表面增强拉曼衬底 SERStrate——超灵敏分子检测超灵敏！昊量光电SERS衬底让痕量分子检测更简单高效在痕量分子检测领域，传统SERS衬底面临多重挑战：复杂的光刻工艺推高制造成本，信号均匀性差导致定量分析困难，灵敏度不足难以捕捉超低浓度分子，且严苛环境下稳定性堪忧。昊量光电全新推出的SERStrate SERS衬底，以革命性反应离子刻蚀工艺打破瓶颈，实现从“痕量检测”到“精准分析”的跨越，为生命科学、食品安全、环境监测等领域提供定制解决方案。一、技术原理SERStrate衬底采用金/银纳米柱阵列结构，其技术原理是当入射激光激发时，金属表面自由电子产生集体振荡，形成强烈的局域电磁场“热点”。 ...
一张照片，全幅清晰！看AI超景深显微镜如何征服“凹凸不平”的考古文物三维微观结构近年来，超景深显微镜在科技考古与文物保护领域的应用越来越广泛，下文给出几个使用案例。一、为什么观察文物需要超景深显微镜？普通光学显微镜景深小，适合观察“薄而平”的样本，而文物往往“厚、大、凹凸不平、脆弱”，需要景深大的超景深3D数码显微镜才能在同一时间看清不同高度的表面。超景深显微镜的原理是：通过成像系统在z轴扫描、CCD成像，捕捉样品上每个进入焦点的不同区域的图像，再利用3D合成重建算法，获得高分辨率，大景深的全幅对焦的三维图像。对于面积大的样品，可进行图像2D拼接和3D拼接，这样就能在显示器上清晰观察到放大的样 ...
以10.7Gb/s在99.7公里PON中传输自由运行1550nm VCSEL-结果与讨论我们评估了系统内关键点获得的光信号，并利用不同长度的PRBSs来评估系统对图案长度依赖效应的敏感性。分别在35km、40km、50km（MS1）和99.7km（MS1和MS2）光纤色散补偿传输后对传输信号进行观测。所获得的眼图未观察到随所使用的PRBS的变化而有显著变化。使用长度为27-1比特的PRBS，我们使用20GHz内部光电探测器在示波器上观察了眼图，并给出了图4所示的走线。除非另有说明，进入前置放大器的光功率电平控制在±20dBm，进入PD的光功率电平控制在-9dBm。表2给出了传输上行链路中这些关 ...
宽可调谐1550纳米MEMSVCSEL的10gb/s直接调制（3）-静态特征对于静态特性，MEMS VCSEL二极管通过向顶部（非接触）和底部（p接触）触点板注入直流电流IL来电泵浦，MEMS通过向MEMS电极注入另一个直流电流Imems来驱动，如图3所示。BCB MEMS可调谐VCSEL在19mA固定偏置下的发射光谱如图4(a)所示。激光从1524nm开始，MEMS加热电流为8mA。在与激光模相邻的较低波长处可以看到被抑制的高阶横模。随着加热功率的增大，初始气隙=4.3μm也增大。因此，单模发射波长不断向更高的值移动。图4 (a)连续波（CW）下，不同MEMS加热电流下固定偏置19mA的VC ...
离散小波变换连续小波变换公式如上所示，可以改变尺度s，从而改变信号的频率，也可以改变平移的参数。例如对于同样以信号如果对上述信号， 以MorletWavelet作为基底，做连续傅里叶变化连续小波变换的参数是模拟量，可以是无限多的，但实际并不是需要那么多参数。因此离散小波变换在上述公式的基础上，对公式进行离散化，不同参数之间通常是2的倍数。同样的信号，如果以MeyerWavlet作为母小波，层数设置为3， 使用离散小波变换，得到的结果为如下：离散小波变换原理如下，初始信号经过高通滤波器，得到高通信号（一阶细节信号）和一个低通信号（一阶近似信号），高通和低通滤波器带宽为。如果需要继续分解，则将低通 ...
小波变换FFT对于一个信号，频率成分分别为10Hz，25Hz，50Hz和100Hz。以1ms为间隔进行采样，采样次数为1000其傅里叶变换后，其频谱上有四个峰值，分别表示四个频率。但是FFT也存在一些缺点，例如假设都是整个范围内情况都是稳定的。如果遇到不稳定的情况下，例如将上述信号，每段信号只取1/4秒傅里叶变换仍旧是假设整个频域内都是充满稳定的三角函数。虽然频域看似相同，但是实际无法反应时域上真正的特性。STFT表示窗口函数对于不稳定的信号，可以使用窗口函数，每次平移一段距离后做傅里叶变换。zui终得到一个三维坐标系，横坐标分别表示时间、频率，纵坐标为频率。从下方的3D视图，可以看出相比于F ...
低功耗SiGe VCSEL驱动和TIA工作在2.5 V的40Gb /s 1.5µm VCSEL链路直接调制激光电流的高速垂直腔面发射激光器（VCSEL）驱动器有两种配置：阳极驱动和阴极驱动。阳极驱动有可能降低VCSEL驱动器的供电电压，而阴极驱动避免在高速路径中使用较慢的p型晶体管。但两者仍有一个共同点，即VCSEL驱动器在多个电源电压下工作以降低功耗，激光电源电压范围为3.3V至5.8V。在本文中，我们将进一步关注阴极驱动，并提出一种解决方案，以摆脱多个电源电压。阴极驱动VCSEL变送器可以在输出端使用反向端接电阻来实现，以改善转换时间。不幸的是，这在驱动器的供电电压和共阳极激光的供电电压之 ...
图1a通过在衬底/X/Pt/Co/Ti异质结构中衬底和Pt之间插入种子层X，展示了衬底/X和X/Pt的界面。当电荷电流沿Pt层x方向流动时，自旋向上和自旋向下的电子通过体SHE向相反方向散射，产生沿y方向排列的极化py的自旋电流。在进入Co层后，自旋电流对Co的磁矩施加抗阻尼转矩τDL≈mx （M × py）和类场转矩τFL≈M× py。由于Pt的自旋扩散长度（1.6 ~ 3 nm）小于种子层的厚度X和Pt，因此基片/X界面的自旋散射可以忽略，从而导致从基片/X界面反射到Co层的自旋可以忽略。因此，在这种特殊的异质结构中，X/Pt界面的自旋散射而不是衬底/X的自旋散射是主要的。图1b显示了Mg ...
D）在InP衬底上生长了QCL结构，该结构由低损耗的InP基波导包层组成，包层位于43个重复的注入/活性区序列之上。每个注入区掺杂片密度为1*1011cm-1。采用传统的III-V型半导体加工技术制备了脊宽为13.5 ~ 21.5 mm的脊波导激光器。采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）沉积0.3 mm的SiOx绝缘层，通过电子束蒸发沉积30 nm/300 nm的薄钛金顶部金属触点，然后将衬底减薄至200 mm，并沉积20 nm/200 nm的锗金底部金属触点。直径为190 mm的圆形平台样品（用于电致发光和电子传输测量）由相同的晶圆使用类似的技术制造，除了不需要SiOx绝缘层。激光器 ...
子阱界面，对衬底温度、界面切换机制、生长速率、V/III比等生长参数进行了迭代生长条件优化。虽然还没有完全解释，界面粗糙度肯定在QCL性能的定义中起作用。模拟和实测x射线衍射曲线对比如图1所示。测量是在用于MWIR QCL设计的InGaAs/InAlAs多层材料上进行的，生长应变分别为~ 1%的拉伸/压缩应变平衡。总的来说，需要在完整的结构中实现少量的残余应变，并且x射线图中的卫星峰需要窄才能认为材料质量好。仿真曲线与实验曲线吻合较好控制生长参数。用极化子C-V测试来监测结构中的掺杂情况。采用高分辨率扫描电子显微镜（SEM）和诺玛斯基显微镜（Nomarski microscope）技术对生长的 ...
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