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调制器和波导马赫-曾德尔调制器已被用于检测射频e场。具有高品质因数的光环谐振器可以提高传感器的灵敏度,但测量带宽(BW)将受限于微环谐振器的带宽波导马赫曾德尔调制器具有较高的带宽,但体积大,空间分辨率低另外,块状晶体可用于测量电场,其长达几毫米,可以达到0.1 V/(m Hz1/2)的灵敏度水平。薄膜铌酸锂(TFLN)器件zui近被用于光学调制器、微波移频器、梳状发生器和各种其他光子器件功能。提出了基于TFLN技术的电磁场传感器。在给定电场与光信号相互作用长度的情况下,电场传感器灵敏度的优劣值与r/ε成正比,其中r为电光系数,ε为电光材料的射频介电常数。对于TFLN传感器,由于薄膜层的体积比衬 ...
艺。为了扭转马赫-曾德尔调制器单臂自发电极化的方向,将器件浸入硅油中,并在电极上施加高于铌酸锂矫顽力场(~ 22 kV/mm)的电场。电极去除后,使用电子束光刻技术对电光太赫兹波传感器的光学电路进行图像化,并通过铌酸锂层的干蚀刻形成。光纤V型槽阵列随后被对准并连接到器件上以实现光纤耦合。该装置插入塑料外壳中以保护光纤(图1d)。在工作波长λ = 1550 nm处,器件的光插入损耗为- 13 dB。在参考文献38 - 41中解释了制造过程和器件结构的更多细节。通过测量LNOI电光电场传感器对100 kHz振荡电场的响应,对LNOI电光电场传感器的基本功能进行了测试和验证。测得探测器的灵敏度为2. ...
利用等离子体马赫-曾德尔调制器和等离子体环形谐振器调制器分别在1528 nm和1285 nm处进行了数据实验,证明了低温电光信号转换速度可达160 Gbit/s和256 Gbit/s。这项工作表明,等离子调制器非常适合未来在低温环境中高速、可扩展和节能的光子互连。2.用于未来RoF系统的全无源亚太赫兹对光接收机的等离子体片上天线(Plasmonic On-Chip Antenna Enabling Fully Passive sub-THz-to-Optical Receiver for Future RoF Systems),H. Ibili, et al (OFC, 2024)摘要:我们演 ...
作的等离子体马赫-曾德尔调制器组成。该装置的示意图如图1(a)所示。等离子体马赫-曾德尔调制器的两个臂上有等离子移相器,每个槽宽为130nm,长度为15um。等离子体马赫-曾德尔调制器通过光栅耦合器实现与光子集成电路(PIC)芯片的光学耦合。为了方便光学对准,使用与低温兼容的环氧胶将光纤阵列(FA)粘附到PIC上。等离子体马赫-曾德尔调制器具有两臂之间的不平衡,引入了一个固定的相移。这允许在不需要电学调节的情况下调整调制器的工作点,例如通过热光相移器,避免了给低温恒温器增加额外的热负载。相位调制是利用有机电光(OEO)材料的线性电光效应实现的。OEO材料已被证明在4.2 K下表现出高非线性,该 ...
使用两条臂的马赫-曾德尔调制器部分。如果使用自由空间太赫兹波信号进行调制,可以将其中一只手臂极化,使铌酸锂晶体的自发极化方向相反,从而在给定电场下实现相反的折射率变化,从而在输出中实现强度调制。或者,如果使用金属电极,则不需要极化,并且与另一只手臂相比,一只手臂的电场将被逆转。图1(b)显示了不同臂长下典型铌酸锂薄膜器件的计算调制带宽。可以看出,这些薄膜铌酸锂电光调制器设备的调制带宽可以达到数太赫兹。通过设计薄膜铌酸锂电光调制器波导结构以实现更好的相位匹配,可以进一步增加薄膜铌酸锂电光调制器设备带宽。图1所示(a) 太赫兹调制器器件示意图;(b) 计算不同长度的设备臂薄膜铌酸锂调制器的调制带宽 ...
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