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华异质结构(vdWHs)的不同寻常的特性和特殊的器件性能,这种异质结构是基于通过vdW相互作用将2dm按精确顺序逐层垂直叠加而成的。vdWHs不受晶格匹配和制造兼容性的限制,结合了不同2dm的优点,为新功能的设计提供了巨大的机会。为了识别2DMs和vdWHs的各种基本性质,需要一种方便的原位表征技术。在众多的表征方法中,拉曼光谱是一种快速、无损的表征方法,具有较高的空间和光谱分辨率,在实验室和大规模生产中都很适用。一般来说,2DMs中晶格振动(即声子)的拉曼峰具有几个突出的特征,包括线的形状、峰的位置(Pos)、半最大值处的全宽度(FWHM)和强度(I),这些特征包含了描述2DMs的物理和化学 ...
华异质结构(vdWHs),垂直集成了二维层状材料,在这篇文章中首先研究和设计了垂直场效应晶体管(VFET)的范德华异质结在不同漏极偏压,栅极偏压和金属功函数下的迁移率,WSe2中的陷阱是主要散射来源,它影响了垂直迁移率和三种不同的传输机制:欧姆传输、陷阱受限传输和空间电荷受限传输。通过提高WSe2的费米能级来抑制陷阱态,可以提高VFET的垂直迁移率,这可以通过施加高的漏极电压来增加注入的载流子密度,或者可以通过分别施加栅极电压和降低金属功函数来减小石墨烯/WSe2、金属/WSe2异质结的肖特基势垒来实现。图1图1 石墨烯/WSe2/金属垂直场效应晶体管VFET结构 a)VFET源极、沟道、漏极 ...
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