSCs在1.1V显示了最大的J_sc（22.32mA/cm2），并且填充因子（FF）为0.656，产生了高16.11%的PCE。基于低载流子的结合动力学，T2/PVK表面的电位损失最小，导致了PSC的Jsc和Voc较高。如图2（b）所示，此PSCs的整合J_sc为21.1 mA/cm2，和图2 ...
离成单层时，带隙从间接带隙变为直接带隙。由于量子限制效应，MoS2 量子点 (QD) 比块状或单层 MoS2 具有更高的带隙能量。许多研究人员通过各种方法制备 MoS2 单层或量子点，例如剥离、底物生长和胶体合成。通过机械剥离制备的 MoS2 薄层转移到基板上的过程使得大规模商业化生产变得困难。锂辅助剥离是一种通过诱导层间弱范德华作用来剥离 MoS2 的简便方法，正丁基锂 (n-BuLi) 通常用于此目的。然而，在插层过程中，n-BuLi 的高电子供体能力导致 MoS2 从半导体六方相 (2H) 到金属四方相 (1T) 的相变，这种溶剂剥离方法需要进一步的热处理工艺以从金属 1T 相中回收半导 ...
(主要是光学带隙)，也被称为共振拉曼散射(RRS)。在那里，由于强光学吸收，拉曼散射信号可以增强几个(通常是两个)数量级。此外，由于振动和电子运动的相互作用改变了拉曼选择规则，可能会出现新的声子模式，而这些模式在非共振拉曼光谱中是不存在的。有趣的是，由于强烈的激子效应，RRS在二维半导体中起着至关重要的作用。紧密束缚的激子态表现出特有的共振效应，导致出现了非rrs中禁止的几种拉曼模等现象。二维半导体中的RRS是一个非常有趣且有潜力的课题。另一种增强拉曼信号的方法是利用非线性拉曼效应，包括相干反斯托克斯拉曼散射和受激拉曼散射。这两种技术都需要高功率的激光抽运，随着激光功率的增加，信号强度呈非线性 ...
数，如成分和带隙联系起来。由于光学测量方法准确，无破坏，只需很少或无需专门样品，光学测量法常常是薄膜测量的首选方法。最常见的两种光学测量法是光谱反射法和椭偏法。光谱反射法测量一定波长内光线查直人射到样品表面时，薄膜衣面反射回来的光。椭偏法则测量非垂直入射光的两种不网的偏振。总的来说，光谱反射法比椭偏法简单、经济得多，但是局限于测量比较不复杂的结构。光学常数 (n和k)描述光如何通过薄膜传播。在某个时间光穿过一种物质的电磁场可以简单表示为：其中x:距离，λ：光波长，n和k：薄膜相应的折射率和消光系数。折射率是光在物质和真空中传播速度的比值。消光系数是测量光在物质中被吸收了多少。更多详情请联系昊量 ...
空芯单模光子带隙型光子晶体光纤（HollowCoreSingle-Mode Photonic Band Gap Photonic Crystal Fiber,HC-SM-PBG-PCF）,该光纤的纤芯为中空的，充满了空气，包层为二维的空气孔周期性排列的结构，这种二维的周期性结构形成了特定的光子禁带，可以将一定频率的光限制在纤芯中进行传输。这种空芯光纤可以克服常规阶跃折射率单模光纤的基本限制，理论上可以大幅度降低损耗极限、具有较低的非线性，并且可以提高光的损伤阈值。为此，科学家们对光子晶体光纤技术进行了大量的研究，中空的光子晶体光纤在降低损耗过程中遇到了很大的困难，衰减一直处于1dB/Km以上的 ...
择在GaAs带隙Eg附近(10 K时约1.518 eV)，这对于优化样品的磁光Kerr响应是必要的。激光通过几个宽带介质反射镜引导到一个薄膜分束器。在这里,大约90%的光被传输并到达光谱仪，光谱仪用于确定激光的波长。剩下的10%的光被反射到显微镜物镜上，物镜将光聚焦到低温恒温器中的样品上。物镜的放大倍率为60，数值孔径为0.70，工作距离约为2.5 mm。为了在切割边缘平面上获得尽可能小的激光光斑直径，必须确保显微镜物镜的整个孔径均匀照射。因此，光束在离开二极管激光器后用望远镜加宽。样品上的光强可以借助中性密度滤光轮来控制。测量时使用的探测激光功率约为10μW。激光在到达样品之前被格兰-汤普森 ...
对于能量接近带隙能量的光子的吸收有重要的影响。能量仅略高于Eg的光子只能激发跃迁进入自旋下子带。跃迁到自旋向上子带只有在光子具有较大能量时才有可能。图1.左:大块砷化镓中左圆偏振光(lc)和右圆偏振光(rc)的光跃迁，从重带(hh)和光孔带(lh)跃迁到导带。右:计算出n↑= 1.5·1017 cm−3和n↓= 0.5·1017 cm−3的吸收光谱。α0表示非极化情况下的吸收。此外，跃迁必须遵守砷化镓中的偶极子选择规则。因此，两个圆形光模式只能耦合到某些过渡。例如，左圆偏振光可以激发从重空穴带到自旋向下子带的跃迁，但不能激发从重空穴带到自旋向上子带的跃迁。综上所述，导带的自旋不平衡结合光学选择 ...
波能量远高于带隙时,同时考虑电子和晶格的贡献：这就是Selmeier色散公 式,实际应用中用波长代替能量作为参量：5.EMA(有效介质)模型有效介质模型应用于两种或两种以上的不同组份合成的混合介质体系,多达 5种不同材料组成的混合材料、多晶膜、金属膜、表面粗糙的膜、多孔膜、不同材料或合金的分界面、不完全起反应的混合材(TiSi、WSi)、无定形材料和玻璃；其基本思想是将混合介质当作一种在特定的光谱范围内具有单一有效介电常量张量的“有效介质”,是把均匀薄膜的微观结构与其宏观介电常数相联系.它包含3种有效介质模型：5.1 lorentz-Lorenz有效介质模型zui简单的异构介质是介电函数分别为 ...
光源具有接近带隙能量分离的光子能量。这将在半导体中产生净非平衡自旋取向具有适当的自旋偏振光学跃迁的系统。当系统松弛时，会有一个优先的自旋方向，这将表现为PL中两个圆螺旋度(I+(−))之间的强度差。通过计算圆极化度，可以直接读出自旋极化，P = (I+−I−)/(I+ + I−)。描述半导体P的稳态速率方程为：式中P0为激发时圆偏振度。τr和τs分别为复合寿命和自旋寿命。这种极化可以在磁场中进一步研究。事实上，对于相对于样品施加的面外场，塞曼效应将分裂自旋水平。这导致读出偏振不平衡，即使是线偏振光，这一结果可用于研究磁场与材料中载流子自旋的耦合程度。注意，复合寿命与自旋寿命的比值决定了在半导体 ...
和InTe的带隙在2.0 - 3.3 eV之间(图2)。在单分子层极限下，III-VI单硫族化合物具有准间接带隙，主要价带呈火山口形状。这种形状导致价带蕞大值与Γ点略有偏离。进一步的复杂性可以通过考虑SOC效应的扰动来获得，这在GaSe和InSe中已经得到了广泛的研究。原子荷电性导致自旋态分裂和能带混合，而晶体对称性产生的荷电性会导致额外的自旋分裂并影响自旋弛豫。当考虑N(层数)大于时，这些系统的复杂性会加深。层序和层数可以改变带隙，改变初级价带形状，诱导铁电，调节自旋弛豫。其他效应，如铁磁性，预测由于广泛的空穴掺杂。总的来说，III-VI单硫属化合物的带结构引起的光自旋现象是有趣的，还有很多 ...
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