中文：衍射损耗；英文：diffraction loss

光调Q，控制衍射损耗的声光调Q和控制吸收损耗的可饱和吸收体调Q。电光调Q技术：电光调Q技术的原理是普克尔斯（Pockels）效应——即一级电光效应，电光晶体的双折射效应与外加电场强度成正比，偏振光经过电光晶体后，偏振面旋转的角度与晶体长度和两侧所加电压的乘积成正比。电光调Q激光器的原理图如下所示：目前普遍应用的电光晶体有KD*P（磷酸二氢钾(KDP),磷酸二氘钾(DKDP)）晶体和LN（铌酸锂LiNbO3）晶体。当线偏振光入射到电场中的晶体表面，分解成初相位相同的左旋和右旋两束圆偏振光。在晶体中，两束光线的传播速度不同。即从晶体中出射时，两束光线存在相位差。则合成的线偏振光的偏振面已经和入射光 ...

，因此产生的衍射损耗较少。3、非本征型光纤法珀传感器在一个密封导管内形成了长度为d的法珀腔，该该腔由两根端面镀膜的单模光纤组成，导管既实现了腔体的密封又保证了两个端面的同轴平行。相对于本征型光纤法珀传感器，非本征型由于其结构，有以下特点：a) 由于法珀腔是由导管封装而成，所以可以根据需求人为的设计和调整腔长d，这样既可以精确控制腔长又能灵活调整腔长。b) 法珀腔内是折射率为1的空气，介质稳定，且不易受干扰。c) 如果采用与光纤热膨胀系数相同的材料做导管，可以很好地解决传感器的温度效应，这是普通法珀传感器所实现不了的优势。三、测压原理将法珀腔中一个端面制作成薄片，并用此薄片感受压力，当压力作用于 ...

学元件边缘的衍射损耗最小。此外，高斯光束通过自由空间的传播和通过无像差透镜的变换时，除轮廓比例因子外，将始终保持高斯型分布。电矢量沿z轴方向传播的高斯光束的性质可以由下面三个方程式来决定：上式中，R(Z)是距离坐标原点（束腰）Z处的高斯光束的波阵面的曲率半径（为球面），A(r)是高斯光束电矢量在r方向（也就是垂直于光波传播方向）的振幅，A0是波阵面中心的振幅，ω为光束的光斑半径，其中分析式1可以知道，当Z 趋于0的时候，R(Z)趋于无穷，即此时波阵面为平面；当0≤|Z|≤ZR的时候，R(Z)逐渐减小，并且R(Z)>Z，即波阵面的曲率中心不在原点并且会随Z变化而变化，如下图所示。当Z= ± ...

，光束截断和衍射损耗占最后测量误差的比重不应大于1%；所有光学元件都不应对光束相对功率密度分布产生明显影响。当将激光束成像于探测器面进行测试时,计算中应包含成像系统的放大倍数。6.5 标定应在开始测量前对仪器进行标定。可通过在一已知距离使用两个正交放置的微米精度线性平移导轨移动位置敏感探测器进行标定。7，测试程序7.1概述测量应该在激光器生产商评估本款激光器所规定的工作条件下进行。在测试过程中，对被测光束的取样应至少大于1000次。探测器的带宽,包括与之相连的放大器及其他电子设备的带宽，应当大于2次测量时间间隔的倒数的3倍。注：在选用相机类的探测器时，测试系统的带宽受相机帧频的限制。7.2光束 ...