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5nm的Ta缓冲层。为避免氧化，采用了由2nm Cu和4nm Pt组成的盖层。在硅衬底上测量了15 nm厚的Ni样品，并对其进行了纵向几何测量。如果您磁学测量对有兴趣，请访问上海昊量光电的官方网页：https://www.auniontech.com/three-level-150.html更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软 ...
nm Pt缓冲层上，采用电子光刻技术制备了厚度为15 nm的CoPt3点。它们具有较大的垂直磁晶各向异性和铁磁行为，其特征是定义良好的平方磁滞回线，矫顽力场为±3.7 kOe。圆点的直径可在0.2 ~ 1 μm范围内变化。下面只给出1 μm点的结果。图1实验配置能成像纳米结构的形貌以及磁化的动力学。图1为泵脉冲激励后直径为1µm的CoPt3点在不同时间延迟下的微分磁化图像。注意，在当前的测量中，激发不是固定在点的中心，而是在成像过程中与探针光束一起移位。图a、b和c的序列表明，可以监测磁点磁化的空间动态。了解更多详情，请访问上海昊量光电的官方网页：https://www.auniontech ...
nm Pt缓冲层上，通过电子光刻制成的圆盘的直径为0.2 ~ 1m，圆盘之间的距离为0.5 ~ 2um。图2图2(a)表示时间的变化泵浦激励密度为4 mJ cm−2，外加磁场设置为3.5 kOe，使静态磁化达到饱和。插图描绘了超快磁化动力学的详细视图。图2(b)表示类似的曲线，但激发密度为8 mJ cm−2。初始退磁发生在泵浦脉冲期间，对应于自旋的激光加热，发生在电子的热化过程中由于探针脉冲持续时间为180秒，这里的热化过程没有得到解决。注意，对于zui大激励密度[图2(b)]，初始退磁完成。然后再磁化发生在两个主要步骤。第1个对应于自旋和晶格之间的平衡。两种强度对应的时间常数分别为2.5和 ...
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