试固体物质的晶格能的振动特性，可帮助我们从微观的角度来分析其微观特性，并且在固有属性和结构-性质规则方面提供更多的创新视角。拉曼光谱通过使用XperRam Compact（Nanobase）光谱仪在室温下进行测试，所用激发光源为633nm。NMS陶瓷晶体的拉曼散射光谱如图1所示，图1（a）所示样品的拉曼峰都很相似，基线都很平坦，并且振动峰都很尖锐。根据群论分析结果，空间群为P21/n的晶体应该有24个拉曼有源振动模式（12Ag+12Bg）。然而，在实际的拉曼峰中，只有12个峰被检测到，这是因为拉曼有源峰的叠加以及设备分辨率的影响。在100-270cm-1位置处，主要是由于A-位点阳离子（Nd3 ...
播到界面，向晶格的热弛豫较低，这意味着金属/二氧化硅界面处的声子转移较弱。另一方面，在非贵金属中，声子转移增加并在界面处达到重要的温度。这些金属中重要的电子-声子耦合导致晶格的大的热弛豫。尽管铂和铬薄膜具有很强的电子-声子耦合，但到达金属/二氧化硅界面的最高声子温度是在铝界面获得的。这是由于铝的热容量低于铬和铂(见表一)。根据图3中的插图，代表所考虑的6种材料在最初300 ps期间的金属/二氧化硅界面声子温度。铝和铬膜具有一个重要的特征:与其他金属相比，界面声子温度在更短的时间(40 ps)内弛豫(表1中的值)。金属/二氧化硅界面上的这种快速弛豫导致向目标层的快速声子传输。因此，铝膜的热行为， ...
致MoTe2晶格对称性的选择性的轻微破坏。图1 在532nm激发光下的纯的MoTe2, 1% Fe-MoTe2，2% Fe-MoTe2和5% Fe-MoTe2拉曼光谱图图2（a）显示了具有代表性样品的2% Fe-MoTe2的HRTEM（高分辨透射电镜）显示了连续的平面间距为0.305nm，其对应于2H-MoTe2的（100）晶格平面。并且四个不同地区相对应的快速傅里叶转换（FFT）研究了微量Fe离子掺杂的掺杂后对MoTe2晶格的影响。傅里叶图中①和④的区域现实了单晶MoTe2的六方结构，但是在傅里叶转化图②和③的区域内涌现出了杂质相，表明引入的Fe离子的尺寸，此结果从微观结构上直观的说明了Fe ...
m)的硅锗超晶格的热导率。ASOPS的另一个重要特性是探测速率可以比泵浦速率慢很多倍，fpump = nf probe+δf，其中n是整数。这使得能够以慢得多的采集速率对超快现象进行采样。例如，Pradere等人使用这种技术，使用红外相机以仅25 Hz的采集速率对30 KHz的热波进行采样。您可以通过我们的官方网站了解更多的产品信息，或直接来电咨询4006-888-532。 ...
致MoTe2晶格对称性的选择性的轻微破坏。图1 在532nm激发光下的纯的MoTe2, 1% Fe-MoTe2，2% Fe-MoTe2和5% Fe-MoTe2拉曼光谱图图2（a）显示了具有代表性样品的2% Fe-MoTe2的HRTEM（高分辨透射电镜）显示了连续的平面间距为0.305nm，其对应于2H-MoTe2的（100）晶格平面。并且四个不同地区相对应的相对应的快速傅里叶转换（FFT）研究了微量Fe离子掺杂的掺杂后对MoTe2晶格的影响。傅里叶图中①和④的区域现实了单晶MoTe2的六方结构，但是在傅里叶转化图②和③的区域内涌现出了杂质相，表明引入的Fe离子的尺寸，此结果从微观结构上直观的说 ...
的论文“用超晶格在半导体中放大电磁波的可能性”中提出的。在块状半导体晶体中，电子可能占据两个连续能带中的一个——价带，其中大量填充着低能电子；导带，其中少量填充着高能电子。这两个能带被一个带隙隔开，在这个带隙中没有允许电子占据的状态。传统的半导体激光二极管，当导带中的高能量电子与价带中的空穴重新结合时，通过单个光子发出光。因此，光子的能量以及激光二极管的发射波长由所使用的材料系统的带隙决定。然而，QCL在其光学活性区不使用块半导体材料。相反，它由一系列周期性的不同材料组成的薄层组成，形成一个超晶格。超晶格在整个器件的长度上引入了一个变化的电势，这意味着在器件的长度上，电子占据不同位置的概率是变 ...
辐射是通过超晶格量子阱[1]内能级间的子带间跃迁来实现的。自1994年首次实验演示以来，QCL技术得到了巨大的发展。这些性能水平是结构设计、材料质量和制造技术不断改进的结果[3-5]。目前，它正在成为中红外(中红外)和太赫兹(太赫兹)频率范围内的激光源，并在气体传感、环境监测、医疗诊断、安全和国防[6]中有许多应用。西北大学量子器件中心(CQD)的目标是推进光电技术，从紫外到太赫兹光谱区域。这包括基于III-V半导体的许多不同技术的发展[7,8]。自1997年以来，CQD在量子级联激光器QCL的发展上投入了相当大的努力，特别是在功率、电光转换效率(WPE)、单模操作、调谐和光束质量方面，推动Q ...
，称为可以在晶格中自由运动的自由电子，而原共价键中出现一个空位，称为空穴。自由电子和空穴都是载流子，载流子则是可以运输电流的载体。由于本征半导体导电性较差，因此为了提高其导电性会在其中掺入少量杂质，形成杂质半导体。半导体PN结则是由一个P型半导体和N型半导体组合而成。N型半导体：N型半导体是在纯净的硅晶体中掺入五价元素（磷和砷）组成的。杂质中四个价电子与硅组成共价键，剩余一个称为自由电子（载流子）。因此N型半导体中载流子是自由电子。P型半导体：P型半导体是在硅中掺杂三价元素（硼）组成的。它和硅中价电子组成共价键时由于缺少一个价电子，从而形成空穴（载流子）。因此P型半导体中的载流子是空穴。将P型 ...
结构和基底的晶格常数都是很重要的因子。Al2O3和GaN都具有六方原子结构，其和MoS2的六方结构很相似。如果基底的晶格常数可MoS2的晶格常数很好的匹配，然后MoS2的单畴可能倾向于少于晶界的方向直线排列。Al2O3和GaN的晶格常数分别为4.76Å和3.18Å，并且和MoS2薄膜的晶格常数3.17Å做比较。因此，Al2O3的晶格常数和MoS2的不匹配，然而却可以和GaN相匹配。图1. （a）和（b）得到了在SiO2基底上合成MoS2薄膜的拉曼光谱频率成像图，表明E_2g^1和A_1g峰分别在384cm-1和405cm-1处；（c）和（d）在特定频率下的拉曼强度图谱图2（a）-（c）显示了在 ...
子到斯格明子晶格的磁性相变。使用原位磁光克尔成像，畴变换的广义描述与 FORC 分布峰在其反转场和扫描场的相关联的导出允许从 FORC 图进行直接分析。在分析中通常被忽略的峰的扫描场被认为是畴传播或成核向终端畴分离的过程。这个流程发现在诱导磁化不可逆性以揭示域转换方面是必不可少的。此外，还开发了一个以 FORC 分布峰为特征的模型，以描述从孤立的斯格明子到斯格明子晶格相的转变，并确定转变的重要场范围。这个研究为 FORC 分布的其他抽象数据建立了一种直观的分析形式，用于表征斯格明子活跃场中的磁性斯格明子8.用于赛道存储器中畴壁钉扎的倾斜磁化Tilted magnetisation for do ...
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