宽可调谐1550纳米MEMSVCSEL的10gb/s直接调制（2）-Mems容器结构与加工1.半VCSEL结构BCB MEMS可调谐VCSEL的示意图如图1所示。它主要由两部分组成：半VCSEL和MEMS DBR。半VCSEL主要由一个基于AlInGaAs的有源区、两个InP热和电流扩散层、一个埋地隧道结（BTJ）和一个固定底部DBR反射镜组成。由两个重掺杂p-AlGaInAs和n-GaInAs层组成的圆形BTJ限制了结构中心的电流，以保证有源区域具有足够高的电流密度。为了实现高斯基模的高放大，增益曲线和光模之间的重叠必须是z佳的。这只能在束腰符合BTJ半径的情况下实现。因此，由于其不同的横向 ...
，可以将激光波长调谐到1584nm。这对应于60nm的连续单模调谐，中心波长为1554nm。在1584nm的发射波长处，激光模式与下一个高阶纵向模式竞争，当MEMS电流高于27mA时，纵向模式zui终在1524nm处开始激光。排放峰值随加热功率的变化如图4(b)所示。依赖于Lair的发射波长λ与加热功率P热成正比，也与调谐电流Imems的平方成正比：其中，Rmems=40Ω为MEMS电极的欧姆电阻。由于工艺相关问题，ARC部分蚀刻。因此，激光器无法调谐到整个FSR，该MEMS VCSEL的FSR为94nm。值得一提的是，FSR可以通过进一步减小牺牲层的厚度来提高，从而使半VCSEL和MEMS ...
宽可调谐1550纳米MEMSVCSEL的10gb/s直接调制（4）-动态测量1)小信号调制响应：小信号调制响应的S21参数给出了激光动态行为的估计。在不同的偏置电流和不同的发射波长下进行了实验。散热器温度设置为20℃。该芯片的共面连接由级联地面信号40GHz探头直接连接。用接触针单独探测MEMS进行电热驱动，如图7所示。27GHz皮秒脉冲偏置电路将来自矢量网络分析仪（Agilent Technologies E5071C ENA）的高频信号与来自激光二极管控制器的直流偏置相结合。小信号功率电平设置为−7dbm。输出光与标准单模透镜光纤对接耦合。zui后，一个光电二极管（Anritsu MN47 ...
；这种装置的波长调谐也可用于WDM传输。我们实现了一种新型的1580nmVCSEL，型号为VertilasVL-1585-10-SE-T4。该器件的阈值电流为0.85mA，在25°C下提供3.9mW的光功率，并且可以在没有温度或波长控制的情况下工作。VCSEL使用的原型机没有扎辫子；在器件孔径处对准一个劈裂的SMF尾纤，收集输出光束。在功率和波长对施加偏置电流的响应方面，该器件的直流特性如图1a所示。插图显示了得到的光谱样本；非调制连续波（实心，黑色）和调制（红色，虚线）输出。器件波长在1575-1580nm之间变化；获得的Max光功率为0.6mW(-2.55dBm)；侧模抑制比（SMSR）为 ...
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