学谐振腔中的载流子和光子密度非常高，内部调制行为表现出更高的阻尼，因此低寄生对VCSELs尤为重要。因此，VCSELs的特点是具有较小的松弛振荡超调，可以补偿寄生滚转。在图3中，可以在很宽的温度范围内确定优越的调制性能。如图3(a)所示，3dB带宽在25℃时超过12GHz，在55℃时为11GHz，在85℃时为10GHz，如图3(b)所示。散点代表测量数据，而绘制的穿过线拟合到公式(1)，可以提取如图4所示的内在参数。在这里，我们展示了先前和改进设计的阻尼率与共振频率fR平方的关系，提取了-因子和阻尼偏移。通过速率方程分析，我们可以发现如下的相互关系：包括光子寿命、约束因子、增益、增益导数和随载 ...
致较低的自由载流子吸收，这通常是QCL器件中大部分波导损耗的原因。在这种相对较低的掺杂水平下，由于缺乏非常精确的校准工具，可能很难将不同基团之间的掺杂水平相关联，因此估计活性区掺杂水平的一种方便方法是比较QCL结构中的Max隧道电流，因为它与注入器中的掺杂水平成正比实际上，在本研究中，Max隧穿电流密度约为1.35 kA/cm2，表明本研究中结构的掺杂水平要低得多；这与本文文献12中的3.8 cm−1和1.84 cm−1的内部损耗是一致的——遗憾的是，文献中没有光损耗报告。zui终，较低的光损耗导致室温连续波阈值电流密度较低，约为0.83 kA/cm2，而相关文献分别为1.53 kA/cm2和 ...
理性能，如高载流子迁移率、可调带隙、强光吸收率和柔韧性。其中，MoS2具有可调谐的带隙，这使得它比石墨烯具有更广泛的应用。随着层数的减少，MoS2的带隙从块状的1.29eV增加到单层的1.9eV，并变为直接带隙。由于原子薄二硫化钼的直接带隙和强激子性质，观察到强烈的光-物质相互作用。此外，这种材料在原子厚度上表现出优异的机械柔韧性。这些特性使二硫化钼在光电应用，特别是光电探测器方面表现出巨大的优势。近年来，人们利用微机械剥离和化学气相沉积法（CVD）制备MoS2薄膜的光电探测器进行了大量的研究。然而，微机械剥离的成品率低和可扩展性差阻碍了MoS2光电探测器的实际应用。CVD被认为是合成大面积M ...
e膜中产生的载流子的高分离效率。图3.Bi2Te3和Bi2O2Te的拉曼光谱在制备过程中，从Bi2Te3到Bi2O2Te的转变也可以在拉曼光谱上观察到，如上图所示。Bi2Te3的经典拉曼位移显示在图的下部显示了在62.7、93.4、124.1和140.3 cm-1处的四个拉曼峰，对应于Bi2Te3的A11g，E2g，A1u和A21g，与Bi2Te3相比，图3上部的拉曼光谱在较高波数处显示了几个新的峰值，例如300.7 cm-1（B1g）和433.6 cm-1(E2g），都是Bi2O2Te的特征峰值，而在低波数处的那些峰值已经变得模糊。表明通过这种低温工艺，可以有效的将Bi2Te3转化为Bi2O ...
和平衡电荷-载流子传输现象。理想情况下，空穴界面层应（i）易于制造，（ii）在表面能方面与PEDOT：PSS HTL和活性层兼容，（iii）具有能级适合的分子轨道（HOMO），以及（iv）表现出良好的导电性和高空穴传输率。从这个角度来看，石墨烯（Gr）因其可调功函数和良好的电导率，比许多二维（2D）材料更受青睐。使用商业化学气相沉积（CVD）石墨烯被认为是成功阻止PEDOT：PSS中酸性PSS组分渗透的有利选择。然而，高电导率和电子空穴以及良好的电荷亲和力反而会干扰器件中的电荷传输。石墨烯的sp 2平面内碳的惰性性质不适合接受和传输空穴，导致在临近界面的有机活性层处产生相当大比例的电荷复合。为 ...
化造成介质中载流子浓度变化，以及吸收因子变化，此外温度还会影响内部FP腔的参数。温度对LD输出频率影响非常大，如用于数据存储应用（CR-R刻录机）的典型AlGaAs二极管在25℃时的标称波长为λ=784nm，dλ/dT斜率为-0.3nm/℃。LD的温度一般由反馈式温控系统控制，而且导热材料温度变化一般较慢。正因为温度调制的灵敏度太高，容易失调，并且相应速度较慢，在激光器中一般只保持稳定。如MOGLabs的外腔半导体激光器采用TEC温控，并内置温度传感器，可以将温度稳定在±1mK（根据控制器）。PZT电压在外腔反馈激光器中，使用PZT（压电陶瓷）控制光栅的旋转，从而控制激光输出的波长。小信号调制 ...
原因包括自由载流子和子带间吸收导致的光损耗增加，以及材料中波长增加导致的光约束减少。事实上，根据αel ~ λn，自由电子吸收随波长的增加而增加，其中功率依赖性在n = 2 ~ 3范围内，而随着跃迁能量的降低，子带间吸收变得更强，这是由于活性材料注入/弛豫区低能态之间的跃迁所需的动量交换比高能跃迁更小。对于光约束，如果考虑有效折射率近似为n = 3.2的材料中的波长，则λ = 4.5 μm和λ = 10 μm的自由空间激光波长分别可以估计出λ/n = 1.4和3.1 μm。由于器件的几何形状以及制造和设计的限制，典型的主动导芯厚度在DAR = 1.5 ~ 2.5 μm范围内。因此，λMWIR/ ...
效的自旋极化载流子将进一步减少。而SOT通常只有在重金属厚度大于自旋扩散长度时才表现出明显的自旋霍尔效应。检测到的动态DW运动可能归因于RKKY有效场与SAF中内置的层间耦合场之间的竞争。简单地说，当脉冲电流产生焦耳加热调制RKKY有效场时，作用在DW上的有效场的振幅和极性都会发生变化，从而驱动DW的往复运动。如图3a所示，在环境下，RKKY有效场随外加电流的变化而变化。电流对RKKY有效场有显著的调节作用，呈抛物线相关。此外，我们还发现RKKY有效场与电流的平方呈线性关系，并证实了电流产生的焦耳热在调整RKKY相互作用中起着直观而关键的作用。从图3b可以进一步看出，非焦耳热致转矩场强度小于5 ...
由于其优越的载流子迁移率和在原子尺度厚度上的有效静电栅能控性，TMDs和Xene将是下一代电子领域很有前途的候选者。然而当前二维材料的合成技术依旧面临技术挑战（例如，晶片规模均匀性，可靠的批量生产和不影响结晶度的较低的合成温度），高保质量合成和包括硅基其他2D材料的异质材料合成方法，是解锁这些材料的潜力在科学和技术领域的必要途径。目前原子层沉积（ALD）由于其特殊的厚度均匀性/可控性，广泛应用于半导体制造中沉积非晶高k介质，，成为一种理想的薄膜生产技术。低温制备，和优良的步骤能够覆盖任何的非平面几何器件。因此，将ALD的技术成为制备2D vdW材料有前途的方法。然而，原子层沉积的2D（ALD- ...
谐带隙、超高载流子迁移率和强烈的光物质相互作用。此外，二维vdW异质结构为研究拓扑结构、超晶格、和层间库仑相互作用的影响提供了新的途径。然而，与简单的单层相比，二维vdW多层在相邻层之间具有vdW间隙，扰乱了层间电荷效率，从而导致这些多层在平面内和平面外载流子输运的各向异性。在存在静电偏置相关的层间电阻的情况下，以往的研究通过考虑Thomas-费米电荷屏蔽长度和厚度相关的载流子迁移率，进而描述了二维多层膜的复杂载流子输运。例如，在一个传统的背栅结构，由于层间电阻和层依赖的平面内载流子迁移率之间的相互作用，层间电导率z高的层从底表面向顶表面移动。这就引发了载流子沿着厚度的空间再分布。此外，zui ...
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