光器采用埋置异质结构波导制备，用于高功率RT操作。激光条纹宽度一般在4 ~ 10 μm之间，空腔长度一般在3 ~ 5mm之间。在MOCVD生长完成后，通过化学刻蚀定义脊状波导，并在激光波导侧面重新生长绝缘Fe:InP。极化子C-V和霍尔测试已被用来确保Fe:InP是一个良好的电绝缘体。横向再生的目的是双重的：它允许激光模式的光学限制在横向方向，并有助于优化散热，通过改善在活跃区域产生的热量的横向传输，并通过平面化设备的顶面，从而允许向下安装激光器。通过电子束蒸发沉积顶部和底部触点金属，随后在顶部触点上电解镀一层厚金层，从而完成了器件的制造。这些器件被切成小块，铟被焊接到铜支架上，以获得非常佳的 ...
行蚀刻。埋藏异质结构的选择性生长和接触沉积完成了激光加工。图5图6单模器件的结果如图5所示，在15◦C下，我们从单个发射极获得了高达约Pout = 180 mW的连续功率。2毫米长的器件安装在正面朝下，并在高达60°C的连续波中工作，输出功率为10 mW。典型光谱如图6(a)所示，其中对数尺度表示30 db侧模抑制比。从连续波亚阈值光谱[图6(b)]，我们可以确定布拉格阻带的宽度，对应耦合强度的估计约为kL = 3.5。该值高于强耦合分布式反馈设备（kL = 1-2）的通常预期值。对光栅与光学模式耦合的更深入的探讨将在其他地方提出。发射波长与温度的相关性为λ/T = 0.4 nm/K，并且从连 ...
，在对SAF异质结构中场和电流驱动的DW运动（DWM）的动态过程进行广泛研究的基础上，我们进一步探索了通过工程动态焦耳加热来调制层间交换耦合（IEC）。重要的是，我们首次基于SAF异质结构中自旋极化铁耦合器层的定制DWM，提出了一种具有泄漏集成点火和自复位（LIFT）特征的新型高可靠自旋电子神经元器件，本质上模拟了神经元在内置场（hbuilt）和Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida （RKKY）相互作用下的LIFT行为，而无需任何额外的复位器件或电路。针对CMOS兼容和可制造应用，利用半导体负差分电阻（NDR）效应对电流进行差动，实现了神经元器件之间全局抑制的赢者通吃（W ...
联层和SAF异质结构的底部硬层之间存在885 Oe的有效场。矫顽力和RKKY有效场的增强都归因于器件收缩和离子束刻蚀（IBE）过程中不可避免的外围损伤。由于样品中存在较高的IEC，因此在实验中使用恒定的- 860 Oe外部OOP场来补偿RKKY场。简单地说，我们首先在Hall bar的横截面上注入7.5 mA的3 s脉冲电流，在Hall bar的左端观察到一个有核的向下区域，并向+x区域扩展。随后，在RKKY等效的现场应用中，左右两侧的DW都向成核点中心收缩，即DW收缩。然后，从x方向连续6个6 s周期注入占空比为50%的3.35 mA脉冲电流，下向上（DU） DW在电流的驱动下逐渐向右移动， ...
)垂直p-n异质结二极管进行电流整流和（ii）典型的应用，基于ALD-Te的选择器件，将其评级为电子级vdW晶体。图1：实验流程和结果示意图图1a展示了这种淋浴喷头式反应堆生成vdW Te薄膜的生长的示意图。在低沉积温度下用两种液相Te前驱体-Te（OEt）4和Te（SiMe3）2做促进反应，对于共价键合的元素薄膜同样如此，如ALD 生长的Sb。如图1b所示，与左半部分裸衬底进行比较，通过定制的ALD工艺，我们成功地实现了在50℃下，Te薄膜在4英寸尺寸SiO2/Si晶元上晶元级生产。在此我们进行拉曼光谱和作图表征来评价薄膜的质量和均匀性（AUT-Nanobase-XperRamS）。图1c是 ...
，二维vdW异质结构为研究拓扑结构、超晶格、和层间库仑相互作用的影响提供了新的途径。然而，与简单的单层相比，二维vdW多层在相邻层之间具有vdW间隙，扰乱了层间电荷效率，从而导致这些多层在平面内和平面外载流子输运的各向异性。在存在静电偏置相关的层间电阻的情况下，以往的研究通过考虑Thomas-费米电荷屏蔽长度和厚度相关的载流子迁移率，进而描述了二维多层膜的复杂载流子输运。例如，在一个传统的背栅结构，由于层间电阻和层依赖的平面内载流子迁移率之间的相互作用，层间电导率z高的层从底表面向顶表面移动。这就引发了载流子沿着厚度的空间再分布。此外，zui近通过比较获得的关于底部接触和顶部接触的漏电流，已被 ...
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