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突破光学不变量的桎梏：ULTRA 显微镜系统与 ALCOR 飞秒激光器在跨尺度神经成像中的协同创新摘要在系统神经科学领域，实现活体状态下对大脑皮层进行超宽视场（Ultra-wide Field of View, FOV）与高分辨率并存的双光子成像，一直是光学工程与生物学交叉领域的重大挑战。传统的双光子显微镜受限于 Smith-Helmholtz 不变量，难以在保持高数值孔径（NA）的同时实现大视场成像，且深层组织成像常面临严重的像差与信号衰减问题。本文基于中国科学院苏州医工所、 Imperial College London 等团队近期发表于 Light: Science & Appl ...

基于一阶反转曲线研究的温度调制磁离子相及相变分析(二)使用原位MOKE成像，沿着图2(b)和2(d)所示的三个关键磁场扫描识别域变换，负磁场扫描沿对角线表示为蓝色虚线，两个正磁场扫描与上峰和下谷峰对相交，表示为水平红色虚线。为了验证与每个峰相关的域变换是一致的，我们捕获了19.0°C的孤立天空粒子和26.0°C的天空粒子晶格的MOKE图像。在补充材料中可获得19.0°C， 23.0°C和26.0°C的其他支持MOKE图像。图3图3(c)在19.0°c和图3(f)在26.0°c时沿负磁场向上扫至上峰的HR处，均显示条状畴破裂为更短的段和天空区，留下条状和天空区混合。然而，图3(c)中的区域相距较 ...

宽可调谐1550纳米MEMSVCSEL的10gb/s直接调制（2）-Mems容器结构与加工1.半VCSEL结构BCB MEMS可调谐VCSEL的示意图如图1所示。它主要由两部分组成：半VCSEL和MEMS DBR。半VCSEL主要由一个基于AlInGaAs的有源区、两个InP热和电流扩散层、一个埋地隧道结（BTJ）和一个固定底部DBR反射镜组成。由两个重掺杂p-AlGaInAs和n-GaInAs层组成的圆形BTJ限制了结构中心的电流，以保证有源区域具有足够高的电流密度。为了实现高斯基模的高放大，增益曲线和光模之间的重叠必须是z佳的。这只能在束腰符合BTJ半径的情况下实现。因此，由于其不同的横向 ...

宽可调谐1550纳米MEMSVCSEL的10gb/s直接调制（3）-静态特征对于静态特性，MEMS VCSEL二极管通过向顶部（非接触）和底部（p接触）触点板注入直流电流IL来电泵浦，MEMS通过向MEMS电极注入另一个直流电流Imems来驱动，如图3所示。BCB MEMS可调谐VCSEL在19mA固定偏置下的发射光谱如图4(a)所示。激光从1524nm开始，MEMS加热电流为8mA。在与激光模相邻的较低波长处可以看到被抑制的高阶横模。随着加热功率的增大，初始气隙=4.3μm也增大。因此，单模发射波长不断向更高的值移动。图4 (a)连续波（CW）下，不同MEMS加热电流下固定偏置19mA的VC ...

外腔半导体激光器稳频控制方式在精密测量以及量子技术等应用领域，对于激光器的稳频锁相有较高的要求。自由运转的外腔半导体激光器由于温度、机械振动等因素影响，其输出的光的频率往往或多或少存在漂移，使得这些自由运转的激光很难运用于精密光谱、原子干涉等，必须对其稳频控制。一般的外腔半导体激光器往往会存在三种频率控制方式：LD温度LD的温度影响半导体的增益轮廓和内腔模式频谱漂移，主要是温度变化造成介质中载流子浓度变化，以及吸收因子变化，此外温度还会影响内部FP腔的参数。温度对LD输出频率影响非常大，如用于数据存储应用（CR-R刻录机）的典型AlGaAs二极管在25℃时的标称波长为λ=784nm，dλ/dT ...

成像式亮度色度计产品原理及应用介绍成像式亮度色度计工作原理：成像式亮度色度计是一种基于成像原理来进行测光和测色的测量仪器，基本结构是由视觉（或色觉）匹配的探测器（CCD或CMOS）、光学系统以及与亮度（或三刺激值XYZ）成比例的信号输出处理系统所组成。 单点亮度计测试系统 成像式亮度色度计测试系统亮度测试原理：根据图利用光度学和几何光学的原理可以推出:公式（1）式中：E-成像面上的照度;　　L-发光面上的亮度;　　τ-光学系统的透射比（透过率）;　　f-透镜焦距;　　l-透镜与发光面的距离（称为测量距离）;　　fm系统相对孔径数，fm=f/D， ...

SSMF和64Gb/s背靠背与1.3umVCSEL无DSP和实时NRZ传输50Gb/s超过15km-实验装置作为云计算、搜索引擎和社交媒体等日益流行的互联网应用的基础，数据中心需要处理快速增长的信息量。这给数据中心内部和数据中心之间的链路带来了巨大的压力，促使业界和学术界开发400G及以上光链路的解决方案，以及当今经济高效的多模VCSELs的后续技术。这些应用的光纤长度范围从100米到2公里（数据中心内链路），至少10公里（数据中心间链路）。虽然许多提出的解决方案依赖于III-V或硅光子学材料系统中实现的外部调制，但基于直接调制VCSELs的链路具有提供低功耗、低成本和低复杂性解决方案的潜力。 ...

垂直磁化MgO/Pt/Co异质结构中自旋反射诱导的无场磁化开关在这项研究中，我们证明了MgO/Pt/Co异质结构中的无场SOT开关，通过与介电MgO层接口来调制Pt内的自旋反射和自旋密度。通过异常霍尔电压环位移测量，我们确定在没有外部磁场的情况下，SOT作为有效的面外磁场对磁化强度起作用。通过替换MgO层并将其与高导电性Ti或Pt进行比较，我们证实MgO确实负责无场SOT开关。此外，MgO的厚度依赖性表明，在5和8 nm之间的非常佳的开关比高达80%。这项工作提供了利用介电/HM界面处的自旋反射来实现无场SOT磁化开关的技术，对于开发大规模集成的SOT- mram和自旋逻辑器件具有重要意义。此 ...

量子级联激光器-长波红外（λ>6 μm）的材料与制造封装MOCVD特别适合生长非常厚的层，通常包括在QCL结构中，需要很长的生长时间。为了得到非常尖锐的多量子阱界面，对衬底温度、界面切换机制、生长速率、V/III比等生长参数进行了迭代生长条件优化。虽然还没有完全解释，界面粗糙度肯定在QCL性能的定义中起作用。模拟和实测x射线衍射曲线对比如图1所示。测量是在用于MWIR QCL设计的InGaAs/InAlAs多层材料上进行的，生长应变分别为~ 1%的拉伸/压缩应变平衡。总的来说，需要在完整的结构中实现少量的残余应变，并且x射线图中的卫星峰需要窄才能认为材料质量好。仿真曲线与实验曲线吻合较好 ...

固态光引擎的空间光输出特性1.固态光源：激光器和LED光引擎是一个紧凑的固态光源阵列，在统一的控制基础设施下运行，并馈入统一的光输出路径（图1）。阵列的元件可以是LED或激光器或两者的混合，具体取决于预期应用的要求。在本文中，我们将把激光器的考虑限制在半导体激光器上，半导体激光器的总体尺寸与LED相似，允许它们被纳入阵列中，而无需从根本上重新设计支持基础结构。实际上，LED和激光器在三个重要方面有所不同：（1）光谱分布（图1）（2）光输出生成效率（图2）（3）输出空间分布（图3）。激光的光谱带宽较窄（图1），这在荧光显微镜中并不特别重要，因为荧光染料和荧光蛋白的光谱带宽通常大于LED或激光。相 ...