中文：存储密度；英文：storage density

不利于更高的存储密度和器件的进一步小型化。反铁磁体具有抗干扰能力强、自旋动力学超快、开关速度快等特点，其净磁化强度为零，杂散场可忽略，在可靠、高速、高密度信息存储方面具有巨大的应用潜力6,7,8,9。然而，在反铁磁功能层中，信息的读写并不容易，研究者们面临着两难的境地。虽然已经提出了几种材料系统10,11，但仍难以通过实验操作和可靠地检测反铁磁存储层。SAF基于Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida (RKKY)相互作用12,13，其中顶部和底部的铁磁体通过具有适当厚度的非磁性间隔层进行反铁磁耦合，结合了零杂散场和高稳定性的反铁磁体的优点，以及在铁磁体上易读写的特点。事实上 ...

膜允许更高的存储密度，在薄膜上封装更多的比特。例如，在磁光记录的黄金年代，磁光盘薄膜上的数据存储标记由由约8 nm的磁壁隔开的磁畴组成，其中标记宽度约为170 nm，典型面密度为100 Gbits/in2。磁光薄膜的另一个优点是，它们具有更好的热稳定性，传统的磁记录磁带由于在热激活下自发发生的单畴粒子的磁化逆转而存在热稳定性问题。因此，使用磁光介质的好处在于，壁运动的能垒是热激活能kT的320倍，这意味着磁光介质中磁壁的热稳定性高于具有垂直磁化膜的传统磁带。尽管有这些优点，但人们注意到，传统磁光材料存在一些固有的问题，这些问题阻碍了它们在过去几十年乃至今天的继续使用。例如，人们注意到，在热磁写 ...

技术的设备的存储密度。此外，通过减少这种介质的厚度，我们现在能够降低协同性，从而可以在较弱的磁场下存储相同数量的数据。克尔效应显微镜可以观察畴壁，找到合适的介质厚度和协同作用组合，以获得稳定的信息元。其他方法除了克尔效应显微镜外，考虑其他观察磁畴的方法是很重要的。其中一种方法是Bitter技术，它利用胶体磁铁矿颗粒来绘制区域图案的杂散场。这种方法的一个主要缺点是，将胶体应用于磁性样品实际上可能会影响畴并给出其结构的错误图像。同样值得注意的是，苦效应测量的是磁域的杂散场。因此，当需要观察高导率材料的畴结构时，或者观察杂散场较弱的材料时，Bitter方法就不太理想了。通过磁光克尔效应观察域的主要优 ...

致了磁性硬盘存储密度的年增长率的变化，在1997年之前，它以每年60%的速度快速增长，从那时起，它以每年惊人的100%的速度加速增长。一个相关的效应，隧道磁阻(TMR)，如图1.1b所示。虽然在GMR效应发现之前，但在90年代，当它被讨论在磁性数据存储方面的可能应用时，它经历了复兴。这种效应依赖于电子在两个铁磁层之间的自旋极化隧穿，穿过薄的绝缘屏障，通常是超薄的氧化物间隔层。如果考虑隧道过程中的自旋守恒，则在两个FM层磁化方向平行的情况下，隧道效应发生在多数态和多数态之间，以及少数态和少数态之间。如果它们是反平行的，大多数电子从一个调频层隧穿到另一层的少数态，反之亦然。一般情况下，在这两种情况 ...