中文：衬底；英文：substrate

表面增强拉曼衬底 SERStrate——超灵敏分子检测超灵敏！昊量光电SERS衬底让痕量分子检测更简单高效在痕量分子检测领域，传统SERS衬底面临多重挑战：复杂的光刻工艺推高制造成本，信号均匀性差导致定量分析困难，灵敏度不足难以捕捉超低浓度分子，且严苛环境下稳定性堪忧。昊量光电全新推出的SERStrate SERS衬底，以革命性反应离子刻蚀工艺打破瓶颈，实现从“痕量检测”到“精准分析”的跨越，为生命科学、食品安全、环境监测等领域提供定制解决方案。一、技术原理SERStrate衬底采用金/银纳米柱阵列结构，其技术原理是当入射激光激发时，金属表面自由电子产生集体振荡，形成强烈的局域电磁场“热点”。 ...

瑞士 precision 3MH4 数字特斯拉计：0.1% 绝对精度，重新定义磁场测量“新标尺”摘要：本文以“重新定义磁场测量新标尺”为核心，针对半导体、大科学装置及精密电机领域，详细阐述了该产品如何通过纯数字架构解决传统模拟仪器的温漂与噪声痛点。内容涵盖了0.1%绝对精度、亚毫米级空间分辨率及真三维数字传输等技术优势，并通过对比传统设备突出了其在弱磁测量、环境测试及动态监测中的卓越性能，zui后介绍了SENIS的品牌背景与中国代理商星朗浩宇的服务能力。告别模拟信号衰减，这才是科研级数字特斯拉计该有的样子在追求精度的磁学测量领域，微小的误差往往意味着巨大的偏差。对于上海及长三角地区的顶尖科研机 ...

用于12.5Gbit/s光互连的高速1.3um VCSEL在过去的几年里，在1.3um波长范围内发射的长波长垂直腔表面发射激光器（VCSELs）在器件性能方面取得了长足的进步，并达到了一定的成熟度，可以进入工业应用。虽然成熟的GaAs基技术利用GaInNA的有源区扩展到约1.3um，但许多方法表明，InP基器件概念可以获得优异的性能，这些概念受益于AlGaInAs/InP应变量子阱的优异增益特性，并通过使用介电镜、散热器或晶片键合技术来规避热问题。我们的解决方案是一种基于InP的单片方法，使用具有自完成电流和折射率引导的埋隧道结（BTJ）。利用这一概念，我们zui近展示了1.55um波长的器件 ...

子阱界面，对衬底温度、界面切换机制、生长速率、V/III比等生长参数进行了迭代生长条件优化。虽然还没有完全解释，界面粗糙度肯定在QCL性能的定义中起作用。模拟和实测x射线衍射曲线对比如图1所示。测量是在用于MWIR QCL设计的InGaAs/InAlAs多层材料上进行的，生长应变分别为~ 1%的拉伸/压缩应变平衡。总的来说，需要在完整的结构中实现少量的残余应变，并且x射线图中的卫星峰需要窄才能认为材料质量好。仿真曲线与实验曲线吻合较好控制生长参数。用极化子C-V测试来监测结构中的掺杂情况。采用高分辨率扫描电子显微镜（SEM）和诺玛斯基显微镜（Nomarski microscope）技术对生长的 ...

包括与InP衬底相匹配的多阱InGaAs/InAlAs有源区域晶格，以及所谓的结合-连续体或等效方式的四个或更多有源阱。活性阱周期性地重复30-40次，并被厚的、低掺杂的、InP包层包围，在顶部触点下方有等离子体增强的约束层。图1图1显示了器件QCL-A的电光特性。这种情况下的波导尺寸为：width×length = 7.5 μm×4 mm。发射波长以λ = 6.14 μm为中心，Max输出功率为P = 1.25 W。高反射涂层可用于器件的单面发射。在电流为I = 1.2 A时，Max壁插效率（定义为器件的电光转换效率，不包括热电冷却器（TEC）所需的功率，η = Pout/Pin）为η = ...

基于细胞微流控的阻抗测试解决方案摘要基于细胞微流控的阻抗测试技术，作为一种新兴的技术，结合了微流控芯片技术与电阻抗谱（EIS）技术，广泛应用于生物医学、细胞分析以及微流控系统的研究与开发。这种技术能够在不依赖光学显微镜的情况下，实现对微流控系统中液体流动、界面行为以及细胞状态的实时监测和检测。本文将从微流控技术、电阻抗测试原理、细胞应用以及未来发展趋势等方面进行讨论。一、技术背景1.1微流控芯片的基本原理与技术特点微流控技术通过微型化的流体通道和精密的流体控制，能够在微小尺度上实现液体的操控。微流控芯片通常包括多个微通道、阀门、泵和传感器等组件，能够对流体进行精确的处理和控制。与传统的宏观流体 ...

以10.7Gb/s在99.7公里PON中传输自由运行1550nm VCSEL-结果与讨论我们评估了系统内关键点获得的光信号，并利用不同长度的PRBSs来评估系统对图案长度依赖效应的敏感性。分别在35km、40km、50km（MS1）和99.7km（MS1和MS2）光纤色散补偿传输后对传输信号进行观测。所获得的眼图未观察到随所使用的PRBS的变化而有显著变化。使用长度为27-1比特的PRBS，我们使用20GHz内部光电探测器在示波器上观察了眼图，并给出了图4所示的走线。除非另有说明，进入前置放大器的光功率电平控制在±20dBm，进入PD的光功率电平控制在-9dBm。表2给出了传输上行链路中这些关 ...

氧化硅片作为衬底。材料堆在室温下使用磁控溅射系统（AJA ATC-Orion 8）沉积，基压为8 × 10−8 Torr或更高。在2.0 mTorr的溅射压力和0.68、0.62、0.37、0.30 Å/s的沉积速率下，采用直流沉积法制备了Pt、Ta、Ir和Fe材料。在3.0 mTorr的溅射压力和0.26 Å/s的沉积速率下，通过射频电流沉积Co。顶部和底部的Ta(5)层分别作为抗氧化和粘附的保护层沉积。添加了额外的Ir底层以为重复层提供类似的接口。随后，采用电子束光刻（Raith e-line）和离子铣削（带有Hiden SIMS元素探测器的AJA离子铣削系统）技术，制作了20 μm × ...

基于一阶反转曲线研究的温度调制磁离子相及相变分析(二)使用原位MOKE成像，沿着图2(b)和2(d)所示的三个关键磁场扫描识别域变换，负磁场扫描沿对角线表示为蓝色虚线，两个正磁场扫描与上峰和下谷峰对相交，表示为水平红色虚线。为了验证与每个峰相关的域变换是一致的，我们捕获了19.0°C的孤立天空粒子和26.0°C的天空粒子晶格的MOKE图像。在补充材料中可获得19.0°C， 23.0°C和26.0°C的其他支持MOKE图像。图3图3(c)在19.0°c和图3(f)在26.0°c时沿负磁场向上扫至上峰的HR处，均显示条状畴破裂为更短的段和天空区，留下条状和天空区混合。然而，图3(c)中的区域相距较 ...

射工具沉积了衬底/Ta(5)/Pt(1)/[Co(0.3)/Pt(0.3)]5/Co(0.46)/Ru(0.4)/Co(0.6)/W(0.3)/CoFeB(0.8)/MgO(1.2)/CoFeB(1.2)/Pt(5)薄膜样品，每层厚度以纳米为单位在括号中表示，如图1a所示。图1b中的高角度环形暗场（HAADF）图像显示了堆叠中的光滑界面和高结晶质量。利用高分辨率亮场扫描透射电子显微镜（STEM）观察了具有清晰界面的单个层的外延生长。图1c中的高分辨率TEM （HRTEM）图像表明，获得了具有特定厚度的几乎完美的单晶连续薄膜堆栈。利用二次电子质谱（SIMS）分析了膜层中元素的分布和界面处的z小混 ...