杂InP:S衬底上生长出具有100次重复活性注入区的应变平衡InGaAs/InAlAs激光结构。电致发光器件采用深蚀刻、直径130µm的半圆形平台，顶部触点为Ti/Pt/Au，底部触点为退火的Ge/Au/Ni/Au，并覆盖Ti/Au。将Fabry-Perot激光器制作成双沟槽深蚀刻脊波导激光器，采用380nm SiNx作为侧壁绝缘，并向下安装在复合金刚石底座上。为了进行测试，所有的台面和激光设备都安装在AlN上的直接结合铜衬底上。电致发光(EL)光谱在不同温度和脉冲电流(80kHz重复频率;脉冲宽度100-500ns)，使用傅里叶变换红外(FTIR)光谱仪进行步进扫描模式和ln2冷却MCT探测 ...
。取下后，将衬底薄至~200 μm，通过电子束蒸发沉积20/200 nm的Ge/Au底金属接触层。然后将器件安装在外延侧的铜散热器上。图3由于前面倾斜，采用远场测量来确定发射角。如图1(c)所示，8毫米和12毫米器件的远场测量是在低于阈值的条件下进行的，温度为~2.6 A，温度为80 K，使用液氮冷却的HgCdTe探测器。与先前报道的器件一致，两种器件的光发射在正角方向上呈现两个峰，8mm和12mm器件的半z大全宽(FWHM)分别为~15°和~ 35°。在将器件旋转到与其各自的峰值发射相对应的角度后，这些器件的光、电流和电压(LIV)特性在脉冲模式下以电流脉冲宽度进行100纳秒，重复频率5千赫 ...
1.33-um VCSEL特性日益增长的传输容量需求要求多Gb/s系统也适用于中短距离网络。对于存储、局域网和接入网，已安装的基于标准单模光纤（SSMF）的基础设施在1.3m窗口（对应于零色散）中运行。10GBASE-LR（Long Range）标准提出了使用10Gb/s数据流在1310nm的10kmSSMF上实现10千兆以太网协议光实现。目前，用于这些应用的1.3-um光源主要由直接调制的Fabry-Perot或分布反馈激光器组成。然而，使用垂直腔面发射激光器（VCSELs）代替边缘发射器是非常可取的，因为它们具有固有的优点，如优越的光束质量，极低的功耗和降低的制造成本。如今，长波VCSEL ...
用于10G以太网的1.3μm InGaAsInP VCSEL在1.3µm波长范围内发射的垂直腔面发射激光器（VCSELs）已经达到一定程度的成熟，可以进入工业应用。光通信模块中更小的外形尺寸和更低的功耗标准增加了对新一代超低功率长波激光器的需求。在IEEE 802.3ae推荐中找到10GBASE-LR（远程）标准，描述了10G以太网在1.3µm的10G以太网，在10km的广泛部署的标准单模光纤（SMF）的链路上。对于10GBASE-SR（短距离）标准，850nm VCSELs已经被用作具有成本效益的光源。近年来，为了提高VCSEL在1.3µm波长下的性能，人们做了很多努力，包括晶圆熔接器件和含 ...
延法在InP衬底上生长了所研究的激光器。基本结构是先前发表的高速1.55um VCSEL结构，单片集成到一维阵列结构中，光刻定义的间距为250um。对于高带宽的电信应用，保持较低的寄生电容是必不可少的。这导致如图1所示的结构，具有10um厚的低介电常数钝化苯并环丁烯，市售名称为Cyclotene 3022-57。该装置本身只有30um宽。芯片的p侧触点可以在设备的顶部和底部进行访问，以实现各种安装方式。在制造过程中，去除InP衬底，并集成电镀金散热器。顶部和底部镜面分别由33.5对InGaAlAs-InAlAs和3.5对附加Au涂层的CaF2-ZnS组成。有源区包括七个由拉伸应变势垒分隔的压缩 ...
带有独立偏置臂的非对称马赫-曾德尔干涉仪型腔的量子级联激光器宽单模调谐量子级联（QC）激光器是一种强大而紧凑的半导体光源。在中红外波段，它们是目前分子传感中基于吸收的光谱系统中非常有利的光源。由于这些系统利用了不同气体分子的强而窄的吸收线，它们要求QC激光器在单模下工作，并且是连续的，广泛可调的。研究并实现了实现波长选择性和可调性的不同方法。直到zui近，大多数QC激光器的单模操作已经通过在常规Fabry-Perot QC激光器的顶部合并周期性光栅实现，例如分布式反馈光栅或分布式布拉格反射器。然而，需要在波长尺度上精确的周期结构需要更复杂的制造步骤（例如，电子束光刻），通常导致更高的成本和更低 ...
无横向再生的MOCVD室温连续波量子级联激光器设计和制造量子级联（QC）激光器是一种很有前途和影响力的中红外光源，在化学传感、无线通信和对抗措施等领域具有潜在的应用前景。自1994年首次演示以来，通过改进激光设计，材料生长和包装，不断显著地改进了QC激光器的性能。到目前为止，使用固体源分子束外延（MBE）或气源MBE生长的波长为9.1和4-6 um的QC激光器已经证明了室温连续波（CW）操作，这是紧凑型非低温激光源的重要里程碑。金属有机化学气相沉积（MOCVD）zui近引起了人们的研究兴趣，因为它是工业界第1选择的技术，并且在QC激光器的商业化方面有前景。据报道，MOCVD是一种高性能的QC激 ...
于在硅或石英衬底上转移晶体离子切片薄层铌酸锂。我们的技术采用离子注入、晶圆键合、晶体离子切片等方法制备铌酸锂单晶薄膜。用这种方法制备的薄膜是单晶的，其光学和电光性质与大块单晶晶体相同。图2展示了我们基于铌酸锂薄膜平台的铌酸锂电光调制器的制造流程。薄膜铌酸锂脊形波导是通过干法蚀刻已沉积的SiN或直接蚀刻LN形成的。在本文的实验结果中，我们使用了混合SiN-LN波导结构。在形成MESA结构后，涂覆聚合物层，然后在电极位置进行蚀刻。射频电极zui终通过剥离工艺形成。波导结构由铌酸锂核心区域的薄层、二氧化硅（SiO2）底部包层，以及折射率匹配的肋区域（在这种情况下是硅氮化物）组成。波导、多模干涉器（M ...
明导电氧化物衬底（即氧化铟锡）中溶解，从而降低有机活性层的光伏性能。因此，从PEDOT： PSS与有机活性层之间的界面中分离出酸性PSS，可以有效地解决器件的不稳定性问题。由于PEDOT 和 PSS 之间存在静电相互作用，因此通常会在 PEDOT：PSS HTL 中添加掺杂剂或溶剂，以操纵它们的键合并提高器件的功率转换效率 （PCE）。然而，这种添加可能会影响空穴传输材料内的均匀性、亲水性和能级排列，从而对其他器件参数产生副作用。太阳能电池在器件架构中集成了HTL和有源层之间的界面层，这不仅可以保护活性层免受劣化，还可以促进和平衡电荷-载流子传输现象。理想情况下，空穴界面层应（i）易于制造，（ ...
Phasics波前传感器的应用案例（二）SID4在透镜/镜头检测方面的解决方案Phasics波前传感器以其独有的横向四波剪切技术闻名，其推出的SID4系列波前传感器以高灵敏度、高分辨率、高重复性的特点更受市场青睐，以下为SID4在透镜/镜头检测方面的具体案例应用。一、对复杂超表面进行精确表征的一种方法-超透镜1.1 针对超表面测量Phasics具备的优势传统的低分辨率技术很难准确测量超透镜的复杂特征，Phasics针对超透镜提出了高效的解决方案，并具备以下4点优势:Phasics sC8搭载显微镜测量场景1.亚波长空间尺度下的高精度测量：Phasics的波前传感器不仅具备优于2nm RMS的光 ...
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