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盒常用晶体的半波电压基本在1000V~1800V之间，但是比较通用的驱动芯片MOSFET耐压值大多小于1000V，而MOSFET由于自身工艺导致开关频率又做不快，通常在几百KHz，而CMOS晶体管的工作频率可以达到几十MHz，但是常见管子的耐压值又比较低，只有700V左右；一款优秀的脉冲选择系统对于晶体来说，需要考虑半波电压、工作频率、透过率等，但是目前最大局限还是半波电压稍高，给驱动设计带来很高的要求；对于另一个核心部件，驱动需要接受外部几十MHz的驱动信号，同时需要输出几千伏的驱动信号，问题是最大能输出多大频率。在脉冲选择实验中，我们实测驱动输出最大电压可以达到2Kv,并且在1.7Kv可以 ...
位延迟器件的半波电压。-39.375 -39.375 1.750 1.631 1.641 0.928 1.032 1.720 1.922 1.886 2.102 0.985 2.349 1.878 -39.375 -38.125 1.750 0.910 0.920 0.937 1.026 1.725 1.918 1.870 2.102 0.975 2.318 1.855 -39.375 -36.875 1.750 1.631 1.641 1.660 1.752 1.730 1.913 1.855 2.102 0.966 2.289 1.834 -39.375 -35.625 1.750 0.9 ...
π/2)就是半波电压。您可以通过我们的官方网站了解更多的产品信息，或直接来电咨询4006-888-532。 ...
的品质因数是半波电压 。 它被定义为产生 180° 电光相移所需的电压。 代入前面的等式得到需要注意的是，相位调制光束的特性与任何其他相位调制载波的特性没有任何区别。最重要的是，相位调制不能与频率调制分开。周期信号的瞬时频率定义为信号总相位的时间导数。因此，对于相位调制信号其中 f(t) 是瞬时频率，是信号的全局相位， 是光频率。给定相位调制 =msinΩt 其中 m 是相位调制指数，正弦相位调制导致正弦频率调制在固定频率 ，但具有 90° 相位滞后和 2mΩ 的峰峰值偏移。相位调制场幅度可以表示为一组傅里叶分量，其中功率仅存在于离散光频率处。其中k是整数，m是相位调制指数（调制深度），Jk( ...
相比，可降低半波电压。谐振电路的能量存储特性使这种降低的电压要求成为可能。例如，如果像以前一样使用 4001 型谐振相位调制器来产生 0.5 弧度的调制，则所需的功率将仅为有两个因素限制了集总元件谐振器的性能。首先是电感器的功率处理能力。电感磁芯的饱和会限制可用于调制光束的 RF 输入功率。此外，大部分功率耗散发生在电感器中，过多的输入功率会将其烧毁。其次，在大于 50 MHz 的频率下，普通的集总电路元件很难制造。尺寸与工作 (RF) 波长相当的电路是有效的辐射器，因此很难分析。此外，由于集肤效应导致的辐射能量损失，传统的线路电路往往具有高有效电阻。完全被导电金属包围的外壳限制了电磁场，并为 ...
；普克尔盒的半波电压与施加电压方向的晶体长度相关，所以纵向普克尔盒的半波电压非常高(千伏)，较高的电压会限制调制频率升高；为了达到更高的调制频率需要降低半波电压，而横向普克尔盒的半波电压不会随着晶体的长度增加而而增加；如美国 Conoptics 公司的普克尔盒的横向半波电压可以控制在一百伏左右，以此制备出了低压高调制频率的普克尔盒电光调制器。普克尔盒可对线偏振入射光进行偏振调制，若在其后放置固定偏振方向的偏振片可光强调制。在使用普克尔盒电光调制器时应先确定调制电压，调制电压的高低电平置于使入射光偏振旋转0°和90°之间，这可通过在普克尔盒后方放置偏振片使光强处于最强(偏振方向与主轴同向)或最弱 ...
强度。当施加半波电压时，强度达到zui大值。与电压呈正弦关系(图2)。四分之一波延迟电压对应50%的传输电平。控制相对传输的方程。归一化后的半波能级为:T = sin2 (xV/2Vx)图1利用位于交叉偏振器之间的电光调制器进行强度调制图2显示了在没有光偏置或电偏置的情况下，在交叉偏振器之间工作的所有光电调制器的一般传输特性。该特性在调制器性能方面的一个关键特性发生在zui小或零传输电平。空值是影响对比度(CR。也被称为消光比)。一种类似于信噪比的量。CR=Imax/Imin其中Imax和Imin是zui大和zui小输出强度。图2 纵向e-o调制器和交叉偏振器的传递函数电光调制器也可以在平行偏 ...
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