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“鬼光谱”突破高光谱取舍：PPKTP量子成像方案高光谱成像一直有个让人头疼的矛盾：想要光谱分辨率，就得牺牲空间分辨率，或者反之。而在量子成像领域，基于纠缠光子对“鬼成像”已展现出突破传统光学探测边界的潜力。而当量子关联从空间维度延伸至光谱 — 时间维度，高光谱成像也迎来了新的技术路线。近期，来自加拿大guo家研究委员会的研究团队提出一种量子关联高光谱成像技术（QCHSI）。该方案利用PPKTP晶体通过自发参量下转换（SPDC）产生高质量纠缠光子对，将量子鬼成像的关联测量思想与快照式高光谱成像结合，在不显著牺牲空间分辨率的前提下，实现了单光子级、高效率的快照高光谱成像。高光谱成像的传统瓶颈高光谱 ...
以10.7Gb/s在99.7公里PON中传输自由运行1550nm VCSEL-结果与讨论我们评估了系统内关键点获得的光信号，并利用不同长度的PRBSs来评估系统对图案长度依赖效应的敏感性。分别在35km、40km、50km（MS1）和99.7km（MS1和MS2）光纤色散补偿传输后对传输信号进行观测。所获得的眼图未观察到随所使用的PRBS的变化而有显著变化。使用长度为27-1比特的PRBS，我们使用20GHz内部光电探测器在示波器上观察了眼图，并给出了图4所示的走线。除非另有说明，进入前置放大器的光功率电平控制在±20dBm，进入PD的光功率电平控制在-9dBm。表2给出了传输上行链路中这些关 ...
拉曼在利用在纯水中环保大规模生产MoS2薄片来改善摩擦纳米发电机的性能中的应用引言：自2012年有研究人员开发出摩擦电纳米发电机（TENG）以来，TENG通过两种不同材料之间的静电充电和静电感应耦合过程发电，TENGs一直被认为是在自然界中很有前途的收集机械能的技术。静电充电，特别是摩擦电充电，由于电子在两个接触表面之间转移，两种材料在接触时表现出不同的极性。由于接触材料趋于平衡其费米能级，电子从具有较低功函数的材料（电子供体）流向具有较高功函数的材料（电子受体）。当接触表面达到平衡状态时，电子供体带正电，而电子受体带负电。在这个阶段，这两种材料的分离导致电子受体中残留电子。在TENGs中，残 ...
拉曼在添加二氧化硅气凝胶对暴露于不同环境的CNT嵌入式水泥基传感器的电学和压阻式传感稳定性的影响中的应用引言：水泥基材料通常用于建筑，但当暴露于不同的环境因素时，它们会产生裂缝。因此，人们采用了各种监测这些材料结构健康状况的方法，并统称为SHM 。近年来，研究人员通过在水泥基材料中添加导电材料，利用导电水泥复合材料的开发了水泥基传感器。这些传感器已被建议用于 SHM。这些水泥基传感器与土木结构的兼容性及其经济性使其在建筑领域具有广阔的应用前景。有人通过添加1.0 wt%的石墨烯来制造石墨烯/水泥基传感器，当给其施加5 MPa的压缩应力时，电阻（FCR）的分数变化约为8%。有人通过加入0.5%的 ...
拉曼在通过促进氧功能化石墨烯夹层的空穴迁移来改善有机光电器件性能的应用引言：聚（3,4-乙烯二氧噻吩聚苯乙烯磺酸酯）（PEDOT：PSS）因其具有有利偶极子形成、可调能态和高效空穴迁移的出色性能，被广泛用作各种具有多层结构的有机光电器件中的空穴传输层（HTL）。然而，PSS的酸性会导致重金属成分从透明导电氧化物衬底（即氧化铟锡）中溶解，从而降低有机活性层的光伏性能。因此，从PEDOT： PSS与有机活性层之间的界面中分离出酸性PSS，可以有效地解决器件的不稳定性问题。由于PEDOT 和 PSS 之间存在静电相互作用，因此通常会在 PEDOT：PSS HTL 中添加掺杂剂或溶剂，以操纵它们的键合 ...
原位拉曼对单层二硫化钼生长机理的研究应用摘要：化学气相沉积（CVD）的原位研究对于理解过渡金属二硫化物（TMDs）的生长机制和开发高质量单层单晶生长技术至关重要。然而，由于TMD CVD生长是在高温还原环境下进行的，因此原位研究在实践中仍然是一个巨大的挑战。本文使用的原位CVD生长研究系统，就提供了单层MoS2沉积在衬底上的SiO2/ Si实时观察。本文发现，单层MoS2应通过气态前驱体反应生长并从衬底上的预成核位点结晶，中间相MoO2对于成核种子至关重要，但种子分布密度应该得到控制，高浓度的S蒸汽促进了MoS2的面内外延生长；因此，获得具有致密结构的高质量单层是非常有益的。二维过渡金属二硫族 ...
原位拉曼在非晶态氢氧化钴纳米片的合成及其相变为结晶氧化钴的电化学性能的应用引言：过渡金属氧化物是过渡金属和氧离子的化合物，具有与传统半导体材料不同的特性，具体取决于金属离子的类型以及阳离子和阴离子之间的化学计量组成。可以实现绝缘性能，还可以实现没有电阻的超导性能。zui近，许多工作对元素周期表第 4 期中金属离子组成的氧化物的电化学性质进行研究报道，特别是钴基氧化物的催化活性。钴基氧化物包括氢氧化钴（Co（OH）2)、氢氧氧钴 （CoOOH）和各种氧化钴（六方CoO、立方 CoO、Co3O4和 CoO2）阶段。它们主要表现出电催化行为，并具有基于相晶体结构的多功能催化机理.在氢氧化钴的情况下， ...
面向不同波段与高NA的紫外光学系统表征方法在半导体微纳加工与高端光刻系统中，紫外（UV）及深紫外（DUV）光学系统构成了工艺节点的物理基石。随着制程技术的演进，紫外光谱被精细地切割为多个独立的工作波段，每一个波段都对应着特定的光源形态、数值孔径（NA）极限以及成像架构。这种高度分化的技术路线，决定了光学表征方法必须具备极强的场景依赖性与针对性。一. 物理边界：瑞利判据与k₁因子的博弈光刻系统本质上是一个受衍射限制的投影成像系统。其分辨能力由瑞利判据（Rayleigh criterion）严格定义：CD = k1 · λ / NA其中λ代表波长，NA 代表数值孔径，这里的NA指晶圆侧在浸没介质中 ...
垂直磁化MgO/Pt/Co异质结构中自旋反射诱导的无场磁化开关在这项研究中，我们证明了MgO/Pt/Co异质结构中的无场SOT开关，通过与介电MgO层接口来调制Pt内的自旋反射和自旋密度。通过异常霍尔电压环位移测量，我们确定在没有外部磁场的情况下，SOT作为有效的面外磁场对磁化强度起作用。通过替换MgO层并将其与高导电性Ti或Pt进行比较，我们证实MgO确实负责无场SOT开关。此外，MgO的厚度依赖性表明，在5和8 nm之间的非常佳的开关比高达80%。这项工作提供了利用介电/HM界面处的自旋反射来实现无场SOT磁化开关的技术，对于开发大规模集成的SOT- mram和自旋逻辑器件具有重要意义。此 ...
高能效量子级联激光器量子级联激光器（qcl）是基于半导体量子阱的子带间跃迁。当电子从前面的注入区进入活跃区，在上下激光能级之间经历辐射跃迁，并随后被提取到下一个下游注入区时，产生光子。电子从注入区进入下一个活跃区是通过注入地能级和上激光能级之间的共振隧穿发生的。隧穿速率，以及许多其他性能相关参数，可以通过量子设计来设计，例如，通过耦合强度的设计，耦合强度被定义为注入器地面能级和上激光能级在完全共振时能量分裂的一半。理论分析表明，快速隧穿速率是实现高激光壁塞效率（WPE）的关键因素。一方面，隧穿速率越快，所能支持的Max工作电流密度就越高，因此电流效率（即激光器工作在高于阈值多远的地方）也就越高 ...
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