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成了PN结（阻挡层）。N区自由电子向P区扩散，P区空穴向N区扩散，N区就形成带正电离子，P区就形成带负电离子。于是PN结形成了由N区指向P区的内电场。这个内电场会产生两种性质：1.阻碍多子扩散运动（N区自由电子向P区扩散，P区空穴向N区扩散）2.促进少子漂移作用（由本征激发产生的自由电子和空穴，数量极少）由于内电场的这两种性质，当给PN结加正向电压时（P区接正极，N区接负极），形成的外电场会与内电场方向相反，外电场的引入促进了多子扩散，削弱了内电场，电流可以顺利通过，形成较大的扩散电流。由于扩散电流远大于漂移电流，则可以忽略漂移电流的影响，PN结呈现低阻性，PN结处于导通状态。当PN结接反向电 ...
a) 包含阻挡层的有机半导体器件结构示意图。插图：由电子受体材料（PC71BM 和 eh-IDTBR）组成的感光层的纳米结构填充示意图。 b) PBDTTT-EFT、eh-IDTBR 和 PC71BM 的分子结构。通过以6 mW cm-2的入射功率密度打开和关闭 LED 来评估有机半导体器件的响应时间。如图2所示，富勒烯受体有机半导体表现出 6.24 µs 的上升时间和 10.8 µs 的下降时间。由于OPD器件的响应时间受内部电容和电荷传输时间的影响，推测 PC71BM 具有较高的内部电容和较大的陷阱位点。非富勒烯受体OPD器件的上升和下降时间分别为2.72 µs和4.32 µs。图2 a ...
之间穿过绝缘阻挡层的隧道电流依赖于磁层中磁化方向的相对方向。例如，这种效应目前应用于数字磁记录的读磁头，并将用于目前正在开发的未来磁随机存取存储器。c自旋转矩传递:由两个铁磁层组成的纳米结构堆栈中，由自旋极化电子对其中一层磁化所施加的转矩引起的铁磁层磁化的电流感应开关。这是一种在磁阻器件中转换磁化强度的方法，目前正在深入研究中。d自旋晶体管:三端器件，其中发射极(E)和集电极(C)之间的电流取决于发射极和基极(B)之间的电流，此外，还取决于两个铁磁层的相对方向。e带隧道势垒的自旋晶体管:像(d)一样的三端器件，其中发射极偏置电压可以用来调节注入集电极的电子的能量。zui后两个装置仅仅代表了所谓 ...
件中集成绝缘阻挡层，使实验人员能够灵活地在不同的偏置电压下操作同一器件，从而注入不同能量的热电子。对类似结构进行优化，在室温下产生了3400%的磁阻效应。传输比，即这种器件的基极电流和集电极电流之间的比率，目前小于1(在10−6和10−4之间，因此不会获得像实际晶体管那样的放大。然而，通过磁性来编程或控制逻辑运算的想法是在开发更有效的自旋注入半导体方面，人们付出了巨大的努力。目前出现的另一种方法是通过电场来操纵多铁性系统的磁化。多铁性材料具有耦合的电、磁和结构序参数，从而同时具有铁电性、铁磁性和铁弹性。在这种共存的情况下，磁化可以受到电场的影响，而电场的极化可以受到磁场的影响，这种特性被称为“ ...
0.35As阻挡层以粗体标示，Ga0.32In0.68As井层以楷体标示，n掺杂2.11017 cm−3层以下划线标示。我们计算了该结构的传导能带能量图，作为施加电场从87到116 kV/cm的函数，得到预期的过渡频率范围从2137到2583 cm−1，如图1b所示。计算由于“对角线”跃迁设计固有的线性斯塔克效应，频率随着外加电场的增加而增加偶极矩阵元表示光跃迁的强度，在103 kV/cm指定电场附近达到Max值，与防交叉场重合。由于发射频率取决于工作阈值电压，激光阈值电压的变化可以实现增益谱的调谐。前者可以通过改变阈值电流密度来实现，而阈值电流密度又可以通过改变腔长来非常有效地改变。图1为了 ...
为：从注入层阻挡层厚度开始，以纳米为单位：4.0/1.26/ 1.3/ 4.40/ 1.3/3.87/ 1.4/3.72/ 2.3/2.88/ 1.8/2.58/ 1.9/2.29/ 2.0/ 2.19/ 2.2/2.09/ 2.2/1.86/ 2.9/1.86,Al0.64In0.36As层以正字体打印，Ga0.33In0.67As层以斜体字体交替打印。所有层都生长在n掺杂Si， 21017 cm−3 InP衬底上。活性区有30个活性/注入器堆栈，平均掺杂从原来的21016 cm - 3减少到标称的1.61016 cm- 3。InGaAs波导层的厚度从0.3增加到0.4 um， InGaAs ...
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