中文：去胶；英文：removal of resist

上海技物所陈小双/余飞龙等：基于光致发光调制的电压可寻址光学PUF新突破【研究背景】随着互联化与分布式电子系统的快速扩展，硬件级安全认证已成为保障信息安全的核心防线。然而，传统加密系统正面临量子计算（如肖尔算法）带来的严峻威胁，亟需发展新型物理层安全技术。物理不可克隆函数（PUF）利用微结构固有的随机性生成不可复制的响应，在身份认证和防伪领域展现出巨大潜力。然而，传统PUF技术在实际应用中仍面临两大瓶颈：一是静态密钥空间一旦被破解便失去安全性；二是可重构性有限，难以应对动态变化的安全需求。近期，尽管有研究尝试采用相变介质或结晶诱导等机制实现随挑战变化的读出，但这些方法往往涉及不可逆的材料变化或 ...

梯度消失问题假设输入层784个，输出参数10个，每一个隐藏层包含30个元素。1.当隐藏层为一层，正确率为96.48%2.当隐藏层为二层，正确率为96.90%3.当隐藏层为三层，正确率为96.57%4.当隐藏仓为四层，正确率为96.53%增加隐藏层，并没有提高正确率，反而有时会减小。做一个简单的假设，输入层只有一个参数，包含四个隐藏层，输出也只有一个。x表示输入参量，表示权重（是一个向量），b1表示偏置，。每个隐藏层输出为，即每个隐藏层的输出结果，使用a描述，通常用z小二乘的方式描述评价函数C，梯度下降的方法不断修改其中的参数和参数b，令评价函数C趋向于Min，此时神经网络描述的函数既是想输入函 ...

原位拉曼在双壁碳纳米管作为磷酸铁锂阴极的有效导电剂中的应用引言：锂离子电池（LIB）已成为电动汽车和各种便携式电子应用的第1选择。然而，对具有更高能量密度的锂离子电池的需求依旧持续增长。目前，研究工作者通过优化电池组件，包括活性材料、导电剂、粘合剂和电解质来提高锂离子电池的电化学性能已经做出了重大努力。特别是，导电剂的选择发生了重大变化。研究表明，用多壁碳纳米管（MWCNTs）代替炭黑（CB）是一种在不改变活性材料的情况下提高阴极能量密度的有效方法。从这个意义上说，单壁碳纳米管 （SWCNT） 被认为是理想的导电剂，因为它们具有高电导率（106S/m）和纵横比 （>3500）。有研究表明 ...

调Q纳秒激光器在生物成像领域-光声成像方面的应用在过去几十年里，一种被称为光声成像（OAI）或光声成像（PAI）的新型生物医学成像模式正从实验室走向临床应用。PAI能够提供结构、血流动力学、功能、氧代谢、基因表达、生物标志物、分子等方面的信息。光声成像（PAI）是一种新兴的成像方式，用于临床和生物医学研究领域。PAI系统使用传统Q开关的Nd:YAG/OPO（光学参量振荡器）纳秒激光器作为激发源。这些激光器价格昂贵、体积庞大，脉冲重复率低，成像速度有限。在使用中光声激发脉冲的持续时间需要小于热和应力限制时间[1]。因此，通常使用持续时间为纳秒级的近红外（NIR）/可见光（VIS）激光脉冲来激发组 ...

拉普拉斯变换傅里叶变换傅里叶变换需要满足狄利克雷条件：1. 在一个周期内，连续或只有有限个第1类间断点2. 子一个周期内，极大值和ji小值的数目应是有限个3. 在一周期内，信号是绝对可积的补充：间断点分为两类：1. 第1类不连续点：可去不连续点：不连续点两侧函数的极限都存在，且相等跳跃不连续点：不连续点两侧函数的极限存在，但不相等2. 第二类不连续点：无穷间断点：左右两点中，至少存在一个点的极限为无穷振荡间断点：函数在该点没有定义，一直在变换。例如y=sin(1/x)在零点位置对于狄拉克雷条件，很多函数无法满足，例如e指数，抛物线等等。因此拉普拉斯在傅里叶变换的条件上添加一个进行衰减，当t大于 ...

使用直接调制VCSEL和相干探测，以105.7Gb/sPDM3-PAM传输960公里SSMF（2）-实验实验装置实验设置如图1所示。该VCSEL是一种高速短腔VCSEL，埋地道结（BTJ）孔径为4.5µm。它在单模下工作，并沿明确的偏振轴发射线偏振光。发射波长为1.5μm，3dB调制带宽为18GHz。具体VCSEL特性的详细描述可以在中找到。考虑到VCSEL的带宽和多级PAM的性能，我们在实验中选择了3-PAM，每个极化每个符号携带1.585（）比特，对应于使用极化分复用时每个符号携带3.17比特。在33.35-Gbaud时，原始线路速率为105.7195 Gb/s。使用3位高速数模转换器（D ...

滤波器理想滤波器是在带通范围内全通，带阻范围全部阻挡，过渡带宽为零。但是理想情况时间是无限的，但是数字信号是一段有限的时间，因此无法达到理想的情况，只能逼近理想情况。例如对于一段数字信号，长度为200，带宽为，然后做反傅里叶变换后得到的是一个Sinc函数卷积核心因为是有限的，所以将上述信号的部分内容置零，再去计算傅里叶区间内的频率和振幅关系得到经过时域变换后的信号，通带部分信号失真，阻带有泄露，过渡带长度不为零。若想要改善滤波器的性能，可以在滤波器上添加一个窗函数，例如Hann或者Hamming窗口等等。对比加上窗口和不加窗口的情况下，傅里叶区间频率vs振幅图得到下图窗函数改变信号末端突然被阶 ...

SSMF和64Gb/s背靠背与1.3umVCSEL无DSP和实时NRZ传输50Gb/s超过15km-实验结果与讨论不同SSMF长度下的光电链路（不含FFE和RF放大器）的小信号频率响应如图2所示。在背靠背（B2B）情况下，由于1326nm的SSMF色散和VCSEL啁啾的结合，在15kmSSMF处观察到15.5GHz的3db带宽下降到12GHz。这表明，短距离的主要带宽限制是由于VCSEL调制带宽，而较长距离的主要带宽限制是由于色散和VCSEL啁啾的结合。图2VCSEL偏置为12mA时，SSMF上不同传输距离下光电链路s参数归一化为了评估链路性能，使用图1所示的系统进行实时误码率测量。首先，以不 ...

使用20GHzVCSEL在1525nm波长上实现84Gb/sPAM-4在1.6kmSSMF-实验设置VCSEL的结构部署的单模短腔VCSEL基于Vertilas独特的InP埋地隧道结（BTJ）设计，具有非常短的光学腔。短腔的概念是通过在VCSEL的上镜和下镜上部署介电材料来实现的。介质材料的高折射率使得仅使用3.5对反射镜即可实现非常高反射率的分布式布拉格反射器（DBR），与需要30-40对反射镜的半导体DBR相比，DBR要薄得多。这使有效腔长度减少了50%以上，并大大降低了光子寿命，这一效应直接增加了器件的带宽InPBTJVCSEL概念包括一个特定的处理步骤，其中大部分半导体材料被蚀刻掉，为 ...

垂直磁化MgO/Pt/Co异质结构中自旋反射诱导的无场磁化开关在这项研究中，我们证明了MgO/Pt/Co异质结构中的无场SOT开关，通过与介电MgO层接口来调制Pt内的自旋反射和自旋密度。通过异常霍尔电压环位移测量，我们确定在没有外部磁场的情况下，SOT作为有效的面外磁场对磁化强度起作用。通过替换MgO层并将其与高导电性Ti或Pt进行比较，我们证实MgO确实负责无场SOT开关。此外，MgO的厚度依赖性表明，在5和8 nm之间的非常佳的开关比高达80%。这项工作提供了利用介电/HM界面处的自旋反射来实现无场SOT磁化开关的技术，对于开发大规模集成的SOT- mram和自旋逻辑器件具有重要意义。此 ...