区的单个电荷载流子随后在偏置场中被放大为电子雪崩，即所谓的雪崩击穿，如图1(b)所示。这些雪崩可以被检测为强电流尖峰。图1 单光子雪崩二极管的示意图 （a）用作SPAD的穿透p+-π-p-n+APD结构的截面，包括反向电压下的空间电荷分布。右边的图显示了电场的强度。p+和n+区域是重掺杂的。（b） 反向电压下SPAD中的电荷载流子倍增漂移过程由VOP驱动，并受到载流子与半导体晶格碰撞的限制。当电子到达倍增区时，一个具有高电场|−→E（−）|的薄p−n+结，通过重复的冲击电离产生一个具有数百万二次电子的雪崩。在apd中，放大随着反向偏置VOP的增加而增加。如果VOP高于击穿电压Vbreak，放大 ...
）泵浦脉冲、载流子寿命和所选探测器的限制。大多数商业上可用的太赫兹时域光谱仪（THz-TDS）使用PCA结合离轴抛物面镜（OAPMs）作为基础。紧凑和坚固的THz-TDS的应用迅速从第1个报道的水汽吸收表征的用例扩展到其他研究学科，甚至包括（艺术）保护和考古学。到目前为止，对于THz-TDS成像，只报道了多像素探测器的原型；图像采集需要对样本进行连续扫描，但不能提供实时数据。然而，扫描THz-TDS为工业应用中太赫兹成像的适应铺平了道路。g.漆面厚度测定方法。由于PCA的广泛应用，太赫兹成像非常有吸引力。例如，斯坦切夫等人。使用PCA进行实时单像素成像。他们通过数字微镜设备调制太赫兹波束的方法 ...
减轻了与侧向载流子扩散相关的挑战，并且避免了样品粗糙度引起的伪像问题，这些问题在逐点成像方法中经常遇到。此外，根据物镜的放大倍数，记录的图像可以跨越几平方毫米，从而便于全面分析。这里呈现的mapping是在激光zui大激发功率下记录的。而在较弱激励水平下发现的映射显示出均匀的空间行为(未示出)，我们在这里观察到轻微的空间变化。在接触点和样品边缘附近的映射显示zui小值，在(1.167±0.010eV)之间的映射显示zui大值。zui大值和zui小值的差值在系统误差范围内，但可以在7±2meV下相对评估。尽管发现了轻微的空间变化，但我们注意到与同时测量的1.15V开路电压很吻合，验证了接触处Δµ ...
o)可以激发载流子种群。当这个种群松弛时，每个载流子都有相同的机会落在任意一个自旋状态，因为这些状态在能量上是简并的。这导致没有净自旋不平衡(无Polz)，并表现为等量的圆极化发射(σ+(−))。当施加磁场时，由于塞曼效应，自旋能级被分裂，导致自旋能级在能量上分离(塞曼)。当这种情况发生时，更多的载流子将放松到能量较低的自旋态。这就产生了相反螺旋度的发射PL之间的强度差异。然而，这两个都不是自旋的取向是由偏振光和自旋的耦合驱动的。如果在没有磁场存在的情况下，圆偏振光入射产生净自旋不平衡，并且在初始快速弛豫后可以观察到圆发射之间的强度差异，则自旋优先定向到一个自旋状态。在第三种情况下，圆偏振光将 ...
的变化会导致载流子浓度的变化，从而引起材料折射率和增益系数的改变，也会使激光器的发射波长以阶梯形式跳跃变化。而MOGLabs的激光器控制器可以很好的解决这一问题，它是一款超低噪声半导体激光器控制器，一款集电流控制、温度控制、频率锁定等功能为一体的ECDL控制器，集八大功能于一体，提供用于驱动ECDL激光器和将其锁定到外部参考源的重要部件。每一台DLC控制器都包括：微分低噪声探测器，700kHz带宽；超低噪声二极管电流源，< 100pA/√Hz，直流至1MHz；带有珀尔帖TEC驱动的温度控制器；扫描振荡器；一对高压压电驱动；解调器（锁相放大器）；微分光电探测器；交流调制源；伺服反馈回路滤波 ...
性，例如电荷载流子寿命长、扩散长度长、光吸收强 （104–105cm-1）、宽光谱范围 （1.2–3.0eV） 的带隙可调谐性、极低的缺陷密度和高缺陷容限、低电压损耗以及光子回收，使它们对光伏应用具有吸引力。近年来，实验室规模的PSCs经历了功率转换效率的巨大提升，达到25%以上，这在晶体硅基太阳能电池效率的范围内。然而，由于工艺的可转移性和钙钛矿薄膜质量的下降，PSC的效率正在从实验室规模下降到大规模钙钛矿太阳能组件（PSM），这限制了商业化，从而限制了PSC的实际应用。薄膜的激光图案化及其在PSM单片串联互连中的应用。证明无论钙钛矿层堆栈的详细配置如何，基于激光的图案化的成功都是基于精确控 ...
持黑暗，导致载流子向这些区域横向扩散。全局照明避免了由于局部照明引起的载流子复合。使用全局成像时生成的等势体防止了电荷向更暗区域扩散。用于全局成像模式的均匀照明使得在现实条件下进行PL实验成为可能，z低可达一个相当于太阳功率密度。预计仪器激发强度波动可达13%。激发辐照度的变化将带来PL发射的比例变化，使这种效应易于识别。此外，在仪器软件的辅助下，这些效应将减少到可以忽略的min程度。图1(a)展示了在CIGS沉积前，P1划线和P2激光划线区域的光学显微照片和PL显微照片在同一位置的直接比较。正如预期的那样，P2激光槽周围的金属化区域没有PL发射。关于P1烧蚀线上的CIGS材料的PL空间均匀性 ...
范围远超光生载流子的迁移距离，可以很容易地理解SR热效应内的CIGS区域不再是光活性的。作为参考，Brown通过电子束诱导电流（EBIC）报告了0.30到0.52μm的少数载流子扩散长度。相应地，Delamarre使用宽带可调激光的光束诱导电流（LBIC）装置绘制了1.09μm（标准偏差为0.10μm）的载流子扩散长度。上述陈述可以通过以下事实进一步解释：CIGS的部分损伤不会完全耗尽光致辐射复合，而只会抑制它。热诱导缺陷的逐渐增加将通过非辐射能量耗散途径（如热或红外辐射）逐渐抑制光致辐射复合。在这方面，Schultz报告了图形线边缘的CIGS成分的激光诱导变化，也是短程距离。借助能量色散X射 ...
qcl中快速载流子动力学的研究。我们研究了中红外探测脉冲通过飞秒近红外泵浦脉冲调制的QCL的传输。与以往在低温下使用光子能量高于量子阱(QW)带隙的近红外脉冲调制QCL不同，我们比较了在室温下光子能量低于和高于0.77 eV (1.6 lm)的InGaAs QW带隙的两种不同的近红外泵对QCL传输的调制。当光子能量高于QW带隙时，电子将从价带被激发到导带，然后通过带间跃迁放松回价带。当泵浦光子能量低于QW带隙时，由于光子没有足够的能量，将不会发生带间跃迁。相反，在传导带较低的子带中的电子将被激发到较高的子带或连续区。直接测量谐振中红外脉冲的传输变化提供了有关QCL增益调制的信息。图1(a)显示 ...
可以降低透明载流子密度，提高（差分）增益，从而实现高速运行。为了降低空间电荷区的寄生电容，降低了InP-regrowth层的掺杂水平，从而有力地降低了器件的寄生。对于有源直径为5μm的器件，室温下的光输出功率超过2mw，80℃时的光输出功率超过0.8mW（图1.b）。应该指出的是，由于减少了散热量，在大信号调制下，热滚转转移到更高的电流。阈值电流分别低至1ma和2ma。由于这些器件的高耦合效率高达60%，因此可以实现高光纤耦合功率幅值。频谱显示单模工作，侧模抑制比在滚转电流下超过40dB。图1 (a)短腔VCSEL截面示意图(b)25°C和80°C时的l-i特性；25℃下的光谱，IDC=14m ...
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