中文：阻挡层；英文：barrier layer

离散小波变换连续小波变换公式如上所示，可以改变尺度s，从而改变信号的频率，也可以改变平移的参数。例如对于同样以信号如果对上述信号， 以MorletWavelet作为基底，做连续傅里叶变化连续小波变换的参数是模拟量，可以是无限多的，但实际并不是需要那么多参数。因此离散小波变换在上述公式的基础上，对公式进行离散化，不同参数之间通常是2的倍数。同样的信号，如果以MeyerWavlet作为母小波，层数设置为3， 使用离散小波变换，得到的结果为如下：离散小波变换原理如下，初始信号经过高通滤波器，得到高通信号（一阶细节信号）和一个低通信号（一阶近似信号），高通和低通滤波器带宽为。如果需要继续分解，则将低通 ...

滤波器理想滤波器是在带通范围内全通，带阻范围全部阻挡，过渡带宽为零。但是理想情况时间是无限的，但是数字信号是一段有限的时间，因此无法达到理想的情况，只能逼近理想情况。例如对于一段数字信号，长度为200，带宽为，然后做反傅里叶变换后得到的是一个Sinc函数卷积核心因为是有限的，所以将上述信号的部分内容置零，再去计算傅里叶区间内的频率和振幅关系得到经过时域变换后的信号，通带部分信号失真，阻带有泄露，过渡带长度不为零。若想要改善滤波器的性能，可以在滤波器上添加一个窗函数，例如Hann或者Hamming窗口等等。对比加上窗口和不加窗口的情况下，傅里叶区间频率vs振幅图得到下图窗函数改变信号末端突然被阶 ...

四种IIR滤波器常用的四种分别是巴特沃斯滤波器、贝塞尔滤波器、切比雪夫滤波器和椭圆滤波器。巴特沃斯滤波器1930年由英国物理学家Stephen Butterworth发明。阶数越高的滤波器在阻带的衰减就越快，对于1阶滤波器，其衰减速度为-6dB/oct或者-20dB/decade；2阶为-12dB/oct，以此类推。当然，阶数越高，所需要的电子元器件也越多，设计越复杂，同时响应特性也越好。贝塞尔（Bessel）滤波器该滤波器的命名来源于德国数学家Friedrich Bessel。1949年，W. E. Thomson将Bessel函数成功地应用到滤波器设计上，所以Bessel滤波器也叫作Bes ...

低功耗SiGe VCSEL驱动和TIA工作在2.5 V的40Gb /s 1.5µm VCSEL链路直接调制激光电流的高速垂直腔面发射激光器（VCSEL）驱动器有两种配置：阳极驱动和阴极驱动。阳极驱动有可能降低VCSEL驱动器的供电电压，而阴极驱动避免在高速路径中使用较慢的p型晶体管。但两者仍有一个共同点，即VCSEL驱动器在多个电源电压下工作以降低功耗，激光电源电压范围为3.3V至5.8V。在本文中，我们将进一步关注阴极驱动，并提出一种解决方案，以摆脱多个电源电压。阴极驱动VCSEL变送器可以在输出端使用反向端接电阻来实现，以改善转换时间。不幸的是，这在驱动器的供电电压和共阳极激光的供电电压之 ...

使用20GHzVCSEL在1525nm波长上实现84Gb/sPAM-4在1.6kmSSMF-实验设置VCSEL的结构部署的单模短腔VCSEL基于Vertilas独特的InP埋地隧道结（BTJ）设计，具有非常短的光学腔。短腔的概念是通过在VCSEL的上镜和下镜上部署介电材料来实现的。介质材料的高折射率使得仅使用3.5对反射镜即可实现非常高反射率的分布式布拉格反射器（DBR），与需要30-40对反射镜的半导体DBR相比，DBR要薄得多。这使有效腔长度减少了50%以上，并大大降低了光子寿命，这一效应直接增加了器件的带宽InPBTJVCSEL概念包括一个特定的处理步骤，其中大部分半导体材料被蚀刻掉，为 ...

垂直磁化MgO/Pt/Co异质结构中自旋反射诱导的无场磁化开关在这项研究中，我们证明了MgO/Pt/Co异质结构中的无场SOT开关，通过与介电MgO层接口来调制Pt内的自旋反射和自旋密度。通过异常霍尔电压环位移测量，我们确定在没有外部磁场的情况下，SOT作为有效的面外磁场对磁化强度起作用。通过替换MgO层并将其与高导电性Ti或Pt进行比较，我们证实MgO确实负责无场SOT开关。此外，MgO的厚度依赖性表明，在5和8 nm之间的非常佳的开关比高达80%。这项工作提供了利用介电/HM界面处的自旋反射来实现无场SOT磁化开关的技术，对于开发大规模集成的SOT- mram和自旋逻辑器件具有重要意义。此 ...

高能效量子级联激光器量子级联激光器（qcl）是基于半导体量子阱的子带间跃迁。当电子从前面的注入区进入活跃区，在上下激光能级之间经历辐射跃迁，并随后被提取到下一个下游注入区时，产生光子。电子从注入区进入下一个活跃区是通过注入地能级和上激光能级之间的共振隧穿发生的。隧穿速率，以及许多其他性能相关参数，可以通过量子设计来设计，例如，通过耦合强度的设计，耦合强度被定义为注入器地面能级和上激光能级在完全共振时能量分裂的一半。理论分析表明，快速隧穿速率是实现高激光壁塞效率（WPE）的关键因素。一方面，隧穿速率越快，所能支持的Max工作电流密度就越高，因此电流效率（即激光器工作在高于阈值多远的地方）也就越高 ...

量子级联激光器-长波红外（λ>6 μm）的材料与制造封装MOCVD特别适合生长非常厚的层，通常包括在QCL结构中，需要很长的生长时间。为了得到非常尖锐的多量子阱界面，对衬底温度、界面切换机制、生长速率、V/III比等生长参数进行了迭代生长条件优化。虽然还没有完全解释，界面粗糙度肯定在QCL性能的定义中起作用。模拟和实测x射线衍射曲线对比如图1所示。测量是在用于MWIR QCL设计的InGaAs/InAlAs多层材料上进行的，生长应变分别为~ 1%的拉伸/压缩应变平衡。总的来说，需要在完整的结构中实现少量的残余应变，并且x射线图中的卫星峰需要窄才能认为材料质量好。仿真曲线与实验曲线吻合较好 ...

自旋电子泄漏-整合-具有自我重置和赢者通吃的神经形态计算的脉冲神经元（一）神经形态计算（NC）通过利用突触装置之间相互连接的合成神经元网络来模仿大脑的功能。由于其在人工智能（AI）和大数据分析方面的潜力，超越了传统的冯·诺伊曼（von Neumann）计算系统的节能方式，NC正在吸引广泛关注，并有望为自动驾驶、嵌入式人工智能（AIoT）和终端设备提供更高的智能。自21世纪初以来，研究人员发现在芯片上开发神经形态神经元和突触设备以实现复杂且高可靠的神经网络是可行的，在过去的二十年里，已经有很多人尝试用传统的硅技术来模拟大脑的功能。但人工智能正在提出关于构建NC系统方法的问题。研究人员一直试图利用 ...

量子级联激光器-长波红外（λ>6 μm）的制造性能展示到目前为止，在λ = 6-8 μm范围内，已经实现了长波长的高功率（pto bbb1w）工作。当波长达到λ = 9 μm （pto = 0.5 W）时，性能显著提高，而当波长超过9 μm时，性能迅速下降。本文总结了波长为λ = 6.1 μm （QCL-A）、λ = 7.3 μm （QCL-B）、λ = 7.8 μm （QCL-C）和λ = 8.9 μm （QCL-D）的激光器的实验结果。这些器件的激光器结构基本上是相似的，包括与InP衬底相匹配的多阱InGaAs/InAlAs有源区域晶格，以及所谓的结合-连续体或等效方式的四个或更多有 ...