中文：穆勒矩阵；英文：Mueller matrix

多通道锁相放大器在穆勒矩阵测量中的应用1锁相放大器的基本原理锁相放大器（Lock-In Amplifier）是一种能够从噪声中提取微弱信号的高精度仪器，广泛应用于信号测量和光学实验中。其工作原理基于与参考信号同步解调。具体来说，锁相放大器能够在已知频率的参考信号的帮助下，从复杂的输入信号中提取出与参考信号频率匹配的信号成分，去除背景噪声。2. 偏振态与穆勒矩阵偏振态是描述光波振动方向的物理量，它表征了光波的不同特性，如光波的振动方向、振幅和相位。光的偏振态可以通过斯托克斯参数来描述，这些参数定义了光波的偏振度和偏振方向。常见的偏振态包括：线性偏振光和圆偏振光。穆勒矩阵是一个 4×4 的矩阵，用 ...

上海技物所余飞龙/陈晓双/魏璐：局部能带轮廓控制实现单探测器多峰光谱重建【研究背景】紧凑型光谱分析技术在便携式传感、集成光子学以及芯片内材料表征等领域发挥着至关重要的作用。近年来，单探测器计算光谱仪通过绕过传统的色散或干涉光学元件，实现了器件微型化。然而，该技术在迈向实用化的过程中面临着根本性的物理挑战：随着波长变化，偏置依赖的响应曲线往往呈现平滑且非正交的演变，导致响应矩阵的有效秩降低、条件数较差。这种物理层面的局限，使得多峰或密集分布光谱的重建对噪声及器件缺陷较为敏感。尽管现有的反演算法不断迭代，但多集中于单峰识别或少数多峰场景，其复杂度的可扩展性仍未得到深入探索。因此，如何在器件物理层面 ...

使用20GHzVCSEL在1525nm波长上实现84Gb/sPAM-4在1.6kmSSMF-MLSE已知MLSE是线性带宽受限信道非常佳的接收器。由于这种均衡器的复杂性随着内存呈指数增长，在MLSE前面使用FFE是缩短系统脉冲响应和减少MLSE所需内存的有效解决方案。基本上，MLSE取代了FFE之后的硬决策阈值，如图3所示。因此，选择21个系数的分数间隔FFE与不同内存大小的MLSE相结合。MLSE以每个符号1个样本运行，并静态运行；也就是说，它是在开始时训练的，之后就不再改变了。沿着的路线，我们使用215个接收样本和发送序列第1周期的相应数字数据估计信道矩阵的概率密度函数（PDFs）的平均值 ...

宽可调谐1550纳米MEMSVCSEL的10gb/s直接调制(1)-简介自1977年Iga首次提出垂直腔面发射激光器（VCSEL）以来，为了使其成为光通信中具有竞争力的高速光源，已经进行了大量的发展。发射波长在850nm左右的GaAs VCSEL由于具有高调制带宽和光输出功率，已经成为部署在多模光纤局域网中的主导光源。报告的z高数据速率可达71Gb/s，适用于链路长度<100m的数据中心应用。另一方面，在1300-1600nm波长范围内发射的长波长VCSEL在电信领域也取得了显著的成熟水平。对于快速发展的应用，如计算机通信、接入网、无线基站之间的互连和通信，它们是非常有吸引力的光源。与传 ...

宽可调谐1550纳米MEMSVCSEL的10gb/s直接调制（4）-动态测量1)小信号调制响应：小信号调制响应的S21参数给出了激光动态行为的估计。在不同的偏置电流和不同的发射波长下进行了实验。散热器温度设置为20℃。该芯片的共面连接由级联地面信号40GHz探头直接连接。用接触针单独探测MEMS进行电热驱动，如图7所示。27GHz皮秒脉冲偏置电路将来自矢量网络分析仪（Agilent Technologies E5071C ENA）的高频信号与来自激光二极管控制器的直流偏置相结合。小信号功率电平设置为−7dbm。输出光与标准单模透镜光纤对接耦合。zui后，一个光电二极管（Anritsu MN47 ...

外腔半导体激光器稳频控制方式在精密测量以及量子技术等应用领域，对于激光器的稳频锁相有较高的要求。自由运转的外腔半导体激光器由于温度、机械振动等因素影响，其输出的光的频率往往或多或少存在漂移，使得这些自由运转的激光很难运用于精密光谱、原子干涉等，必须对其稳频控制。一般的外腔半导体激光器往往会存在三种频率控制方式：LD温度LD的温度影响半导体的增益轮廓和内腔模式频谱漂移，主要是温度变化造成介质中载流子浓度变化，以及吸收因子变化，此外温度还会影响内部FP腔的参数。温度对LD输出频率影响非常大，如用于数据存储应用（CR-R刻录机）的典型AlGaAs二极管在25℃时的标称波长为λ=784nm，dλ/dT ...

成像式亮度色度计产品原理及应用介绍成像式亮度色度计工作原理：成像式亮度色度计是一种基于成像原理来进行测光和测色的测量仪器，基本结构是由视觉（或色觉）匹配的探测器（CCD或CMOS）、光学系统以及与亮度（或三刺激值XYZ）成比例的信号输出处理系统所组成。 单点亮度计测试系统 成像式亮度色度计测试系统亮度测试原理：根据图利用光度学和几何光学的原理可以推出:公式（1）式中：E-成像面上的照度;　　L-发光面上的亮度;　　τ-光学系统的透射比（透过率）;　　f-透镜焦距;　　l-透镜与发光面的距离（称为测量距离）;　　fm系统相对孔径数，fm=f/D， ...

低功耗SiGe VCSEL驱动和TIA工作在2.5 V的40Gb /s 1.5µm VCSEL链路直接调制激光电流的高速垂直腔面发射激光器（VCSEL）驱动器有两种配置：阳极驱动和阴极驱动。阳极驱动有可能降低VCSEL驱动器的供电电压，而阴极驱动避免在高速路径中使用较慢的p型晶体管。但两者仍有一个共同点，即VCSEL驱动器在多个电源电压下工作以降低功耗，激光电源电压范围为3.3V至5.8V。在本文中，我们将进一步关注阴极驱动，并提出一种解决方案，以摆脱多个电源电压。阴极驱动VCSEL变送器可以在输出端使用反向端接电阻来实现，以改善转换时间。不幸的是，这在驱动器的供电电压和共阳极激光的供电电压之 ...

使用20GHzVCSEL在1525nm波长上实现84Gb/sPAM-4在1.6kmSSMF-实验设置VCSEL的结构部署的单模短腔VCSEL基于Vertilas独特的InP埋地隧道结（BTJ）设计，具有非常短的光学腔。短腔的概念是通过在VCSEL的上镜和下镜上部署介电材料来实现的。介质材料的高折射率使得仅使用3.5对反射镜即可实现非常高反射率的分布式布拉格反射器（DBR），与需要30-40对反射镜的半导体DBR相比，DBR要薄得多。这使有效腔长度减少了50%以上，并大大降低了光子寿命，这一效应直接增加了器件的带宽InPBTJVCSEL概念包括一个特定的处理步骤，其中大部分半导体材料被蚀刻掉，为 ...

垂直磁化MgO/Pt/Co异质结构中自旋反射诱导的无场磁化开关在这项研究中，我们证明了MgO/Pt/Co异质结构中的无场SOT开关，通过与介电MgO层接口来调制Pt内的自旋反射和自旋密度。通过异常霍尔电压环位移测量，我们确定在没有外部磁场的情况下，SOT作为有效的面外磁场对磁化强度起作用。通过替换MgO层并将其与高导电性Ti或Pt进行比较，我们证实MgO确实负责无场SOT开关。此外，MgO的厚度依赖性表明，在5和8 nm之间的非常佳的开关比高达80%。这项工作提供了利用介电/HM界面处的自旋反射来实现无场SOT磁化开关的技术，对于开发大规模集成的SOT- mram和自旋逻辑器件具有重要意义。此 ...