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BM 薄膜的单重态激子寿命τS1为10.72 ns，而 eh-IDTBR 薄膜的τS1短得多（6.39 ns）。 这是由于PC71BM有更多的缺陷位点，延迟了PL淬火。对于第二点，测量了eh-IDTBR和PC71BM的TCSPC。光敏层中的单重态激子衰减与快速扩散到供体-受体界面有关，而长寿命组分与电荷分离后的电荷复合有关。此外，PBDTTT-EFT 和 PC71BM 混合物的τCT比PBDTTT-EFT和eh-IDTBR混合物更长，这意味着源自陷阱位点的电荷转移状态中的电荷复合增加了。因此，基于eh-IDTBR的OPD表现出更快的开关响应，这是由于有效的电荷分离和通过重新组合的陷阱密度进行的 ...
激发态和亚稳单重态(图1)。基态和激发态由自旋三重态组成，可以被an极化。图1.NV中心的能级图。它包含基态和激发态，具有三个自旋亚能级和一个亚稳态。与在室温下容易被光漂白的传统单发射体相比，自旋三重态地面层发出的发光特别有趣，因为弛化过程具有极大的时间稳定性。具有长松弛寿命的NV晶格能量结构中两个缺陷自旋之间的室温量子纠缠可能是量子计算的主要贡献。此外，NV中心与晶格中其余原子之间的弱相互作用确保了高度稳定的发射，这也是与标记生物组织或表面表征(如荧光)相关的应用中非常理想的特性。了解更多详情，请访问上海昊量光电的官方网页：https://www.auniontech.com/three-l ...
及两个中间态单重态（¹A和¹E）。³A和³E均包含mₛ=±1自旋态（其中两个电子自旋平行排列，向上为mₛ=+1，向下为mₛ=-1）和mₛ=0自旋态（电子自旋反平行排列）。由于磁相互作用，mₛ=±1态的能量高于mₛ=0态，在没有外界磁场时，mₛ=±1简并，¹A和¹E各自仅包含一个mₛ=0的单重自旋态。见图2。光学跃迁需遵循总自旋守恒原则，因此仅允许总自旋相同的能级间发生跃迁。具体而言，使用波长532 nm的绿色激光可诱导基态与激发态（自旋相同）之间的跃迁。而电子从激发态回落至基态时，就会因辐射跃迁发出637nm附近的红光。此外，电子从激发态mₛ=±1回落时，会有更大的可能通过非辐射跃迁回落至中间 ...
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