射波长处，激光模式与下一个高阶纵向模式竞争，当MEMS电流高于27mA时，纵向模式zui终在1524nm处开始激光。排放峰值随加热功率的变化如图4(b)所示。依赖于Lair的发射波长λ与加热功率P热成正比，也与调谐电流Imems的平方成正比：其中，Rmems=40Ω为MEMS电极的欧姆电阻。由于工艺相关问题，ARC部分蚀刻。因此，激光器无法调谐到整个FSR，该MEMS VCSEL的FSR为94nm。值得一提的是，FSR可以通过进一步减小牺牲层的厚度来提高，从而使半VCSEL和MEMS DBR之间的初始气隙变小。光输出功率(P)和电压(V)随激光电流（IL）的变化如图5所示。发射波长调谐到155 ...
概念，绘制了光模式约束作为波长的函数，对于具有相似波导参数的MWIR和LWIR激光器。图3LWIR激光器的优点之一是能够充分利用晶格匹配和应变补偿InGaAs/InAlAs材料的带隙偏移，而MWIR激光器需要高应变生长以改善电子约束，从而提高电流注入效率。这种MWIR设计方法的缺点是需要高偏置电压，这反过来又有助于产生更大的热功率。LWIR范围内的典型工作电压（7-10 V）明显低于MWIR范围（10-15 V），从而使应用工程更具容忍度。LWIR激光器的典型能带结构如图3所示与InP匹配的InGaAs/InAlAs晶格的带偏移估计为βECB = 0.52 eV，激光发射波长为λ = 9.1 ...
的：它允许激光模式的光学限制在横向方向，并有助于优化散热，通过改善在活跃区域产生的热量的横向传输，并通过平面化设备的顶面，从而允许向下安装激光器。通过电子束蒸发沉积顶部和底部触点金属，随后在顶部触点上电解镀一层厚金层，从而完成了器件的制造。这些器件被切成小块，铟被焊接到铜支架上，以获得非常佳的散热效果。设备温度由安装在设备本身附近的温度传感器监测。图2(A)显示了安装的器件和完整波导的面。图2在分布式反馈（DFB）激光器的情况下，MOCVD生长在包括InP缓冲层和InGaAs牺牲光栅层的有源核心完成后被中断。电子束光刻是为了直接在InGaAs牺牲层的顶部跟踪光栅图案，然后蚀刻以获得单模工作所需 ...
括，例如，激光模式和较长波长的有源区域之间的重叠减少。特别是后者，对激光阈值和斜率效率都有贡献，因此以不同的方式影响激光的操作。从脉冲和连续模式下阈值电流的比较[见图4(c)]，我们可以估计相对于散热器的活性区域温度的增加约25 K，我们假设在低占空比（<1%）的脉冲模式下工作时，器件没有发生明显的加热。分布式反馈激光器已经由与DFB-C工艺相同的材料制成。波导核心在有源区两侧包括InGaAs包层，以增加光约束。我们的dfb利用了波导的这一特性，在波导InGaAs包层中蚀刻一个周期图案，随后再生长InP低折射率层作为光波导的顶部包层。在另一种方案中，牺牲InGaAs蚀刻层在距离有源核心一 ...
专用于测量激光模式、激光线宽与边带的激光光谱仪；偏振态分析仪；用于测量指向稳定性以及激光调试时使用的激光位置敏感探测器、四象限探测器；用于红外激光调试的红外观察仪。以及专门用于超快激光器脉宽、光谱、色散分析的FROG超短脉冲分析仪、自相关仪等。 ...
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