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半导体可饱和吸收体
MoS2作为可饱和吸收体的被动调Q激光器实验装置的示意图如图所示：在 Tm,Ho:YAlO3 (Tm,Ho:YAP) 晶体中，Ho3的5I7→5I8激光跃迁用于实现2 μm波长范围的激光发射。 Tm,Ho:YAP 晶体用于具有155毫米物理腔长的谐振腔。晶体的端面镀有790-800nm和 1.9-2.2 μm的涂层，反射率小于0.5%。一个装有液氮的杜瓦瓶被设计用来将激光晶体冷却到 77 K 的温度。两个激光二极管的中心输出波长分别为 794.1 nm 和 794.0 nm，对应的输出功率分别为20 W和20.1 W。用作Tm,Ho:YAP 激光器的泵浦源。实验中 LD的温度选择为 298.1 ...
制吸收损耗的可饱和吸收体调Q。电光调Q技术：电光调Q技术的原理是普克尔斯（Pockels）效应——即一级电光效应，电光晶体的双折射效应与外加电场强度成正比，偏振光经过电光晶体后，偏振面旋转的角度与晶体长度和两侧所加电压的乘积成正比。电光调Q激光器的原理图如下所示：目前普遍应用的电光晶体有KD*P（磷酸二氢钾(KDP),磷酸二氘钾(DKDP)）晶体和LN（铌酸锂LiNbO3）晶体。当线偏振光入射到电场中的晶体表面，分解成初相位相同的左旋和右旋两束圆偏振光。在晶体中，两束光线的传播速度不同。即从晶体中出射时，两束光线存在相位差。则合成的线偏振光的偏振面已经和入射光的偏振面存在相位差，称为旋光效应。 ...
的常用装置是可饱和吸收体。可饱和吸收体是一种光学器件，它表现出与强度相关的透射，这意味着该器件的行为取决于通过它的光的强度。对于被动锁模，理想情况下，可饱和吸收体选择性地吸收低强度光，但透射足够高强度的光。当放置在激光腔中时，可饱和吸收体会衰减低强度的连续光。然而，由于非锁模激光器所经历的有点随机的强度波动，任何随机的、强烈的尖峰都会优先通过可饱和吸收体传输。随着腔体中的光振荡，这个过程重复，导致高强度尖峰的选择性放大而低强度光吸收。在多次往返之后，这会导致激光器的一系列脉冲和锁模。在频域中，如果一个模式具有光频率 ν 并且在频率 nf 处进行幅度调制，则生成的信号在光频率 ν - nf 和 ...
Q开关是一种可饱和吸收体，这种材料的透射率会在光强超过某个阈值时增加。该材料可以是离子掺杂晶体，如Cr:YAG，用于Nd:YAG 激光器的Q开关、可漂白染料或无源半导体器件。最初，可饱和吸收体的损耗很高，一旦大量能量存储在增益介质中，就可以产生一些激光。随着激光功率的增加，它会使吸收体饱和，即迅速降低谐振腔损耗，从而使功率可以更快地增加。理想情况下，这会使吸收器进入低损耗状态，以允许通过激光脉冲有效提取存储的能量。脉冲结束后，吸收体在增益恢复之前恢复到高损耗状态，从而延迟下一个脉冲，直到增益介质中的能量完全补充。脉冲重复率只能间接控制，例如改变激光器的泵浦功率和腔中可饱和吸收体的数量。相关文献 ...
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