光子能量高于量子阱(QW)带隙的近红外脉冲调制QCL不同，我们比较了在室温下光子能量低于和高于0.77 eV (1.6 lm)的InGaAs QW带隙的两种不同的近红外泵对QCL传输的调制。当光子能量高于QW带隙时，电子将从价带被激发到导带，然后通过带间跃迁放松回价带。当泵浦光子能量低于QW带隙时，由于光子没有足够的能量，将不会发生带间跃迁。相反，在传导带较低的子带中的电子将被激发到较高的子带或连续区。直接测量谐振中红外脉冲的传输变化提供了有关QCL增益调制的信息。图1(a)显示了我们实验装置的原理图。利用由Ti:蓝宝石振荡器、Ti:蓝宝石再生放大器、光学参量放大器(OPA)和自制差频发生器( ...
垒分隔的应变量子阱组成。这些激光器的混合后视镜由3.5对CaF2-ZnS和金层（反射率=99.9%）组成。图1为埋地式隧道结（BTJ）VCSEL的设计。该芯片安装在具有本地连接器（LC）插座的发射器光学组件（TOSA）模块中，该模块包括光隔离器、监测二极管和50Ω挠性电路连接。在相应的电流和温度范围内，单模光谱显示出超过40dB的侧模抑制比。室温下的带宽超过10GHz，受到VCSEL内层内部寄生和热效应的限制。但是，该带宽可以实现12.5Gb/s的数据传输。2.线宽测量对被测1.33-um VCSEL装置进行了不同温度下连续波工作的线宽测量，采用延迟自外差法，解相关长度为70m。图2显示了线宽 ...
为钝化剂。在量子阱中引入压缩应变，可以降低透明载流子密度，提高（差分）增益，从而实现高速运行。为了降低空间电荷区的寄生电容，降低了InP-regrowth层的掺杂水平，从而有力地降低了器件的寄生。对于有源直径为5μm的器件，室温下的光输出功率超过2mw，80℃时的光输出功率超过0.8mW（图1.b）。应该指出的是，由于减少了散热量，在大信号调制下，热滚转转移到更高的电流。阈值电流分别低至1ma和2ma。由于这些器件的高耦合效率高达60%，因此可以实现高光纤耦合功率幅值。频谱显示单模工作，侧模抑制比在滚转电流下超过40dB。图1 (a)短腔VCSEL截面示意图(b)25°C和80°C时的l-i特 ...
接器件和含氮量子阱。我们的解决方案是基于InP的单片方法，使用埋藏隧道结（BTJ）作为电流孔径。利用这一概念，我们已经展示了1.55μm具有卓越高速性能的器件。此外，我们将器件安装到发射器光学子组件（TOSA）模块中，该模块可以轻松集成到现有的发射器基础设施中。结构和VCSEL特性目前高速1.3µm VCSEL的基本结构与先前基本相同，但优化了熔覆层的热管理，提高了底镜反射率。外延输出镜由InGaAlAs/InAlAs层对组成，有源区由7个由拉伸应变势垒分隔的应变量子阱组成。这些激光器的混合后镜由3.5对CaF2/ZnS和一层金组成。激光芯片及结构示意图如图1所示。BCB用作低介电常数钝化，以 ...
隔的压缩应变量子阱。电流约束由埋地隧道结完成，允许用具有低损耗和欧姆加热的n型材料代替p导电。所有激光器都是完全分离的，可以很容易地单独解决。图1 1×12 VCSEL阵列的俯视图和原理图截面，长度是250um到目前为止，我们已经制作了4、8和12个VCSEL阵列，具有高成品率和良好的均匀性。单片集成一维阵列的主要优点是固定间距。再加上倒装芯片的能力，这些器件特别适合组合成集成光学系统，如聚合物基光波导板。此外，为了提供并行链路和光纤带传输的模块，VCSEL阵列已经成功部署。更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光 ...
共振的具有四量子阱有源区的8.2-_x0016_m QC激光器的导带图的一部分和相关波函数的模平方。施加51kv /cm的电场。箭头表示激光跃迁。(b)基模强度分布图、层结构分布图和所用介质波导折射率实部分布图。激光主动式区域基于双声子共振设计。活跃区和注入器一个周期的层序为44/18/9/57/11/54/12/45/25/34/14/33/13/32/15/31/19/29/23/27/ 25/27，其中in Al As势垒层为粗体，in Ga As井层为粗体，n掺杂层（cm）为下划线。电子能带图如图1(a)所示。第4和第3能级之间的激光跃迁能量设计为154兆电子伏，能级1、2和3每一级之 ...
操作。高应变量子阱的高微分材料增益也可以提高内部弛豫振荡频率。在室温下，我们提出了创纪录的高于12GHz的调制带宽，在85℃时降至10GHz，这将使数据速率分别达到17Gb/s，100-G以太网为12.5Gb/s。更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站www.auniont ...
AlGaAs量子阱组成。在接近临界层厚度的边缘处，将应变调整为压缩应变的2.5%（拟晶）。这将提高增益和差分增益，从而实现低阈值电流和高弛豫振荡频率。模式增益偏置针对高温行为进行了优化。因此，可以得到负T0值，即该器件在60℃散热器温度时阈值电流Min低。这种效应是由增益和腔模在温度上的不同红移引起的。由于BTJ允许消除几乎所有具有较高电阻和光损耗的p导电材料，差分串联电阻已达到40-50Ω，非常适合高速器件。图1 高速1.55um基于inp的BTJVCSEL的示意图。该装置安装在电镀金假衬底上。在制造过程中去除InP衬底。n-触点和p-触点都可以在顶部访问。触点板电容被Min化。寄生设备由于 ...
材料体系的多量子阱激光器。该器件设计的核心是采用再生n掺杂InP材料的光刻定义的埋藏隧道结（BTJ）。这种结构提供了电约束，减少了热量的产生，在高温下实现了出色的直流和射频性能。这种激光器使用两个介电DBR反射镜，而不是在VCSELs中传统使用的半导体反射镜。介质材料之间的大折射率差使得实现具有高反射率的极薄dbr成为可能。随后，激光器具有非常短的谐振腔，约为2.5µm。这种短腔设计，加上对外延结构、台面尺寸和键合板电容等性能的精心优化，有助于Max限度地提高高达18 GHz的射频性能。结合低阈值电流，器件能够以28 Gb/s或更高的速率直接调制。VCSEL输出处的光学眼图如图1 (b)所示。 ...
由七个重应变量子阱（每个6纳米宽）组成，并具有针对高温行为优化的模式增益偏移。因此，可以得到负T0值，即在较高温度下阈值电流较低。这种效应是由于增益和腔模的红移随温度的不同而引起的。图1 高速1.55-um VCSEL的截面示意图插图：制作好的VCSEL器件图片因此，利用这一效应可以改善VCSEL器件的高温性能。InP是一种良好的热导体，由n包层组成，通过更好地冷却有源区域，也有助于实现高温操作。这些激光器的混合后镜由3.5对CaF2-ZnS和一层金组成。孔径为6um的器件在室温下的输出功率约为3mW。阈值电流和电压分别低至约1mA和0.9V。发现该频谱为单模，在相关电流和温度范围内，侧模抑制 ...
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