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告别“黑盒”沉积：2026年，薄膜生长的每一秒都该被看见摘要：本文以“测量即定义”为核心理念，重点阐述了该产品在原位（In-situ）实时监测方面的技术优势，解决了传统薄膜测量中的“黑盒”痛点。内容涵盖了其无光纤全自足设计、1.7毫秒超快模式及FS-API接口，详细介绍了其在半导体封装、光伏新能源、硬质涂层及科研领域的具体应用，并列出了FS-4与FS-8的硬核参数，zui后展示了Film Sense的品牌实力及中国代理商上海星朗浩宇的本地化服务能力。在半导体前道工艺、新能源材料研发的实验室里，有一个令人头疼的悖论：我们拥有价值千万的沉积设备，却往往只能在工艺结束后，把样品拿出来放在显微镜下看“ ...
宽可调谐1550纳米MEMSVCSEL的10gb/s直接调制（3）-静态特征对于静态特性，MEMS VCSEL二极管通过向顶部（非接触）和底部（p接触）触点板注入直流电流IL来电泵浦，MEMS通过向MEMS电极注入另一个直流电流Imems来驱动，如图3所示。BCB MEMS可调谐VCSEL在19mA固定偏置下的发射光谱如图4(a)所示。激光从1524nm开始，MEMS加热电流为8mA。在与激光模相邻的较低波长处可以看到被抑制的高阶横模。随着加热功率的增大，初始气隙=4.3μm也增大。因此，单模发射波长不断向更高的值移动。图4 (a)连续波（CW）下，不同MEMS加热电流下固定偏置19mA的VC ...
193nm紫外波前传感器（512x512高相位分辨率）助力半导体/光刻机行业发展！摘要：昊量光电联合法国Phasics公司推出全新一代193nm高分辨率（512x512）波前分析仪!该波前传感器采用Phasics公司技术-四波横向剪切干涉技术，可以工作在190-400nm波段，消色差，具有2nm RMS的相位检测灵敏度，能够精确测量紫外光波前的细微变化。SID4-UV-HR 紫外波前分析仪非常适合紫外光学元件表征（DUV光刻、半导体等领域）和表面检测（透镜和晶圆等）。193nm 紫外波前传感器（512x512 高相位分辨率）在半导体/光刻机行业中具有重要作用。该传感器具有高分辨率，消色差，对震 ...
用于高带宽WDM-PONs的1.55um VCSEL阵列(1)-设备结构垂直腔面发射激光器（VCSELs）已被证明是波分复用无源光网络（wdm-pon）中具有成本效益的光源，近年来制造技术稳步发展，特别是单片一维（1-D）和二维阵列制造。爆炸性的带宽需求，特别是在上传和下载速度方面，将需要在接入网中采用WDM技术。由于电信系统的主要问题是连通性，因此未来的系统需要对称的上下游带宽。为了在未来实现有吸引力的市场条件，每带宽的成本必须大幅降低。在这里，我们描述并描述了一种一维VCSELs阵列结构，该结构可以在不进一步投资的情况下实现每个客户带宽的升级（从2.5Gb/s到潜在的80Gb/s甚至120 ...
Phasics波前传感器的应用案例（二）SID4在透镜/镜头检测方面的解决方案Phasics波前传感器以其独有的横向四波剪切技术闻名，其推出的SID4系列波前传感器以高灵敏度、高分辨率、高重复性的特点更受市场青睐，以下为SID4在透镜/镜头检测方面的具体案例应用。一、对复杂超表面进行精确表征的一种方法-超透镜1.1 针对超表面测量Phasics具备的优势传统的低分辨率技术很难准确测量超透镜的复杂特征，Phasics针对超透镜提出了高效的解决方案，并具备以下4点优势:Phasics sC8搭载显微镜测量场景1.亚波长空间尺度下的高精度测量：Phasics的波前传感器不仅具备优于2nm RMS的光 ...
金属有机化学气相沉积制备室温连续波工作低阈值量子级联激光器通过分子束外延MBE和MOCVD两种方法生长的量子微电子管的室温连续工作结果令人鼓舞，但进一步的性能有望使量子微电子管更适合实际应用系统。在所有需要改进的器件参数中，特别需要更低的阈值电流密度，因为它可以使器件消耗更少的总功率，并有可能提高壁插效率。我们报告了5.07 um的mocvd生长QC激光器，具有BH再生结构和下行安装，其室温连续波阈值电流密度低于所有这些先前报道的结果。本文提出的QCL结构是通过低压MOCVD生长的。有源区域结构与文献中报道的设计非常相似，但对波导结构进行了一些修改，如下所述。一个周期的层序为：从注入层阻挡层厚 ...
拉曼在电化学剥离二硫化钼薄膜的喷墨印刷大面积柔性光电探测器件阵列中的应用摘要：尽管在过去的几年中已经报道了各种基于MoS2的光电探测器，但由于MoS2薄膜的低产量和低质量，用于光电成像的大面积光电探测器阵列的控制制造仍然是一个主要挑战，本文首次展示了一种基于叠层二硫化钼纳米片的高性能喷墨打印柔性光电探测器阵列。将季铵离子插入MoS2体中，得到2H相MoS2纳米片。在室温下，喷墨打印光电探测器的响应率为552.5AW-1， 探测率为1.19×10 12 Jones，快速响应时间为23ms，恢复时间为26ms，具有优异的性能。 此外，成功构建了85像素/英寸的光电探测器阵列，并清晰地识别了字母“T ...
拉曼在通过促进氧功能化石墨烯夹层的空穴迁移来改善有机光电器件性能的应用引言：聚（3,4-乙烯二氧噻吩聚苯乙烯磺酸酯）（PEDOT：PSS）因其具有有利偶极子形成、可调能态和高效空穴迁移的出色性能，被广泛用作各种具有多层结构的有机光电器件中的空穴传输层（HTL）。然而，PSS的酸性会导致重金属成分从透明导电氧化物衬底（即氧化铟锡）中溶解，从而降低有机活性层的光伏性能。因此，从PEDOT： PSS与有机活性层之间的界面中分离出酸性PSS，可以有效地解决器件的不稳定性问题。由于PEDOT 和 PSS 之间存在静电相互作用，因此通常会在 PEDOT：PSS HTL 中添加掺杂剂或溶剂，以操纵它们的键合 ...
原位拉曼对单层二硫化钼生长机理的研究应用摘要：化学气相沉积（CVD）的原位研究对于理解过渡金属二硫化物（TMDs）的生长机制和开发高质量单层单晶生长技术至关重要。然而，由于TMD CVD生长是在高温还原环境下进行的，因此原位研究在实践中仍然是一个巨大的挑战。本文使用的原位CVD生长研究系统，就提供了单层MoS2沉积在衬底上的SiO2/ Si实时观察。本文发现，单层MoS2应通过气态前驱体反应生长并从衬底上的预成核位点结晶，中间相MoO2对于成核种子至关重要，但种子分布密度应该得到控制，高浓度的S蒸汽促进了MoS2的面内外延生长；因此，获得具有致密结构的高质量单层是非常有益的。二维过渡金属二硫族 ...
原位拉曼在双壁碳纳米管作为磷酸铁锂阴极的有效导电剂中的应用引言：锂离子电池（LIB）已成为电动汽车和各种便携式电子应用的第1选择。然而，对具有更高能量密度的锂离子电池的需求依旧持续增长。目前，研究工作者通过优化电池组件，包括活性材料、导电剂、粘合剂和电解质来提高锂离子电池的电化学性能已经做出了重大努力。特别是，导电剂的选择发生了重大变化。研究表明，用多壁碳纳米管（MWCNTs）代替炭黑（CB）是一种在不改变活性材料的情况下提高阴极能量密度的有效方法。从这个意义上说，单壁碳纳米管 （SWCNT） 被认为是理想的导电剂，因为它们具有高电导率（106S/m）和纵横比 （>3500）。有研究表明 ...
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