液态变焦透镜在显微镜领域的应用（本文部分译自Focus-Tunable Lenses Enable 3-D Microscopy（DAVID LEUENBERGER, OPTOTUNE AG, AND FABIAN F. VOIGT, UNIVERSITY OF ZURICH））1.介绍显微镜初学者可能会感到困惑，当他们注意到样本中只有轻微失焦的部分在图像中看起来却模糊得多。人眼看到的景深似乎比相机看到的景深要大得多。这种令人困惑的效果之所以发生，是因为眼睛能够调节焦距：在使用显微镜观察时，用户会不断地——通常是无意识地——通过调整眼球晶状体的焦距来改变聚焦平面，而不需要触摸调焦旋钮。因此，自 ...
高动态范围生物激发偏振成像仪摘要：偏振是光的三个基本特性之一，另外两个是颜色和强度，但大多数脊椎动物，包括人类，对这种光形态是盲目的。相比之下，许多无脊椎动物，包括昆虫、蜘蛛、头足类动物和口足类动物，已经进化到用高动态范围光敏细胞检测偏振信息，并在视觉引导行为中利用这些信息。在本文中，我们提出了一种高动态范围极化成像传感器的灵感来自于螳螂虾的视觉系统。我们的生物灵感成像仪在配备对数光电二极管的384 × 288像素上实现140 dB动态范围和61 dBMax信噪比。与有源像素传感器相反，单个像素中的光电二极管在反向偏置模式下工作，并产生高达~ 60 dB的动态范围，我们的像素通过在正向偏置模式 ...
拉曼在电化学剥离二硫化钼薄膜的喷墨印刷大面积柔性光电探测器件阵列中的应用摘要：尽管在过去的几年中已经报道了各种基于MoS2的光电探测器，但由于MoS2薄膜的低产量和低质量，用于光电成像的大面积光电探测器阵列的控制制造仍然是一个主要挑战，本文首次展示了一种基于叠层二硫化钼纳米片的高性能喷墨打印柔性光电探测器阵列。将季铵离子插入MoS2体中，得到2H相MoS2纳米片。在室温下，喷墨打印光电探测器的响应率为552.5AW-1， 探测率为1.19×10 12 Jones，快速响应时间为23ms，恢复时间为26ms，具有优异的性能。 此外，成功构建了85像素/英寸的光电探测器阵列，并清晰地识别了字母“T ...
拉曼在二维材料Bi2O2Te光电探测器的应用引言：自从2D Bi2O2Se材料合成报道以来，研究发现该材料不同于传统的范德华2D层状结构，因为其层通过相对较弱的静电力保持在一起。重要的是，通过化学气相沉积（CVD）方法制备2D Bi2O2Se纳米片显示出>20000 cm2V−1s−1的超高霍尔迁移率值和约0.8 ev的带隙能量，由于量子限制效应，其强烈依赖于膜厚度。这导致了相关研究工作者对二维氧氯铋（Bi2O2X:X=S，Se，Te）族的研究兴趣的增加。然而，迄今为止，很少研究2D Bi2O2Te，它是Bi2O2Se的表亲材料，由具有I4/mmm空间群（a=3.98Å，c=12.70Å ...
拉曼在通过促进氧功能化石墨烯夹层的空穴迁移来改善有机光电器件性能的应用引言：聚（3,4-乙烯二氧噻吩聚苯乙烯磺酸酯）（PEDOT：PSS）因其具有有利偶极子形成、可调能态和高效空穴迁移的出色性能，被广泛用作各种具有多层结构的有机光电器件中的空穴传输层（HTL）。然而，PSS的酸性会导致重金属成分从透明导电氧化物衬底（即氧化铟锡）中溶解，从而降低有机活性层的光伏性能。因此，从PEDOT： PSS与有机活性层之间的界面中分离出酸性PSS，可以有效地解决器件的不稳定性问题。由于PEDOT 和 PSS 之间存在静电相互作用，因此通常会在 PEDOT：PSS HTL 中添加掺杂剂或溶剂，以操纵它们的键合 ...
原位拉曼对单层二硫化钼生长机理的研究应用摘要：化学气相沉积（CVD）的原位研究对于理解过渡金属二硫化物（TMDs）的生长机制和开发高质量单层单晶生长技术至关重要。然而，由于TMD CVD生长是在高温还原环境下进行的，因此原位研究在实践中仍然是一个巨大的挑战。本文使用的原位CVD生长研究系统，就提供了单层MoS2沉积在衬底上的SiO2/ Si实时观察。本文发现，单层MoS2应通过气态前驱体反应生长并从衬底上的预成核位点结晶，中间相MoO2对于成核种子至关重要，但种子分布密度应该得到控制，高浓度的S蒸汽促进了MoS2的面内外延生长；因此，获得具有致密结构的高质量单层是非常有益的。二维过渡金属二硫族 ...
原位拉曼在非晶态氢氧化钴纳米片的合成及其相变为结晶氧化钴的电化学性能的应用引言：过渡金属氧化物是过渡金属和氧离子的化合物，具有与传统半导体材料不同的特性，具体取决于金属离子的类型以及阳离子和阴离子之间的化学计量组成。可以实现绝缘性能，还可以实现没有电阻的超导性能。zui近，许多工作对元素周期表第 4 期中金属离子组成的氧化物的电化学性质进行研究报道，特别是钴基氧化物的催化活性。钴基氧化物包括氢氧化钴（Co（OH）2)、氢氧氧钴 （CoOOH）和各种氧化钴（六方CoO、立方 CoO、Co3O4和 CoO2）阶段。它们主要表现出电催化行为，并具有基于相晶体结构的多功能催化机理.在氢氧化钴的情况下， ...
100Gb/s单VCSEL数据传输链路互联网和云计算应用程序的快速增长促使数据中心将其链路从目前常用的10gb/s升级到100Gb/s以上，而在不久的将来，碳排放和房地产足迹几乎没有增加。这两种相互抵消的需求导致对采用直接调制（DM）垂直腔面发射激光器（VCSELs）的短程光通信系统的更高数据容量的追求；由于具有高比特率、低驱动电压和阵列集成能力等有吸引力的特性组合，这种激光类型正迅速成为互连应用的第1选择激光源。现有的100Gb/s短距离互连标准（100GE-SR10）规定使用10个波长，每个波长以10Gb/s的速度运行，而下一代标准（100GE-SR4）使用4个激光，每个波长以25Gb/s ...
垂直磁化MgO/Pt/Co异质结构中自旋反射诱导的无场磁化开关在这项研究中，我们证明了MgO/Pt/Co异质结构中的无场SOT开关，通过与介电MgO层接口来调制Pt内的自旋反射和自旋密度。通过异常霍尔电压环位移测量，我们确定在没有外部磁场的情况下，SOT作为有效的面外磁场对磁化强度起作用。通过替换MgO层并将其与高导电性Ti或Pt进行比较，我们证实MgO确实负责无场SOT开关。此外，MgO的厚度依赖性表明，在5和8 nm之间的非常佳的开关比高达80%。这项工作提供了利用介电/HM界面处的自旋反射来实现无场SOT磁化开关的技术，对于开发大规模集成的SOT- mram和自旋逻辑器件具有重要意义。此 ...
宽可调谐1550纳米MEMSVCSEL的10gb/s直接调制(1)-简介自1977年Iga首次提出垂直腔面发射激光器（VCSEL）以来，为了使其成为光通信中具有竞争力的高速光源，已经进行了大量的发展。发射波长在850nm左右的GaAs VCSEL由于具有高调制带宽和光输出功率，已经成为部署在多模光纤局域网中的主导光源。报告的z高数据速率可达71Gb/s，适用于链路长度<100m的数据中心应用。另一方面，在1300-1600nm波长范围内发射的长波长VCSEL在电信领域也取得了显著的成熟水平。对于快速发展的应用，如计算机通信、接入网、无线基站之间的互连和通信，它们是非常有吸引力的光源。与传 ...
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