中文：衬底；英文：substrate

包括与InP衬底相匹配的多阱InGaAs/InAlAs有源区域晶格，以及所谓的结合-连续体或等效方式的四个或更多有源阱。活性阱周期性地重复30-40次，并被厚的、低掺杂的、InP包层包围，在顶部触点下方有等离子体增强的约束层。图1图1显示了器件QCL-A的电光特性。这种情况下的波导尺寸为：width×length = 7.5 μm×4 mm。发射波长以λ = 6.14 μm为中心，Max输出功率为P = 1.25 W。高反射涂层可用于器件的单面发射。在电流为I = 1.2 A时，Max壁插效率（定义为器件的电光转换效率，不包括热电冷却器（TEC）所需的功率，η = Pout/Pin）为η = ...

基于细胞微流控的阻抗测试解决方案摘要基于细胞微流控的阻抗测试技术，作为一种新兴的技术，结合了微流控芯片技术与电阻抗谱（EIS）技术，广泛应用于生物医学、细胞分析以及微流控系统的研究与开发。这种技术能够在不依赖光学显微镜的情况下，实现对微流控系统中液体流动、界面行为以及细胞状态的实时监测和检测。本文将从微流控技术、电阻抗测试原理、细胞应用以及未来发展趋势等方面进行讨论。一、技术背景1.1微流控芯片的基本原理与技术特点微流控技术通过微型化的流体通道和精密的流体控制，能够在微小尺度上实现液体的操控。微流控芯片通常包括多个微通道、阀门、泵和传感器等组件，能够对流体进行精确的处理和控制。与传统的宏观流体 ...

氧化硅片作为衬底。材料堆在室温下使用磁控溅射系统（AJA ATC-Orion 8）沉积，基压为8 × 10−8 Torr或更高。在2.0 mTorr的溅射压力和0.68、0.62、0.37、0.30 Å/s的沉积速率下，采用直流沉积法制备了Pt、Ta、Ir和Fe材料。在3.0 mTorr的溅射压力和0.26 Å/s的沉积速率下，通过射频电流沉积Co。顶部和底部的Ta(5)层分别作为抗氧化和粘附的保护层沉积。添加了额外的Ir底层以为重复层提供类似的接口。随后，采用电子束光刻（Raith e-line）和离子铣削（带有Hiden SIMS元素探测器的AJA离子铣削系统）技术，制作了20 μm × ...

米片用任意的衬底将其浸出水-空气界面，合成岛和纳米片。本文中采用原位拉曼光谱分析方法，研究了氢氧化钴和退火纳米片样品中活性相的性质。从样品中采集了原位光谱（图5a），显示了多个相关物种。值得注意的是，在大约500和15000px-1处观察到两个主峰，明确Co（OH）2的存在。在470和17000px−1处出现了与CoO相对应的特征峰。该光谱中其他的较弱特征峰可能是 Co3O4的特征峰.这些结果与TEM和XPS结果非常吻合。在退火样品的拉曼光谱中，Co3O4的特征峰尤其明显。具体来说，尽管CoO和Co（OH）2的F2g模式（~200、520 和 610 cm−1）、Eg模式（~12000px−1 ...

基于一阶反转曲线研究的温度调制磁离子相及相变分析(二)使用原位MOKE成像，沿着图2(b)和2(d)所示的三个关键磁场扫描识别域变换，负磁场扫描沿对角线表示为蓝色虚线，两个正磁场扫描与上峰和下谷峰对相交，表示为水平红色虚线。为了验证与每个峰相关的域变换是一致的，我们捕获了19.0°C的孤立天空粒子和26.0°C的天空粒子晶格的MOKE图像。在补充材料中可获得19.0°C， 23.0°C和26.0°C的其他支持MOKE图像。图3图3(c)在19.0°c和图3(f)在26.0°c时沿负磁场向上扫至上峰的HR处，均显示条状畴破裂为更短的段和天空区，留下条状和天空区混合。然而，图3(c)中的区域相距较 ...

射工具沉积了衬底/Ta(5)/Pt(1)/[Co(0.3)/Pt(0.3)]5/Co(0.46)/Ru(0.4)/Co(0.6)/W(0.3)/CoFeB(0.8)/MgO(1.2)/CoFeB(1.2)/Pt(5)薄膜样品，每层厚度以纳米为单位在括号中表示，如图1a所示。图1b中的高角度环形暗场（HAADF）图像显示了堆叠中的光滑界面和高结晶质量。利用高分辨率亮场扫描透射电子显微镜（STEM）观察了具有清晰界面的单个层的外延生长。图1c中的高分辨率TEM （HRTEM）图像表明，获得了具有特定厚度的几乎完美的单晶连续薄膜堆栈。利用二次电子质谱（SIMS）分析了膜层中元素的分布和界面处的z小混 ...

自旋电子泄漏-整合-具有自我重置和赢者通吃的神经形态计算的脉冲神经元（二）本文制作了一系列Hall棒状器件，并记录了相应的Kerr图像，如图2a， b所示。从图2c中可以看出，测量到的主要和次要Kerr磁滞回线发生了明显的变化，这证实了在CoFeB/Co的铁偶联层和SAF异质结构的底部硬层之间存在885 Oe的有效场。矫顽力和RKKY有效场的增强都归因于器件收缩和离子束刻蚀（IBE）过程中不可避免的外围损伤。由于样品中存在较高的IEC，因此在实验中使用恒定的- 860 Oe外部OOP场来补偿RKKY场。简单地说，我们首先在Hall bar的横截面上注入7.5 mA的3 s脉冲电流，在Hall ...

用于12.5Gbit/s光互连的高速1.3um VCSEL在过去的几年里，在1.3um波长范围内发射的长波长垂直腔表面发射激光器（VCSELs）在器件性能方面取得了长足的进步，并达到了一定的成熟度，可以进入工业应用。虽然成熟的GaAs基技术利用GaInNA的有源区扩展到约1.3um，但许多方法表明，InP基器件概念可以获得优异的性能，这些概念受益于AlGaInAs/InP应变量子阱的优异增益特性，并通过使用介电镜、散热器或晶片键合技术来规避热问题。我们的解决方案是一种基于InP的单片方法，使用具有自完成电流和折射率引导的埋隧道结（BTJ）。利用这一概念，我们zui近展示了1.55um波长的器件 ...

MiniLED和MicroLED显示技术Mini-LED和Micro-LED显示技术成为了近期的热点技术。这两种新技术和现在的LCD及OLED技术相比有什么优势和联系呢？从下图可以看出每种显示技术的差异，目前行业在从LCD时代进入OLED时代，未来还将迈入Micro-LED时代。而Mini-LED作为一种过渡性的产品，当背光使用时将延续中大尺寸LCD的寿命，当显示屏使用时，将作为目前LED屏向Micro-LED屏进化的过渡品。到底什么是Mini-LED和Micro-LED？简单说，Mini-LED和Micro-LED就是尺寸更小的LED。Mini-LED通常定义在100-500um，而Micr ...

与左半部分裸衬底进行比较，通过定制的ALD工艺，我们成功地实现了在50℃下，Te薄膜在4英寸尺寸SiO2/Si晶元上晶元级生产。在此我们进行拉曼光谱和作图表征来评价薄膜的质量和均匀性（AUT-Nanobase-XperRamS）。图1c是ALD-Te的典型拉曼光谱，在141、122和2325px-1处分别表现出相应的E2、A1和E1振动模式。三种振动模式与晶体Te的振动模式一致，表明链内共价键和vdW耦合的连间键形成良好。共聚焦拉曼mapping是在整个元片上选取20个分散的具有代表性局部区域图进行检测，检测条件为单个面积为20μm×20 μm，步进为1μm。E2和A1模式的合并图显示了在晶元 ...