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锁相检测和高重复频率脉冲激光器,可以测量太赫兹频率电场引起的φ≤10−4rad的相移。由式(3)可知,当π = 4.2 × 106V/m时,该器件感应太赫兹频率电场的动态范围下限为ETHz = 1.3 × 103V/m。对于相同的电光相互作用长度l = 600µm和调制响应TRF(ωRF),由于薄膜铌酸锂具有较高的电光系数和较低的折射率,因此与ZnTe和GaP相比,薄膜铌酸锂产生更高的相移φ。这可以通过比较电光材料的半波场Eπ来说明:Eπ LN = 4.2 × 106V/m < Eπ ZnTe = 1.6 × 107V/m < Eπ GaP = 4.4 × 107V/m(对于ZnT ...
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