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应用探究|超越鬼成像（三）：从量子纠缠到经典相干-基于非线性晶体的跨波段赝热光鬼成像鬼成像的量子与经典两条路线，近年来都在快速发展。今天我们分享一项来自厦门大学陈理想团队与渥太华大学/罗切斯特大学 Robert Boyd 的新工作：一块KTP晶体，借用量子光学的"工具箱"，为经典赝热光鬼成像的照明/探测波长可"分道扬镳"。本文为星朗浩宇"超越鬼成像"系列第三篇，前两篇回顾：应用探究|超越鬼成像（一）：基于PPKTP实现跨波段“无探测”量子成像应用探究|超越鬼成像（二）：基于PPLN单晶体折返“无探测”量子成像非简并困境鬼成像较早源于自 ...

使用直接调制VCSELs和相干检测生成和传输100 Gb/s PDM 4-PAM-器件设计与性能使用数字相干检测的100Gb/s偏振分复用正交相移键控（PDM-QPSK）在光传输网络中被广泛部署，高达1Tb/s的更高比特率正在开发中。因此，在不久的将来，城域网络也迫切需要从10Gb/s升级到100Gb/s甚至更高。与光传输网络相比，城域网络对成本、占用空间和功耗更为敏感。虽然城域网络覆盖的距离比长途系统短得多，但传统的城域光纤通常具有高偏振模色散（PMD）和大色散（CD）变化。在100Gb/s及以上的速度下，数字相干检测是满足大PMD和CD容差的一种经济有效的解决方案，但要实现小尺寸、低功耗和 ...

SSMF和64Gb/s背靠背与1.3umVCSEL无DSP和实时NRZ传输50Gb/s超过15km-实验装置作为云计算、搜索引擎和社交媒体等日益流行的互联网应用的基础，数据中心需要处理快速增长的信息量。这给数据中心内部和数据中心之间的链路带来了巨大的压力，促使业界和学术界开发400G及以上光链路的解决方案，以及当今经济高效的多模VCSELs的后续技术。这些应用的光纤长度范围从100米到2公里（数据中心内链路），至少10公里（数据中心间链路）。虽然许多提出的解决方案依赖于III-V或硅光子学材料系统中实现的外部调制，但基于直接调制VCSELs的链路具有提供低功耗、低成本和低复杂性解决方案的潜力。 ...

使用20GHzVCSEL在1525nm波长上实现84Gb/sPAM-4在1.6kmSSMF-NLVEB.NLVE由于图4显示，考虑到KP4FEC阈值，简单的FFE不足以在0.63km或更高的距离上传输，因此需要更强的均衡来提高长距离的性能。在传输速率为84Gb/s、传输波长为1525nm的PAM-4时，色散成为一个严重的限制，严重影响性能。通过比较光学b2b和0.63kmSSMF传输时的眼图可以看出这一点，其中后者被严重破坏（图4和图9）。此外，在更高的输入功率值下，PIN/TIA会出现非线性，如图4所示。当输入功率大于-2dbm时，性能会下降。z后，VCSEL显示出功率水平相关的延迟，该延迟 ...

使用20GHzVCSEL在1525nm波长上实现84Gb/sPAM-4在1.6kmSSMF-简介云应用、服务和基础设施的大规模增长使数据中心IP流量的年增长率达到了25%。这种巨大的增长广泛地推动了对更高数据速率的需求，以及新一代50Gb/s及以上的高速收发器的需求。然而，数据中心的环境，特别是短距离应用，对成本、功耗和占用空间非常敏感，需要高容量、低成本和小尺寸的解决方案。基于强度调制和直接检测（IM/DD）的调制格式与数字信号处理和编码相结合，将在未来的数据中心网络中发挥重要作用，因为它们能够提高频谱效率，减少信道数，从而降低成本和功耗。IEEEP802.3bs任务组标准化了四电平脉冲幅度 ...

使用20GHzVCSEL在1525nm波长上实现84Gb/sPAM-4在1.6kmSSMF-实验结果在文中，展示并讨论了使用不同均衡器结构获得的结果。基于LMS准则的整个均衡器结构如图3所示为通用框图。图3自适应均衡结构框图。W为下采样因子，µ为步长，x(k)为接收信号，y(k)为训练符号，d(k)为解码符号。A.线性FFE首先，对一个简单的FFE的性能进行了研究和评估。在图4中，描述了不同传输距离下进入PIN/TIA的BER与接收光输入功率（ROP）的关系。将均衡化后得到的几个眼图作为插图添加，以显示FFE后的信号质量。采用分数间隔的FFE，抽头系数计数为21，如图7(A)所示，超过该系数就 ...

使用20GHzVCSEL在1525nm波长上实现84Gb/sPAM-4在1.6kmSSMF-实验设置VCSEL的结构部署的单模短腔VCSEL基于Vertilas独特的InP埋地隧道结（BTJ）设计，具有非常短的光学腔。短腔的概念是通过在VCSEL的上镜和下镜上部署介电材料来实现的。介质材料的高折射率使得仅使用3.5对反射镜即可实现非常高反射率的分布式布拉格反射器（DBR），与需要30-40对反射镜的半导体DBR相比，DBR要薄得多。这使有效腔长度减少了50%以上，并大大降低了光子寿命，这一效应直接增加了器件的带宽InPBTJVCSEL概念包括一个特定的处理步骤，其中大部分半导体材料被蚀刻掉，为 ...

垂直磁化MgO/Pt/Co异质结构中自旋反射诱导的无场磁化开关在这项研究中，我们证明了MgO/Pt/Co异质结构中的无场SOT开关，通过与介电MgO层接口来调制Pt内的自旋反射和自旋密度。通过异常霍尔电压环位移测量，我们确定在没有外部磁场的情况下，SOT作为有效的面外磁场对磁化强度起作用。通过替换MgO层并将其与高导电性Ti或Pt进行比较，我们证实MgO确实负责无场SOT开关。此外，MgO的厚度依赖性表明，在5和8 nm之间的非常佳的开关比高达80%。这项工作提供了利用介电/HM界面处的自旋反射来实现无场SOT磁化开关的技术，对于开发大规模集成的SOT- mram和自旋逻辑器件具有重要意义。此 ...

量子级联激光器-长波红外（λ>6 μm）的制造性能展示到目前为止，在λ = 6-8 μm范围内，已经实现了长波长的高功率（pto bbb1w）工作。当波长达到λ = 9 μm （pto = 0.5 W）时，性能显著提高，而当波长超过9 μm时，性能迅速下降。本文总结了波长为λ = 6.1 μm （QCL-A）、λ = 7.3 μm （QCL-B）、λ = 7.8 μm （QCL-C）和λ = 8.9 μm （QCL-D）的激光器的实验结果。这些器件的激光器结构基本上是相似的，包括与InP衬底相匹配的多阱InGaAs/InAlAs有源区域晶格，以及所谓的结合-连续体或等效方式的四个或更多有 ...

超连续光谱研究折射率和色散曲线摘要：本文讲述的材料在折射率和色散的准确测量的应用，并对折射率，色散等进行了原理简述。超连续谱激光在很多领域都有着积极的应用，入光学，生命科学，气象学，材料学等领域应用，今天了解一些在材料上的应用，先了解下折射率和色散，他们两者是有着密切关系的，需要关注到的一个相关方面是，材料的折射率随波长变化，这种变化称为色散。由于这种依赖性，他们认为选择一种可以测量不同波长光谱的光源是至关重要的。折射率：折射率是光在真空中的传播速度与光在该介质中的传播速度之比。它描述了一个介质对光的折射能力，即光从一个介质进入另一个介质时传播方向改变的物理量。折射率的公式为：n=vc，其中n ...