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有电致发光的场效应晶体管。 ...
和设计了垂直场效应晶体管(VFET)的范德华异质结在不同漏极偏压,栅极偏压和金属功函数下的迁移率,WSe2中的陷阱是主要散射来源,它影响了垂直迁移率和三种不同的传输机制:欧姆传输、陷阱受限传输和空间电荷受限传输。通过提高WSe2的费米能级来抑制陷阱态,可以提高VFET的垂直迁移率,这可以通过施加高的漏极电压来增加注入的载流子密度,或者可以通过分别施加栅极电压和降低金属功函数来减小石墨烯/WSe2、金属/WSe2异质结的肖特基势垒来实现。图1图1 石墨烯/WSe2/金属垂直场效应晶体管VFET结构 a)VFET源极、沟道、漏极示意图b) 具有明亮对比度(右面)和黑暗对比度(左面)的截面明场STE ...
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