本的结构之一异质结为例,我们都知道异质结是两种不同的半导体相接触形成的界面区域,那大家猜猜何谓垂直异质结,何谓侧向异质结？何谓核壳异质结？答案很简单,顾名思义,当两种不同的半导体材料纵向堆叠,此时形成的界面区域就是垂直异质结；当一种半导体材料在x-y平面内包含另一种半导体材料,此时形成的界面区域就是侧向异质结；当一种半导体材料在x-y-z空间内包含另一种材料,此时形成的界面区域就是核壳异质结.目前异质结主要是由二维材料和石墨烯相互组合形成的,前段时间看了篇报道,是一些同行对一篇名为“Will Any Crap We Put intoGraphene Increase Its Electroca ...
为了形成范德华异质结构（vdWHs），垂直集成了二维层状材料，在这篇文章中首先研究和设计了垂直场效应晶体管（VFET）的范德华异质结在不同漏极偏压，栅极偏压和金属功函数下的迁移率，WSe2中的陷阱是主要散射来源，它影响了垂直迁移率和三种不同的传输机制：欧姆传输、陷阱受限传输和空间电荷受限传输。通过提高WSe2的费米能级来抑制陷阱态，可以提高VFET的垂直迁移率，这可以通过施加高的漏极电压来增加注入的载流子密度，或者可以通过分别施加栅极电压和降低金属功函数来减小石墨烯/WSe2、金属/WSe2异质结的肖特基势垒来实现。图1图1 石墨烯/WSe2/金属垂直场效应晶体管VFET结构 a)VFET源极 ...
导体多量子阱异质结构的重复堆栈中使用子带间跃迁实现的。这个想法最早是由R.F. Kazarinov和R.A. Suris在1971年的论文“用超晶格在半导体中放大电磁波的可能性”中提出的。在块状半导体晶体中，电子可能占据两个连续能带中的一个——价带，其中大量填充着低能电子；导带，其中少量填充着高能电子。这两个能带被一个带隙隔开，在这个带隙中没有允许电子占据的状态。传统的半导体激光二极管，当导带中的高能量电子与价带中的空穴重新结合时，通过单个光子发出光。因此，光子的能量以及激光二极管的发射波长由所使用的材料系统的带隙决定。然而，QCL在其光学活性区不使用块半导体材料。相反，它由一系列周期性的不同 ...
的传统SOT异质结构中，SOT可以来源于体旋Hall效应(SHE)和界面Rashba效应(33,34)，这导致了两个正交成分: 类Slonczewski转矩(类阻尼转矩)m × m × σ，类场转矩m × σ，其中m为磁化单位矢量，σ为自旋极化矢量。类阻尼力矩主要来源于SHE，负责电流驱动的畴壁运动和磁化开关。在SAF结构中，顶部(TM)和底部(BM)磁层通过非磁性间隔层耦合，这两层的磁化强度一直反向平行排列，如图1a所示。磁化开关行为可以从SHE和DMI的角度来解释。由于HM/BM界面的强自旋轨道耦合和由此产生的DMI，BM畴壁“↓→↑”和“↑←↓”为Néel-type，具有左手手性。注入电 ...
激子猝灭和在异质结中从供体到受体的电荷载流子转移。对于第一点，PC71BM 薄膜的单重态激子寿命τS1为10.72 ns，而 eh-IDTBR 薄膜的τS1短得多（6.39 ns）。 这是由于PC71BM有更多的缺陷位点，延迟了PL淬火。对于第二点，测量了eh-IDTBR和PC71BM的TCSPC。光敏层中的单重态激子衰减与快速扩散到供体-受体界面有关，而长寿命组分与电荷分离后的电荷复合有关。此外，PBDTTT-EFT 和 PC71BM 混合物的τCT比PBDTTT-EFT和eh-IDTBR混合物更长，这意味着源自陷阱位点的电荷转移状态中的电荷复合增加了。因此，基于eh-IDTBR的OPD表现 ...
了有机半导体异质结界面对光的高效上转换。这个过程是由界面处的电荷分离和重组介导的电荷转移状态实现的。作者：Seiichiro Izawa & Masahiro Hiramoto原文链接: https://www.nature.com/articles/s41566-021-00904-w5 快报标题: 合成螺旋二色性用于六维光学轨道角动量复用简介：通过无序纳米聚集体中的无序诱导合成螺旋二色性，实现了复用轨道角动量状态作为数据加密的独立和正交信息载体。作者：Xu Ouyang，Yi Xu，... Xiangping Li原文链接: https://www.nature.com/artic ...
，具有埋入的异质结构（BH，红色矩形）增益区和光栅耦合器（GC）在末端工作组。比例尺，2 μm。e，光学 Fano BIC 的示意图。f，制造的 Fano BIC 激光器横截面的 SEM 图像，显示了包含 BH 的有源 WG 和无源纳米腔。BH 在器件切割后被蚀刻掉。比例尺，200 nm。参考文献：Yu, Y., Sakanas, A., Zali, A.R. et al. Ultra-coherent Fano laser based on a bound state in the continuum. Nat. Photon. (2021).DOI：https://doi.org/10.1 ...
究垂直范德华异质结构(vdWHs)的不同寻常的特性和特殊的器件性能，这种异质结构是基于通过vdW相互作用将2dm按精确顺序逐层垂直叠加而成的。vdWHs不受晶格匹配和制造兼容性的限制，结合了不同2dm的优点，为新功能的设计提供了巨大的机会。为了识别2DMs和vdWHs的各种基本性质，需要一种方便的原位表征技术。在众多的表征方法中，拉曼光谱是一种快速、无损的表征方法，具有较高的空间和光谱分辨率，在实验室和大规模生产中都很适用。一般来说，2DMs中晶格振动(即声子)的拉曼峰具有几个突出的特征，包括线的形状、峰的位置(Pos)、半最大值处的全宽度(FWHM)和强度(I)，这些特征包含了描述2DMs的 ...
块体砷化镓中的磁光克尔效应块体GaAs中pMOKE的起源可以通过考虑导带中自旋向上和自旋向下状态的不均匀占据来理解，如下侧图1所示。导带中的自旋不平衡导致两个自旋居群的费米能级存在差异。这对于能量接近带隙能量的光子的吸收有重要的影响。能量仅略高于Eg的光子只能激发跃迁进入自旋下子带。跃迁到自旋向上子带只有在光子具有较大能量时才有可能。图1.左:大块砷化镓中左圆偏振光(lc)和右圆偏振光(rc)的光跃迁，从重带(hh)和光孔带(lh)跃迁到导带。右:计算出n↑= 1.5·1017 cm−3和n↓= 0.5·1017 cm−3的吸收光谱。α0表示非极化情况下的吸收。此外，跃迁必须遵守砷化镓中的偶极 ...
)As量子阱异质结构示意图。Ene表示导电带中电子的量子化能态。enh和Enlh分别是价带中重空穴和轻空穴的能态在自旋led实验中，通过直接比较电致发光在顶发射(电子自旋极化方向垂直于量子阱)和边发射(电子自旋极化方向在平面上)的圆极化，验证了这一效应。适用于10 nm和15 nm宽的量子阱在边缘发射几何结构中没有发现明显的圆极化，尽管在顶部发射中测量到了强烈的信号。然而，对于宽(体状)量子阱(d≥50 nm)，在边缘发射中甚至可以检测到圆极化，这表明与窄量子阱相比，由于量子约束减弱，重空穴自旋获得了面内分量因此，对于宽GaAs/(Al,Ga)As-QW系统，光学选择规则应该仍然允许边缘发射中 ...
器使用量子阱异质结构来控制半导体中发射的光子的能量，而不是更常见和更高能量的带间跃迁，这一想法是由R.F. Kazarinov和R.A. Suris在1971年首次提出的。这种量子级联激光器QCL的首次实验演示是在1994年由Jérôme Faist、Federico Capasso、Deborah Sivco、Carlo Sirtori、Albert Hutchinson和Alfred Cho在贝尔实验室完成的。1998年，Antoine Müllerr和Matthias Beck在瑞士纳沙泰尔创立了ALPES LASER，创始人是Jérôme Faist，他当时是Neuchâtel大学的教
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