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的核心之一，极紫外光刻技术作为新一代光刻技术也处于快速发展阶段。其基本原理是利用光致抗蚀剂（或称光刻胶）感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。光刻半导体芯片二氧化硅的主要步骤包括涂布光致抗蚀剂、套准掩模板并曝光、用显影液溶解未感光的光致抗蚀剂层、用腐蚀液溶解掉无光致抗蚀剂保护的二氧化硅层，以及去除已感光的光致抗蚀剂层。在光刻系统中，激光的指向稳定非常重要，会直接影响光刻的图形准确性和一致性。影响光束指向稳定的主要因素有三个，分别是激光器本身的位置偏移，处于不同基座上的激光器和照明系统之间的振动差异性以及传输过程中的光学系统的扰动。这些扰动会对光刻的质量造成严 ...
193nm紫外波前传感器（512x512高相位分辨率）助力半导体/光刻机行业发展！摘要：昊量光电联合法国Phasics公司推出全新一代193nm高分辨率（512x512）波前分析仪!该波前传感器采用Phasics公司技术-四波横向剪切干涉技术，可以工作在190-400nm波段，消色差，具有2nm RMS的相位检测灵敏度，能够精确测量紫外光波前的细微变化。SID4-UV-HR 紫外波前分析仪非常适合紫外光学元件表征（DUV光刻、半导体等领域）和表面检测（透镜和晶圆等）。193nm 紫外波前传感器（512x512 高相位分辨率）在半导体/光刻机行业中具有重要作用。该传感器具有高分辨率，消色差，对震 ...
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