室温下Max调制带宽高达17GHz。偏置电流和高速信号通过射频微探头和偏置T传递到VCSEL。光通过透镜光纤探头耦合到光纤中。在12mA的偏置电流下，VCSEL发出1326.2nm的光，光功率为4.7dBm。室温下测得的PI和VI曲线如图2所示。可以看到低阈值电流为2mA，Max输出功率为3.4mW。在12mA（14mA）的偏置电流下，VCSEL消耗20.1mW（24.7mW）的电力。图1 O波段光链路实验设置（50Gb/s眼图，针对B2B通信优化的传输眼）光链路和测量设置如图1所示。在FPGA上生成4个27比特长的伪随机比特流（PRBS），并通过适当的延迟复用成串行27比特的PRBS流。之后 ...
以极大地提高调制带宽，Max可达20GHz。在更高的温度下，例如65°C，Max带宽减少到大约15GHz。这种Max调制带宽可以在11毫安的非常低的工作电流下实现。该激光器设计还特别注意实现小于1mA的极低阈值电流（ItH）和4mW的高光功率，如图1(b)所示。该激光器设计包括导波效应，能够抑制侧模，有利于主模，实现大于45dB的高侧模抑制比。图1(a)不同温度下短腔VCSEL的调制带宽与偏置电流的关系，(b)LIV和UI特性综上所述，用于这些实验的器件是单模和偏振稳定的1550nmVCSEL，具有极低的阈值电流，高侧模抑制比（SSMF），高带宽和极低功耗等优异的器件参数。InP技术允许在O波 ...
17GHz的调制带宽。这两个器件都由五个压缩应变的AlGaInAs量子阱组成，这些量子阱嵌入在低氮掺杂的InP层和高磷掺杂的AlInAs包层之间。电流约束是通过圆形p+-AlGaInAs/n+-GaInAs埋隧道结（BTJ）实现的，而BTJ区域外的电流阻塞是通过反向偏置n+p结实现的。对于高速性能，芯片和接触垫寄生的减少是通过钝化与苯并环丁烯（BCB）来实现的。图1a)SC-VCSEL示意图（未按比例）；b)VCSEL1的功率-电流-电压特性与直流电流的关系本实验使用两个SC-VCSELs，BTJ直径（dBTJ）为5µm。在这两种情况下，阈值电流为0.95mA，Max输出功率为4.2mW，温度 ...
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