)泵浦脉冲、载流子寿命和所选探测器的限制。大多数商业上可用的太赫兹时域光谱仪(THz-TDS)使用PCA结合离轴抛物面镜(OAPMs)作为基础。紧凑和坚固的THz-TDS的应用迅速从第1个报道的水汽吸收表征的用例扩展到其他研究学科,甚至包括(艺术)保护和考古学。到目前为止,对于THz-TDS成像,只报道了多像素探测器的原型;图像采集需要对样本进行连续扫描,但不能提供实时数据。然而,扫描THz-TDS为工业应用中太赫兹成像的适应铺平了道路。g.漆面厚度测定方法。由于PCA的广泛应用,太赫兹成像非常有吸引力。例如,斯坦切夫等人。使用PCA进行实时单像素成像。他们通过数字微镜设备调制太赫兹波束的方法 ...
减轻了与侧向载流子扩散相关的挑战,并且避免了样品粗糙度引起的伪像问题,这些问题在逐点成像方法中经常遇到。此外,根据物镜的放大倍数,记录的图像可以跨越几平方毫米,从而便于全面分析。这里呈现的mapping是在激光zui大激发功率下记录的。而在较弱激励水平下发现的映射显示出均匀的空间行为(未示出),我们在这里观察到轻微的空间变化。在接触点和样品边缘附近的映射显示zui小值,在(1.167±0.010eV)之间的映射显示zui大值。zui大值和zui小值的差值在系统误差范围内,但可以在7±2meV下相对评估。尽管发现了轻微的空间变化,但我们注意到与同时测量的1.15V开路电压很吻合,验证了接触处Δµ ...
o)可以激发载流子种群。当这个种群松弛时,每个载流子都有相同的机会落在任意一个自旋状态,因为这些状态在能量上是简并的。这导致没有净自旋不平衡(无Polz),并表现为等量的圆极化发射(σ+(−))。当施加磁场时,由于塞曼效应,自旋能级被分裂,导致自旋能级在能量上分离(塞曼)。当这种情况发生时,更多的载流子将放松到能量较低的自旋态。这就产生了相反螺旋度的发射PL之间的强度差异。然而,这两个都不是自旋的取向是由偏振光和自旋的耦合驱动的。如果在没有磁场存在的情况下,圆偏振光入射产生净自旋不平衡,并且在初始快速弛豫后可以观察到圆发射之间的强度差异,则自旋优先定向到一个自旋状态。在第三种情况下,圆偏振光将 ...
的变化会导致载流子浓度的变化,从而引起材料折射率和增益系数的改变,也会使激光器的发射波长以阶梯形式跳跃变化。而MOGLabs的激光器控制器可以很好的解决这一问题,它是一款超低噪声半导体激光器控制器,一款集电流控制、温度控制、频率锁定等功能为一体的ECDL控制器,集八大功能于一体,提供用于驱动ECDL激光器和将其锁定到外部参考源的重要部件。每一台DLC控制器都包括:微分低噪声探测器,700kHz带宽;超低噪声二极管电流源,< 100pA/√Hz,直流至1MHz;带有珀尔帖TEC驱动的温度控制器;扫描振荡器;一对高压压电驱动;解调器(锁相放大器);微分光电探测器;交流调制源;伺服反馈回路滤波 ...
性,例如电荷载流子寿命长、扩散长度长、光吸收强 (104–105cm-1)、宽光谱范围 (1.2–3.0eV) 的带隙可调谐性、极低的缺陷密度和高缺陷容限、低电压损耗以及光子回收,使它们对光伏应用具有吸引力。近年来,实验室规模的PSCs经历了功率转换效率的巨大提升,达到25%以上,这在晶体硅基太阳能电池效率的范围内。然而,由于工艺的可转移性和钙钛矿薄膜质量的下降,PSC的效率正在从实验室规模下降到大规模钙钛矿太阳能组件(PSM),这限制了商业化,从而限制了PSC的实际应用。薄膜的激光图案化及其在PSM单片串联互连中的应用。证明无论钙钛矿层堆栈的详细配置如何,基于激光的图案化的成功都是基于精确控 ...
持黑暗,导致载流子向这些区域横向扩散。全局照明避免了由于局部照明引起的载流子复合。使用全局成像时生成的等势体防止了电荷向更暗区域扩散。用于全局成像模式的均匀照明使得在现实条件下进行PL实验成为可能,z低可达一个相当于太阳功率密度。预计仪器激发强度波动可达13%。激发辐照度的变化将带来PL发射的比例变化,使这种效应易于识别。此外,在仪器软件的辅助下,这些效应将减少到可以忽略的min程度。图1(a)展示了在CIGS沉积前,P1划线和P2激光划线区域的光学显微照片和PL显微照片在同一位置的直接比较。正如预期的那样,P2激光槽周围的金属化区域没有PL发射。关于P1烧蚀线上的CIGS材料的PL空间均匀性 ...
范围远超光生载流子的迁移距离,可以很容易地理解SR热效应内的CIGS区域不再是光活性的。作为参考,Brown通过电子束诱导电流(EBIC)报告了0.30到0.52μm的少数载流子扩散长度。相应地,Delamarre使用宽带可调激光的光束诱导电流(LBIC)装置绘制了1.09μm(标准偏差为0.10μm)的载流子扩散长度。上述陈述可以通过以下事实进一步解释:CIGS的部分损伤不会完全耗尽光致辐射复合,而只会抑制它。热诱导缺陷的逐渐增加将通过非辐射能量耗散途径(如热或红外辐射)逐渐抑制光致辐射复合。在这方面,Schultz报告了图形线边缘的CIGS成分的激光诱导变化,也是短程距离。借助能量色散X射 ...
qcl中快速载流子动力学的研究。我们研究了中红外探测脉冲通过飞秒近红外泵浦脉冲调制的QCL的传输。与以往在低温下使用光子能量高于量子阱(QW)带隙的近红外脉冲调制QCL不同,我们比较了在室温下光子能量低于和高于0.77 eV (1.6 lm)的InGaAs QW带隙的两种不同的近红外泵对QCL传输的调制。当光子能量高于QW带隙时,电子将从价带被激发到导带,然后通过带间跃迁放松回价带。当泵浦光子能量低于QW带隙时,由于光子没有足够的能量,将不会发生带间跃迁。相反,在传导带较低的子带中的电子将被激发到较高的子带或连续区。直接测量谐振中红外脉冲的传输变化提供了有关QCL增益调制的信息。图1(a)显示 ...
可以降低透明载流子密度,提高(差分)增益,从而实现高速运行。为了降低空间电荷区的寄生电容,降低了InP-regrowth层的掺杂水平,从而有力地降低了器件的寄生。对于有源直径为5μm的器件,室温下的光输出功率超过2mw,80℃时的光输出功率超过0.8mW(图1.b)。应该指出的是,由于减少了散热量,在大信号调制下,热滚转转移到更高的电流。阈值电流分别低至1ma和2ma。由于这些器件的高耦合效率高达60%,因此可以实现高光纤耦合功率幅值。频谱显示单模工作,侧模抑制比在滚转电流下超过40dB。图1 (a)短腔VCSEL截面示意图(b)25°C和80°C时的l-i特性;25℃下的光谱,IDC=14m ...
学谐振腔中的载流子和光子密度非常高,内部调制行为表现出更高的阻尼,因此低寄生对VCSELs尤为重要。因此,VCSELs的特点是具有较小的松弛振荡超调,可以补偿寄生滚转。在图3中,可以在很宽的温度范围内确定优越的调制性能。如图3(a)所示,3dB带宽在25℃时超过12GHz,在55℃时为11GHz,在85℃时为10GHz,如图3(b)所示。散点代表测量数据,而绘制的穿过线拟合到公式(1),可以提取如图4所示的内在参数。在这里,我们展示了先前和改进设计的阻尼率与共振频率fR平方的关系,提取了-因子和阻尼偏移。通过速率方程分析,我们可以发现如下的相互关系:包括光子寿命、约束因子、增益、增益导数和随载 ...
或 投递简历至: hr@auniontech.com