展示全部
而导致较低的自由载流子吸收，这通常是QCL器件中大部分波导损耗的原因。在这种相对较低的掺杂水平下，由于缺乏非常精确的校准工具，可能很难将不同基团之间的掺杂水平相关联，因此估计活性区掺杂水平的一种方便方法是比较QCL结构中的Max隧道电流，因为它与注入器中的掺杂水平成正比实际上，在本研究中，Max隧穿电流密度约为1.35 kA/cm2，表明本研究中结构的掺杂水平要低得多；这与本文文献12中的3.8 cm−1和1.84 cm−1的内部损耗是一致的——遗憾的是，文献中没有光损耗报告。zui终，较低的光损耗导致室温连续波阈值电流密度较低，约为0.83 kA/cm2，而相关文献分别为1.53 kA/cm ...
或 投递简历至: hr@auniontech.com
