有机荧光团的光致发光过程仅持续几百皮秒到几十纳秒；另外不仅要获取荧光寿命，还要还原荧光衰减曲线形状，通常为了解决多指数衰减，必须能够在时间上将记录的信号解析到这样的程度：由几十个样品进行衰减。使用普通的电子瞬态记录仪很难达到所需的时间分辨率。 另外如果发射的光太弱则无法产生代表光通量的模拟电压。 实际上光信号可能只有每个激发/发射周期的几个光子。 然后信号本身的离散特性导致无法进行模拟采样。 即使可以通过增加激发功率来获得更多荧光，也会存在限制，例如，由于收集光学损耗、检测器灵敏度的光谱限制或在更高激发功率下的光漂白。Z终，当观察到的样品仅由几个甚至单个分子组成时，就会出现问题。使用时间相关单 ...
Vis) 和光致发光 (PL) 光谱。图 1b 和 c 中的 MoS2 纳米片是通过 CVD 方法合成的，用于PL信号的比较分析。正如图1（b）所示，MoS2纳米片的光谱在460，610，670处有特征峰，分别用A，B，C表示。A 和 B 峰对应于价带顶部布里渊区K点的自旋轨道分裂引起的激子跃迁。C 与来自 d 轨道的带间跃迁有关。随着将块状 MoS2 转化为量子点时发生的维度变化，MoS2 纳米片的激子峰消失，并出现了新的吸收特征。由于量子尺寸效应，在 MoS2量子点中观察到吸收峰蓝移。此外，在 MoS2 QD 的 PL 光谱中，不存在 A 和 B 激子峰，并且在相对于原始 MoS2 的 P ...
的陷阱密度和光致发光（PL）衰减曲线，以确定受体材料的暗电流抑制和快速光响应效应。图1 a) 包含阻挡层的有机半导体器件结构示意图。插图：由电子受体材料（PC71BM 和 eh-IDTBR）组成的感光层的纳米结构填充示意图。 b) PBDTTT-EFT、eh-IDTBR 和 PC71BM 的分子结构。通过以6 mW cm-2的入射功率密度打开和关闭 LED 来评估有机半导体器件的响应时间。如图2所示，富勒烯受体有机半导体表现出 6.24 µs 的上升时间和 10.8 µs 的下降时间。由于OPD器件的响应时间受内部电容和电荷传输时间的影响，推测 PC71BM 具有较高的内部电容和较大的陷阱位点 ...
常见的拉曼信号增强方法拉曼散射依赖于声子对光的非弹性散射，其效率非常低(通常每约105-107个光子中就会产生一个拉曼散射光子)，导致拉曼散射截面为10−26-10−31cm2。如果被探测材料的可用散射体积非常小，就像二维半导体的情况(散射体积等于激光光斑面积乘以µ2范围内的面积乘以二维材料的亚纳米厚度)，这是特别关键的。因此，测量激光功率密度保持在损伤阈值以下通常需要很长的采集时间，以获得足够好的信噪比。关于第②个限制，传统光学测量中的SR是由光学衍射极限(使用高数值孔径物镜的激发波长的大约一半)决定的。因此，在现代微拉曼装置中，当使用可见范围内的较短激发波长时，可以实现的较小探测尺寸约为2 ...
与快速拉曼和光致发光成像技术联用，该项技术将给科研工作者更便捷的手段进行与量子计算机等新兴技术密切相关的单光子源研究。单光子源具有独特的量子力学特性，其在量子技术和信息科学中得到了广泛的应用，包括量子计算机开发和密码学技术研究等等。常见的单光子源有金刚石中的氮空位（NV）色心、单个荧光分子、碳纳米管和量子点等。反聚束实验则是鉴别单光子源的重要表征方法。知识拓展”NV（Nitrogen-Vacancy）色心是金刚石中的一种点缺陷。金刚石晶格中一个碳原子缺失形成空位，近邻的位置有一个氮原子，这样就形成了一个NV色心。反聚束效应是一种量子力学效应，它揭示了光的类粒子行为。它是由于单光子源一次只能发射 ...
、钙钛矿器件光致发光和电致发光成像瓦伦西亚大学的Henk Bolink博士与IPVF（前身为IRDEP-法国光伏能源研究与发展研究所）的研究人员合作，研究了具有不同电子传输层（PCBM和C60）的混合有机-无机甲基碘化铅钙钛矿（CH3NH3PbI3）太阳能电池的性能。用IMA获得的发光高光谱数据有助于识别此类器件中的严重不均匀性（图1）。这些空间不均匀性与载体提取问题有关，导致细胞的填充因子有限。图1根据在1.15V和1.16V施加偏置下拍摄的EL高光谱图像计算的当前传输效率fT图。对于使用PCBM（a，c，器件A）或C60（b，d，器件B）作为电子传输层（ETL）的钙钛矿太阳能电池，在微尺度 ...
。通过高光谱光致发光成像分析损伤。Photon公司的高光谱平台（IMA）由光学显微镜与CW532 nm 激光器和基于体积布拉格光栅的高光谱滤光片组成。该套系统在400nm至1000nm范围内具有灵敏度，并提供高光谱（<2nm）和空间分辨率（~μm）。CIGS的典型PL研究是在局部激发下进行的，这导致电荷向较暗的区域扩散。全局照明产生的等电位减少了这种影响，并允许在更接近太阳能电池的实际工作模式下进行测量。图1显示了从高光谱数据中提取的P1和P2谱线周围的PL曲线。PL图显示了P1线的边缘附近的发射淬灭。进一步的研究表明，这种效应导致PL强度降低了约30%，而不是由于成分变化。这一观察结果 ...
法是稳态偏振光致发光(PL)测量。通常，这是通过使用连续波(cw)来实现的，平面内圆偏振光源具有接近带隙能量分离的光子能量。这将在半导体中产生净非平衡自旋取向具有适当的自旋偏振光学跃迁的系统。当系统松弛时，会有一个优先的自旋方向，这将表现为PL中两个圆螺旋度(I+(−))之间的强度差。通过计算圆极化度，可以直接读出自旋极化，P = (I+−I−)/(I+ + I−)。描述半导体P的稳态速率方程为：式中P0为激发时圆偏振度。τr和τs分别为复合寿命和自旋寿命。这种极化可以在磁场中进一步研究。事实上，对于相对于样品施加的面外场，塞曼效应将分裂自旋水平。这导致读出偏振不平衡，即使是线偏振光，这一结果 ...
低温真空)的光致发光衰减，作为这种衰减发生速度的一个例子。在环境条件下，硒的排放衰减迅速，而在其他两种环境条件下，其降解速度要慢得多。InSe的表面敏感性促使人们采取措施降低氧化速率，从而稳定薄样品的光学性质。图1.左图显示了在532 nm, 1 mW激发光源下，低层InSe的光致发光随时间的衰减。蓝色是在空气中，绿色是在真空中，红色是在10k的真空中。右图说明了在光照下导致InSe快速降解的三种化学过程:(I)氧化，(II)解离和(III)与水的相互作用。为了保护薄层铟不被降解，常用的技术是干封装。该方法采用二维材料，如六边形玻恩氮化物(hBN)或Gr作为顶层和底层，防止空气和水分进入。西北 ...
特性[1]。光致发光（PL）或电致发光（EL）的强度映射为评估非辐射损耗和材料效率提供了一种迅速的方法。Photon etc.公司的IMA和GRAND-EOS高光谱显微镜提供了光谱和空间分辨的PL和EL图，覆盖了从几百平方微米到几平方厘米的不同视场。这些图像能够在2cm x 2cm的视场上显示硅器件的EL图像，捕捉到器件上的微小不均匀性，如图1、图2所示。这些不均匀性可能会影响器件的性能和效率，因此通过这些图像进行分析和评估对于改进太阳能电池的设计和制造至关重要。利用这些技术，研究人员和工程师可以迅速识别并解决潜在的问题，以确保生产出高效且可靠的太阳能电池。图1、1040 nm的高光谱数据中提 ...
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