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在谐振腔中的单程损耗，n为折射率，L为腔长，λ0=c/v0为真空中的波长。可见Q值与损耗因子δ成反比。调Q即改变谐振腔的损耗因子，比较常见的有控制反射损耗的电光调Q，控制衍射损耗的声光调Q和控制吸收损耗的可饱和吸收体调Q。电光调Q技术：电光调Q技术的原理是普克尔斯（Pockels）效应——即一级电光效应，电光晶体的双折射效应与外加电场强度成正比，偏振光经过电光晶体后，偏振面旋转的角度与晶体长度和两侧所加电压的乘积成正比。电光调Q激光器的原理图如下所示：目前普遍应用的电光晶体有KD*P（磷酸二氢钾(KDP),磷酸二氘钾(DKDP)）晶体和LN（铌酸锂LiNbO3）晶体。当线偏振光入射到电场中的晶 ...
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