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雪崩二极管

硅基雪崩二极管(Si APD)

高性价比,高性能雪崩二极管, APD,!

所属类别:探测器/光子计数器 » 雪崩二极管

所属品牌:

技术服务人员:吴工(Pete)

电话:15618011391 邮箱:ming-wu@auniontech.com



昊量光电提供的APD(Si Avalanche Photodiode)雪崩二极管采用内部增益机制,从而具备快速响应,低暗电流,近红外波段的灵敏度高等优点。我们的APD雪崩二极管尤其适合于需要对带宽要求比较高的应用,以及需要借由内部增益来克服前置放大器噪声的场合。此外,我们的APD雪崩二极管提供比标准光电二极管(PD)更高的灵敏度,非常适合极微弱光信号的检测和短脉冲信号测量。


我们硅基雪崩光电二极管(Si APD's)的工作波段介于400 nm和1100 nm之间。标准的光敏探测区域尺寸Ø200和Ø500μm,并提供密封TO罐和LCC等多种封装形式。


我们APD在包括激光通讯,激光雷达(LIDAR),光学检测及光子计数等在内的许多应用中已经成为光电倍增管的最佳替代品。


产品总览:


Product

Peak Wavelength

Active Area

Package

APD-800-0-04

800 nm

Ø 230 µm

TO-46 Metal Can

APD-800-0-08

800 nm

Ø 500 µm

TO-46 Metal Can

APD-800-1-01

800 nm

Ø 230 µm

LCC3 SMD

APD-800-1-05

800 nm

Ø 500 µm

LCC3 SMD

APD-800-1-07

800 nm

Ø 500 µm

LCC6 SMD

APD-905-0-12

905 nm

Ø 230 µm

TO-46 Metal Can

APD-905-0-16

905 nm

Ø 500 µm

TO-46 Metal Can

APD-905-1-09

905 nm

Ø 230 µm

LCC3 SMD

APD-905-1-13

905 nm

Ø 500 µm

LCC3 SMD

APD-905-1-15

905 nm

Ø 500 µm

LCC6 SMD

 

 

绝对最大额定参数

Absolute maximum   ratings

Symbol

Rating

Unit

Operating temperature   range

TOPR

-20...+85

Storage   temperature range

TSTG

-55...+125

Power   dissipation

PD

1

mW

Storage   temperature range

IF

1

mA

Operating   voltage

VOP

0.95 x VBR

V

Lead soldering temperature*  

TLS

260

 

 

产品参数:

800nm APD

APD-800-0-04   (TO-46)

APD-800-0-08  (TO-46)

APD-800-1-01   (LCC3 SMD

APD-800-1-05   (LCC3 SMD)


APD-800-1-07  (LCC6 SMD)

Parameters

Unit

Min

Typ

Max

Min

Typ

Max

Sensitivity   range

nm

400


1100

400


1100

Active area Dia.

um


230



500


Responsivity

A/W

35

50


35

50


Rise time

ns


0.3



0.3


Dark current

nA

0.02

0.05

0.4

0.05

0.1

0.5

Capacitance

pF


1.5



3


Optimal gain



100



100


 

 

905nm APD

APD-905-0-12   (TO-46)

APD-905-0-16   (TO-46)

APD-905-1-09   (LCC3 SMD)

APD-905-1-13   (LCC3 SMD)


APD-905-1-15   (LCC6 SMD)

Parameters

Unit

Min

Typ

Max

Min

Typ

Max

Sensitivity   range

nm

400


1100

400


1100

Active area, Dia

um


230



500


Responsivity

A/W

50

55


50

55


Rise time

ns


0.6



0.6


Dark current

nA

0.1

0.2

1

0.1

0.4

1

Capacitance

pF


1



1.2


Optimal gain



100



100


 

封装形式:

 LCC3 SMD                             LCC6 SMD

TO-46, glass window cap



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产品标签:雪崩二极管, APD, Si Avalanche Photodiode, 雪崩二极管探测器, 硅基雪崩二极管, 高灵敏度探测器, 雪崩光电二极管

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