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SEL与增强调制带宽和温度范围-调制性能与高温操作调制性能由于光学谐振腔中的载流子和光子密度非常高，内部调制行为表现出更高的阻尼，因此低寄生对VCSELs尤为重要。因此，VCSELs的特点是具有较小的松弛振荡超调，可以补偿寄生滚转。在图3中，可以在很宽的温度范围内确定优越的调制性能。如图3(a)所示，3dB带宽在25℃时超过12GHz，在55℃时为11GHz，在85℃时为10GHz，如图3(b)所示。散点代表测量数据，而绘制的穿过线拟合到公式(1)，可以提取如图4所示的内在参数。在这里，我们展示了先前和改进设计的阻尼率与共振频率fR平方的关系，提取了-因子和阻尼偏移。通过速率方程分析，我们可以 ...
控制，泵浦源调制带宽>100 kHz。激光器输出光束被分成两路，一路与1550nm赫兹量级线宽连续激光器拍频，得到激光器某一个梳齿的相位噪声信息；另一路用于载波包络相位零频探测，首先通过一个色散补偿光纤(PM-DCF)，然后通过两级功率放大和光栅对压缩脉冲，产生脉宽260fs、平均功率3.3W激光脉冲。随后脉冲被送入约30cm长ND-HNLF，根据FROG测量结果，其脉冲宽度小于70fs，平均功率1.8 W，峰值功率约为13kW。然后连接~ 30厘米长HNLF产生倍频程频谱，波长覆盖从970~2200nm。用PPLN晶体对2000nm波段进行倍频后与1000nm基频光一同输入共线f-to ...
动态范围和高调制带宽。通过使用快、慢压电传感器（PZTs）或电光调制器（EOMss），用于控制的光学参考锁相（ 稳定性）方案显然已经成熟[20-24]，因此可以在超过10 kHz的频率范围内抑制相位噪声。该方案可以支持一个sub-MHz的响应带宽[23]。传统的稳定其他自由度的方法是通过泵浦电流调制[24-27]或腔外声光调制器[20,28,29]反馈误差信号来调节泵浦功率。可实现的带宽已扩展到100 kHz以上。受激寿命的长短主要取决于激光腔的增益和腔体的设计。然而，在许多应用中，降低在高频区域的快速相位波动是必要的，如标准传输[30,31]和高谐波产生[32,33]。为了抑制的快速相位波动 ...
i大限度利用调制带宽。这是必要的，因为AOD通常在升频的次倍频通带上工作，以避免谐波干扰。用于驱动AOD的射频频率梳的直接数字合成（DDS）定义了每个像素的激发，而这是通过特定的射频和相位决定的，从而导致射频频率梳与检测信号之间的相位相干性。而这种相位相干性可以使用相敏数字锁相放大器的并行阵列使得图像多路分解，这可以在Matlab中实现。FIRE的并行读出将导致zui大像素速率等于AODF的带宽。图2显示了FIRE显微镜的典型输出。检测到的时域信号(图2a)是来自一排像素的射频标记发射的傅里叶叠加。使用短时傅里叶变换计算的时间分辨频谱(图2b)揭示了样本在水平行内位置相关的频率成分。而样本的垂 ...
10THz的调制带宽，实验表明调制速度接近1THz。电光调制器的频率相关传递函数可由下式表达式中，l、ωRF、nRF、no分别为电光调制器长度、射频频率、射频折射率、光学折射率。对于我们目前正在生产的使用铌酸锂厚度为600 nm的非好相位匹配器件，图2显示了不同长度器件的归一化调制响应∣TRF∣2作为调制频率的函数。使用我们目前的600 μm长器件，理论带宽接近600 GHz。图2所示。计算了不同器件臂长TFLN(厚度为600 nm)调制器的调制带宽。对于微环结构，生产了两种类型的器件。图1(b)显示了一个简单的环形结构耦合到波导。对间隙进行了优化，以实现临界耦合。将激光波长调整到接近器件的共 ...
纪录高小信号调制带宽和25Gb/s的数据速率。因此，这些设备可以很好地作为100G以太网解决方案中独特的低成本和高数据速率激光源。更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站www.auniontech.com了解更多的产品信息，或直接来电咨询4006-888-532。 ...
用于10G以太网的1.3μm InGaAsInP VCSEL在1.3µm波长范围内发射的垂直腔面发射激光器（VCSELs）已经达到一定程度的成熟，可以进入工业应用。光通信模块中更小的外形尺寸和更低的功耗标准增加了对新一代超低功率长波激光器的需求。在IEEE 802.3ae推荐中找到10GBASE-LR（远程）标准，描述了10G以太网在1.3µm的10G以太网，在10km的广泛部署的标准单模光纤（SMF）的链路上。对于10GBASE-SR（短距离）标准，850nm VCSELs已经被用作具有成本效益的光源。近年来，为了提高VCSEL在1.3µm波长下的性能，人们做了很多努力，包括晶圆熔接器件和含 ...
们首次进行了调制带宽超过10GHz的1.55um VCSEL阵列的数据传输实验，并提出了一种新的可扩展带宽升级的应用方案。设备结构本研究所采用分子束外延法在InP衬底上生长了所研究的激光器。基本结构是先前发表的高速1.55um VCSEL结构，单片集成到一维阵列结构中，光刻定义的间距为250um。对于高带宽的电信应用，保持较低的寄生电容是必不可少的。这导致如图1所示的结构，具有10um厚的低介电常数钝化苯并环丁烯，市售名称为Cyclotene 3022-57。该装置本身只有30um宽。芯片的p侧触点可以在设备的顶部和底部进行访问，以实现各种安装方式。在制造过程中，去除InP衬底，并集成电镀金散 ...
.5GHz的调制带宽。对于大于3mA的偏置电流，可以找到高于7ghz的平坦调制带宽，足以以10Gb/s的速度传输数据。这些结果适用于VCSEL阵列中的所有激光器。请注意，对于4毫安以上的潜水电流，带宽和输出功率几乎是平坦的。VCSEL阵列的频率响应和调谐特性在3mA偏置电流以上，带宽足以达到10Gb/s测量了两种波长分别为1550nm和1570nm的CWDMVCSEL阵列的调谐特性。图4(a)显示了在室温下未冷却得到的结果。带宽升级的VCSEL特性：(a)两个CWDMVCSEL阵列(b)高速VCSEL的谐振频率与驱动电流高于阈值的平方根的调谐特性在图4(b)中，共振频率与高于阈值的驱动电流的平 ...
用。1.1 调制带宽太赫兹频率调制的关键技术是目前正在开发的薄膜铌酸锂技术。使用薄膜铌酸锂，可以完美地相位匹配太赫兹波信号和光信号，实现高达几十太赫兹的调制速度是可行的。这种相位匹配之所以可能，是因为太赫兹信号的有效折射率（由于其波长很长）不受亚微米厚的铌酸锂薄膜的影响。太赫兹波信号的有效折射率几乎等于二氧化硅（或石英基底）的折射率。石英在太赫兹频率下的折射率约为2。另一方面，对于波长较小的光信号(即1.55 um)，导模的有效折射率接近铌酸锂的光学折射率，也近似等于2。因此，在薄膜铌酸锂波导调制器中实现太赫兹信号和光信号的相位匹配成为可能。图1(a)显示了薄膜铌酸锂电光调制器的结构。薄膜铌酸 ...
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