穿过有源区的受激辐射在传统的QC激光器设计中，大部分电子都聚集在z低注入态和z高激光态。在阈值以下，电子主要通过纵向光学LO声子散射穿越有源区。在阈值以上，随着腔内的光强变得越来越强，电子通过受激辐射在活跃区域的传输速度越来越快。因此，在有源区域上的电压不再增加得那么快。图1我们展示了一种基于注入器和有源区域之间“两步”耦合的新型QC激光器设计，通过简单地改变施加电压，为高于阈值的激光器提供宽波长调谐范围。该设计的导带部分如图1所示。它是基于双声子共振对角跃迁有源区。在注入器基态g和上层激光态u之间插入一个耦合态c。以LO声子散射为主的从注入态到耦合态的散射寿命约为1.5 ps，而上激光态的散 ...
或 投递简历至: hr@auniontech.com
