拉曼在利用等离子体修饰改性二维材料中的应用引言：随着三维（3D）硅基互补金属氧化物半导体（CMOS）技术接近通道长度的小型化限制，二维半导体如过渡金属二卤化合物（TMDs，如二硫化钼和WSe2）、金属单硫化合物（MMC，如 InSe和GeSe）、元素半导体（如硅、锗和磷）和金属氧化物（MO，如氧化铜和氧化亚锡）被认为是下一代节能纳米电子的前途性通道材料。与此同时，随着越来越多的二维材料被发现，这些丰富多样的层状材料家族具有与硅相当或优越的电子特性，如晶格常数、带隙、有效质量、载流子迁移率、饱和速度和临界电场。由于这些优点，基于二维半导体的新型场效应晶体管（FETs）概念已经被提出和证明。以zu ...
案例分享| PPLN驱动的宽带量子合成器：实现超快压缩光脉冲源的关键突破量子技术是英国和加拿大工业战略的重要组成部分，有望彻底改变数字shi界，扩展当前成像设备的能力，并利用量子计算解决复杂计算难题以促进新药研发。宽带量子合成器(Broadband Quantum Synthesizer, BQS) 便是其中之一，旨在推进超快量子光学的前沿，其目的是开发第1个超宽带压缩光脉冲封装源，这是对下一代传感、通信和成像量子技术至关重要的工具。核心目标BQS 计划的核心是开发持续时间低于100fs的压缩光脉冲，理想情况下低于40fs，实现 >3dB 的量子噪声降低。这些“压缩”光态是纠缠的光场，其 ...
2109nm体布拉格光栅（Volume Bragg Grating, VBG）在半导体光刻中的应用引言：本文介绍了 2109nm 体布拉格光栅（VBG）在半导体光刻中的应用。首先介绍了 VBG 的基本原理、功能特点。重点讲述了RBG 光栅在激光波长基准源（Wavelength Reference）和光路热稳定性监测中、光刻系统滤波等方面的应用，深入分析了 2109nm VBG 在半导体光刻过程中所起的关键作用。讨论了其在提高光刻分辨率、改善光刻精度等方面的优势。同时，还列举了目前市场上主要的VBG厂商（品牌），比对了不同品牌VBG产品的优劣势，以及当前应用中面临的挑战和未来发展趋势。体布拉格光 ...
自旋电子泄漏-整合-具有自我重置和赢者通吃的神经形态计算的脉冲神经元（二）本文制作了一系列Hall棒状器件，并记录了相应的Kerr图像，如图2a， b所示。从图2c中可以看出，测量到的主要和次要Kerr磁滞回线发生了明显的变化，这证实了在CoFeB/Co的铁偶联层和SAF异质结构的底部硬层之间存在885 Oe的有效场。矫顽力和RKKY有效场的增强都归因于器件收缩和离子束刻蚀（IBE）过程中不可避免的外围损伤。由于样品中存在较高的IEC，因此在实验中使用恒定的- 860 Oe外部OOP场来补偿RKKY场。简单地说，我们首先在Hall bar的横截面上注入7.5 mA的3 s脉冲电流，在Hall ...
使用具有合成钉钉位点的磁畴壁装置进行神经形态计算的突触元件近年来，人工智能（AI）越来越受到人们的关注。目前的智能手机和电视等消费设备已经使用了人工智能。在这些设备中，AI算法是在冯·诺伊曼架构上运行的组件上执行的，这消耗了大量的功率。相比之下，受大脑启发的神经形态计算（NC）硬件，由通过突触装置相互连接的合成神经元网络组成，并模仿大脑的功能，有望以低功耗执行复杂的信息处理。因此，NC得到了极大的关注。在NC系统中，神经元作为处理元件，通过接受多个输入并以编程的方式产生输出。相比之下，突触将根据权重调制的信号传递给神经元。这种重量在物理上储存在突触本身，这意味着突触元素本质上必须是非易失性的。 ...
突破光影极限：SPAD相机如何重塑低光与高速成像的未来一.简介单光子雪崩二极管（SPAD）与电子倍增电荷耦合器件（EMCCD）相机是成像领域的两项重要技术，各自具备适合特定应用场景的独特优势。EMCCD相机因其低暗电流特性及弱信号放大能力而备受关注，而SPAD则具有极高的读出速度并能探测单个光子，使其成为弱光与高速应用场景的理想选择。理解二者的差异与优势对选择合适工具至关重要。除卓越的弱光成像能力外，SPAD还具备EMCCD技术无法实现的高动态范围与高速成像特性。特别值得一提的是，SPAD 512配备的时间门控功能可用于研究荧光寿命成像（FLIM）等时变信号，通过时间特征实现分子识别。这些应用 ...
拉曼在二维材料Bi2O2Te光电探测器的应用引言：自从2D Bi2O2Se材料合成报道以来，研究发现该材料不同于传统的范德华2D层状结构，因为其层通过相对较弱的静电力保持在一起。重要的是，通过化学气相沉积（CVD）方法制备2D Bi2O2Se纳米片显示出>20000 cm2V−1s−1的超高霍尔迁移率值和约0.8 ev的带隙能量，由于量子限制效应，其强烈依赖于膜厚度。这导致了相关研究工作者对二维氧氯铋（Bi2O2X:X=S，Se，Te）族的研究兴趣的增加。然而，迄今为止，很少研究2D Bi2O2Te，它是Bi2O2Se的表亲材料，由具有I4/mmm空间群（a=3.98Å，c=12.70Å ...
PSD在振镜性能测试中的应用（二）振镜的测试系统集光机电软于一体，其中的光学测试系统是非常重要的环节。我们设计的光路如图1所示。因为所需要测量的参数有很多，包括z大摆角，速度均匀性，有效摆角，反射镜和电机转轴的不平行度等，所以需要通过三条光路才能够全部测出，同时为了防止不同光路之间的相互干扰，我们将三条光路设计在不同的水平面上。图1 振镜测试系统光学平台光路布局第1条光路由激光器1，振镜和PSD1组成，用于测量扫描电机的z大摆角，有效摆角，线性段利用率，线性段均匀性和扫描电机的频率；第二条光路由激光器2，振镜，PSD2和补偿激光器组成，用于测量扫描电机的静态、动态零位重复性，补偿激光器的作用是 ...
100GHz等离子体电光调制器在低温领域的应用（本文译自Plasmonic 100-GHz Electro-Optic Modulators for Cryogenic Applications（Patrick Habegger, Yannik Horst））1.介绍在低温环境下运行的高速调制器对于运行下一代超导量子电路至关重要。为避免散热过多，只能使用符合严格的z低功耗要求的设备。低温电路的复杂性在稳步增加，因此，各自的通信接口的规模相当。此时，相较于电子设备，光学解决方案可以提供更低的热负荷和更高的带宽。越来越多的在4K以下低温下工作的电光接口被引入到这个领域。通过使用商用5GHz的铌酸锂 ...
193nm紫外波前传感器（512x512高相位分辨率）助力半导体/光刻机行业发展！摘要：昊量光电联合法国Phasics公司推出全新一代193nm高分辨率（512x512）波前分析仪!该波前传感器采用Phasics公司技术-四波横向剪切干涉技术，可以工作在190-400nm波段，消色差，具有2nm RMS的相位检测灵敏度，能够精确测量紫外光波前的细微变化。SID4-UV-HR 紫外波前分析仪非常适合紫外光学元件表征（DUV光刻、半导体等领域）和表面检测（透镜和晶圆等）。193nm 紫外波前传感器（512x512 高相位分辨率）在半导体/光刻机行业中具有重要作用。该传感器具有高分辨率，消色差，对震 ...
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