展示全部
553nm激光器
553nm单纵模激光器
633nm单纵模激光器
785nm单纵模激光器
946nm单纵模激光器
1064nm单纵模激光器
830nm单纵模激光器
450nm激光器
785nm激光器
808nm激光器
915nm激光器
980nm激光器
1064nm激光器
607nm激光器
用横模控制抑制量子级联激光器的指向不稳定性以前我们报道了QC激光器的模态不稳定性和光束转向使用固定NA(0.87)检测器,我们发现脉冲不稳定器件的脉冲平均接收功率降低高达20%。在脉冲内不同栅极位置获得的空间相关光谱表明,在横向模式之间存在频率锁定,而远场强度分布的时间分辨测量显示,光束在平面上转向了10°。现在我们提出了一种在QC激光器中抑制指向不稳定性的方法,该方法涉及通过窄、短(仅占腔长度的百分之几)和高损耗的脊波导收缩来控制横向模式。这个想法是对分布在激光脊两侧的模式引入足够的扰动,同时保持基本模式不变。收缩对器件的影响如图1所示,图1显示了用COMSOL MULTIPHYSICS获得 ...
免地会造成多横模竞争,影响输出光束质量。光子晶体光纤无截止单模的特性使得光子晶体光纤被制作成大模场光纤成为可能,在保证单模传输的前提下,适当改变纤芯尺寸或空气孔的间距即可得到更大的模场直径(MFD)和数值孔径(NA)。因此,光子晶体光纤可实现单模大模场面积,在保证激光传输质量的同时,显著降低光纤中的激光功率密度,减小光纤中的非线性效应,提高光纤材料的损伤阈值;其次,光子晶体光纤可以实现较大的内包层数值孔径,从而提高抽运光的耦合效率,可采用长度相对较短的光纤实现高功率输出。如图1.2所示为空气包层光子晶体光纤,由于光纤中具有较大的硅脊宽度和空气包层,这些特点导致光纤的纤芯和包层之间的折射率差极大 ...
模式既满足单横模又满足单纵模,其谐振器内只有单一纵模进行震荡,并且输出激光器光斑的能量分布呈高斯分布,除了激光器激光本身具有极好的单色性和方向性之外,单频激光器拥有普通激光器难以达到的相干长度和超窄的谱线宽度的特点。从光子的观点来看,腔的模式也就是腔内可以区分的光子状态,同一模式内的光子具有完全相同的状态,腔内电磁场的空间分布可分解为沿传播方向(腔轴线方向)的分布和在垂直于传播方向的横截面内的分布。其中,腔模沿腔轴线方向的稳定场分布称为谐振腔的纵模,而在垂直于腔轴的横截面内的稳定场分布称为谐振腔的横模。常见的动态单纵模激光器有:①短腔激光器,通过缩短腔长加大纵模间隔来实现单纵模工作的。常规结构 ...
格反射镜和纵横模耦合,在传统的XFELO结构中进行模式选择,从而产生自然携带OAM的完全相干硬X射线。结果:(1)模拟结果表明,在没有光模式转换器的情况下,可以产生1MHz的完全相干硬X射线OAM光束,脉冲能量约为120uJ。DOI:https://doi.org/10.1364/OPTICA.428341 关于昊量光电:上海昊量光电设备有限公司是国内知名光电产品专业代理商,代理品牌均处于相关领域的发展前沿;产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等,涉及应用领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及更细分的前沿市场如量子光学、生物显微、物联传感、精密加工、先进激 ...
需特性(例如横模或波长)的光束“播种”腔体。当Q值升高时,从种子源开始产生激光,产生具有种子源特性的调Q脉冲。被动调Q,Q开关是一种可饱和吸收体,这种材料的透射率会在光强超过某个阈值时增加。该材料可以是离子掺杂晶体,如Cr:YAG,用于Nd:YAG 激光器的Q开关、可漂白染料或无源半导体器件。最初,可饱和吸收体的损耗很高,一旦大量能量存储在增益介质中,就可以产生一些激光。随着激光功率的增加,它会使吸收体饱和,即迅速降低谐振腔损耗,从而使功率可以更快地增加。理想情况下,这会使吸收器进入低损耗状态,以允许通过激光脉冲有效提取存储的能量。脉冲结束后,吸收体在增益恢复之前恢复到高损耗状态,从而延迟下一 ...
需要将激光的横模与腔模耦合起来。另一方面,多通腔只允许几十米的相互作用距离,但它们的要求不那么苛刻。反射镜的反射率较低,但其工作带宽要宽得多。多通道腔体对机械和热变化更加稳健,消除了对反馈系统的需要。qcl相对高的功率和充足的光学腔的结合已被成功地用于实现高灵敏度的光谱技术,如腔衰荡、光声光谱、波长调制光谱和集成腔输出光谱。其中一些技术已显示出ppmv、ppbv和pptv水平的敏感性。然而,这些技术只专注于检测一种或两种选定的分子,主要是因为它们只使用了小范围的qcl可调带宽。通过使用全qcl的可调性,可以检测和区分存在于更复杂的分子混合物中的成分。您可以通过我们的官方网站了解更多可调谐脉冲量 ...
高功率激光器横模特性的主要参数。分析光束质量有利于探索高功率激光的模场变化机理,从而更好地设计和制造激光装置;掌握上述参数还有助于评估激光近场和远场特性的动态变化,对激光模场进行控制和利用,从而改善激光的近场或远场特性。目前光束质量的测量大多依靠光束分析仪进行测量,但是随着激光功率和输出孔径的逐渐增加,目前常用的以硅基作为探测芯片的光束分析仪显然难以满足,需要对原有激光进行处理,这就有必要研制高功率光束质量测量中的衰减缩束组件。本文建立衰减缩束组件模型并进行仿真分析,研究高功率激光照射下其波相差对M2的影响。M2的表达公式如式(1)所示,原理图如图(1)所示,其原理为,基于光强二阶矩定义计算出 ...
高功率激光器光束质量测量的衰减缩束仿真研究(二)衰减组件偏振特性对光束质量因子的影响仿真当高功率激光按照一定角度入射到衰减组件中时,光的偏振态会发生变化,这也会对M2的结果产生影响。仿真计算衰减组件偏振特性对光束质量因子影响的流程图如图1所示。图1 偏转特性仿真流程图首先根据光纤参数和波长计算出光纤中的偏转种类和数目,并计算出对应本征模的复振幅,可以通过改变x和y方向上的偏振光系数来实现s光和p光的切换。根据计算出的复振幅分布就可以计算出光强并zui终计算出不同偏振态下的M2。图2为不同偏转态下仿真所得的到的M2。根据图2可知单一偏振方向的M2和原始输出光的M2不同,且s光和p光的M2均小于原 ...
被抑制的高阶横模。随着加热功率的增大,初始气隙=4.3μm也增大。因此,单模发射波长不断向更高的值移动。图4 (a)连续波(CW)下,不同MEMS加热电流下固定偏置19mA的VCSEL光谱。(b)调谐波长随MEMS加热功率的变化。插入显示调谐波长对MEMS电流对于这种特殊的VCSEL,通过将MEMS电流增加到27mA,可以将激光波长调谐到1584nm。这对应于60nm的连续单模调谐,中心波长为1554nm。在1584nm的发射波长处,激光模式与下一个高阶纵向模式竞争,当MEMS电流高于27mA时,纵向模式zui终在1524nm处开始激光。排放峰值随加热功率的变化如图4(b)所示。依赖于Lair ...
或 投递简历至: hr@auniontech.com